| INDEX |
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| 発表日 |
表題 |
| 半導体 |
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| 2023/12/8 |
ロームと東芝デバイス＆ストレージが共同で進める「パワー半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定New |
| 2023/12/5 |
ローム、Quanmatic社と量子技術による製造工程最適化の実証完了New |
| 2023/12/4 |
Gartner、世界の半導体売上高が 2024 年に 17% 増加すると予測New |
| 2023/11/30 |
Amkor、米国に先進的なパッケージングおよびテスト施設を発表New |
| 2023/11/29 |
宮城県、半導体産業の振興に向けた体制の整備についてNew |
| 2023/11/28 |
北海道経産局、半導体関連産業 魅力発信事業第2弾 高校生・小学生向け出前授業を実施New |
| 2023/11/17 |
Rapidus、Tenstorrent社とIPのパートナーシップで合意New |
| 2023/11/16 |
経産省、西村経産大臣が第2回日米経済政策協議委員会(経済版「2＋2」)に出席し、共同声明を発出New |
| 2023/11/14 |
中国の半導体工場は44ヵ所、将来的に32ヵ所に拡大、主に成熟プロセスがターゲットNew |
| 2023/11/14 |
ルネサス、INCJによるルネサスの株式売却についてNew |
| 2023/11/14 |
経産省、西村経産大臣が、AI・半導体企業トップとの意見交換会に出席New |
| 2023/11/8 |
Vishay Intertechnology、NexperiaのNewportウェーハ工場を1億7,700万ドルで買収New |
| 2023/11/7 |
ローム、ソーラーフロンティア 旧国富工場の取得完了New |
| 2023/11/7 |
世界のSSD出荷台数は2022年に前年比10.7%減の1億1,400万ユニットになると、Trendforce |
| 2023/11/6 |
Micron、台中第4工場がオープン |
| 2023/11/5 |
TI、米国ユタ州リーハイで新しい300mm半導体ウエハファブの起工式を開催 |
| 2023/11/3 |
中国商務省、王文涛大臣がマイクロンのサンジェイ・メロトラ社長兼CEOと会談 |
| 2023/11/3 |
ミニLED製品の出荷は2024年に1,379万個に回復、2027年まで継続的な成長、Trendforce |
| 2023/11/2 |
ミネベアミツミ、日立パワーデバイスの株式取得（子会社化）及び事業譲受に関するお知らせ |
| 2023/11/1 |
SIA、9月の世界半導体売上高は前月比1.9%増加 |
| 2023/10/31 |
日本は半導体の設備と原材料における優位性を活かし、九州、東北、北海道の主要企業の戦略、Trendforce |
| 2023/10/19 |
Infineon、現代自動車および起亜自動車とパワー半導体の複数年供給契約を締結 |
| 2023/10/18 |
成熟したプロセス能力における中国のシェアは2023年に29%に達し、2027年までに33%に上昇すると予測、Trendforce |
| 2023/10/18 |
ソシオネクスト、2nmプロセスのマルチコアCPUチップレット開発でArmおよびTSMCと協業 |
| 2023/10/17 |
TrendForce 2024:革新的なテクノロジートレンドの波に乗る |
| 2023/10/13 |
ロームグループ マレーシア工場に新棟竣工 |
| 2023/10/4 |
ルネサス、EdgeCortixと提携し、AI/ML開発を効率化 |
| 2023/10/4 |
Infineon、接続ポートフォリオを強化するために超広帯域の3db Accessを買収 |
| 2023/10/3 |
Intel、PSGをスタンドアロン事業として運営する意向を発表 |
| 2023/10/1 |
産総研、「先端半導体研究センター」を新たに設立 |
| 2023/9/29 |
Intel、オハイオ州に投資 |
| 2023/9/29 |
Intel、アイルランドの新工場でインテル 4 テクノロジーの大量生産を開始 |
| 2023/9/22 |
浜松ホトニクス、代表取締役の異動並びに取締役候補者の選任及び執行役員人事(予定) |
| 2023/9/21 |
東芝、ドイツに新技術拠点「Regenerative Innovation Centre」を開所 |
| 2023/9/21 |
世界トップ10のICハウスの第2四半期の収益は第3四半期に新記録樹立のペースで12.5%増加、TrendForce |
| 2023/9/19 |
国交省、令和５年都道府県地価調査の概要 |
| 2023/9/14 |
東芝デバイス＆ストレージ、役員人事について |
| 2023/9/14 |
台湾Wenye、カナダFuture と提携してグローバル レイアウトを開始 |
| 2023/9/14 |
MEMS業界:過去20年間の革新と成長を振り返る、Yole |
| 2023/9/12 |
TSMC、臨時取締役会決議 |
| 2023/9/12 |
ソニーセミコン、業界最多有効1,742万画素の車載カメラ用CMOSイメージセンサーを商品化 |
| 2023/9/12 |
GlobalFoundries、シンガポールに40億ドルの拡張施設を開設、1,000人の新規雇用を創出 |
| 2023/9/11 |
NANDフラッシュ価格は第4四半期に安定して回復し横ばい又は0～5％上昇すると予想、TrendForce |
| 2023/9/11 |
アナログ・デバイセズ、汐留に本社を移転 |
| 2023/9/11 |
Inventecとルネサス、車載ゲートウェイの概念実証機の共同開発で協業 |
| 2023/9/7 |
Vishay、メキシコのビシェイ新施設でパワーインダクタの製造能力を増強New |
| 2023/9/5 |
韓国MSSとサムスン電子、有望なファブレス企業の育成に協力 |
| 2023/9/5 |
半導体ファウンドリ上位10社、2023年第2四半期に1.1％の四半期売上高減少したが、2023年第3四半期に回復と予想、TrendForce |
| 2023/9/4 |
MEMS市場は2028年までに200億米ドルに成長、Yole |
| 2023/9/2 |
経済産業省、西村大臣は北海道千歳市にて,ラピダス社の次世代半導体工場の起工式・起工披露式典に参加 |
| 2023/9/1 |
Rapidus、IIM-１の起工式を開催 |
| 2023/8/22 |
ソフトバンク、Armによる新規株式公開計画に係る登録届出書のパブリック・ファイリングに関するお知らせ |
| 2023/8/16 |
Intel、Tower Semiconductorの買収断念 |
| 2023/8/15 |
TSMC、ボッシュ、インフィニオン、NXP、欧州に先端半導体製造の合弁会社を設立 |
| 2023/8/14 |
半導体市場の好転、SI |
| 2023/8/14 |
Infineon、マレーシアのクリムに世界最大の200 mm SiC パワーファブを建設 |
| 2023/8/10 |
Infineonとソーラーエッジ社、複数年のサプライヤー キャパシティ予約契約を締結 |
| 2023/8/10 |
ソシオネクスト、インド・ベンガルールに新拠点を開設 |
| 2023/8/9 |
バイデン大統領、懸念国における特定の国家安全保障技術および製品への米国の投資に対処する大統領令に署名 |
| 2023/8/8 |
TSMC、取締役会決議/60億5950万ドルの投資承認 |
| 2023/8/4 |
ミネベアミツミ、セミコンダクタ＆エレクトロニクスの状況 |
| 2023/8/3 |
Infineon、パワー半導体で#1、マイクロコントローラ市場全体で#5にランク |
| 2023/8/3 |
西村康稔経済産業大臣、キオクシア岩手を視察 |
| 2023/7/31 |
onsemi は自動車用画像市場を独占。新たな挑戦者は誰になるのか？ |
| 2023/7/28 |
三菱電機、酸化ガリウムパワー半導体開発に向けてノベルクリスタルテクノロジー社に出資 |
| 2023/7/28 |
TSMC、技術革新の最新拠点を祝うグローバルR＆Dセンターを開設 |
| 2023/7/27 |
Armと業界のリーダー企業・団体、スキル不足の課題解消に向けた「Semiconductor Education Alliance」を発足 |
| 2023/7/26 |
ADI、オレゴン州の半導体施設の拡張に10億ドル以上を投資 |
| 2023/7/25 |
IDC、世界の半導体OSAT市場は2022年に前年比5.1％成長、高度なOSAT需要の蓄積により2024年には成長を見込む |
| 2023/7/25 |
三益半導体工業、新工場棟の建設 |
| 2023/7/24 |
NXP Semicon、Macrotrends Driving Waves of Semi Growth |
| 2023/7/21 |
CIS、ソニーは依然として市場をリード |
| 2023/7/12 |
ローム、ソーラーフロンティア 旧国富工場の資産取得について基本合意 |
| 2023/7/11 |
ドイツ連邦カルテル庁、ボッシュ、インフィニオン、NXPによるドレスデンの新TSMC半導体工場の株式取得を承認 |
| 2023/7/5 |
ルネサスとWolfspeed、10年間のSiCウェハ供給契約を締結 |
| 2023/7/5 |
SBI、台湾半導体ファウンドリ大手PSMCとの日本国内での半導体工場設立に向けた準備会社の設立に関する基本合意 |
| 2023/6/28 |
2023年に半導体設備投資が減少、SI |
| 2023/6/28 |
Samsung Electronics、Samsung Foundry Forum 2023でAI時代のFoundryビジョンを発表 |
| 2023/6/26 |
IPCEI、スペインのKDPOFパッケージング工場に資金提供 |
| 2023/6/23 |
浜松ホトニクス、光半導体事業の生産能力増強のため本社工場に新棟を建設 |
| 2023/6/22 |
Micron、インドに新しい半導体組立およびテスト施設を発表 |
| 2023/6/21 |
Intel、内部ファウンドリモデルのアップデートを提供 |
| 2023/6/20 |
ヴィテスコとローム、SiCパワーデバイスの長期供給パートナーシップ契約を締結 |
| 2023/6/20 |
ファブレスTop10、第1四半期は損益分岐点、第2四半期はAI需要で回復の期待、TrendForce |
| 2023/6/19 |
Intel、ドイツ政府とマクデブルクのウェーハ製造拠点の範囲拡大で合意 |
| 2023/6/16 |
Infineon、SiCウエハーおよび結晶ブールの供給契約をSICCと締結し、調達基盤を多様化 |
| 2023/6/16 |
Infineon、SiCウエハーおよび結晶ブールの供給契約をSICCと締結し、調達基盤多様化 |
| 2023/6/16 |
Micron、西安の包装・試験工場に43億人民元以上を投資 |
| 2023/6/16 |
Intel、ポーランドに組立およびテスト施設を計画 |
| 2023/6/16 |
経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定(キオクシア/ソニーセミコン) |
| 2023/6/12 |
ファウンドリTop10、第1四半期に前四半期比20%収益減少、第2四半期も減少が予想、TrendForce |
| 2023/6/8 |
TSMC、3DFabricシステム統合テクノロジーの拡大における高度なバックエンドFab6を開設 |
| 2023/6/6 |
Rapidus、北海道における次世代半導体プロジェクト説明会及び工事計画等説明会概要 |
| 2023/6/5 |
GlobalFoundriesとSTMicroelectronics、フランスの新しい 300mm半導体製造施設に関し最終合意 |
| 2023/6/5 |
ニデックとルネサス、EV向け次世代E-Axleの半導体ソリューションで協業 |
| 2023/6/2 |
ルネサス、Panthronics社の買収を完了 |
| 2023/6/1 |
キオクシア、横浜市内の2つの新たな研究・技術開発施設の稼働を開始 |
| 2023/5/30 |
米国政府、GlobalFoundries がニューヨーク施設で信頼できる半導体を製造することを認定 |
| 2023/5/30 |
富士電機、生産拠点と施策/半導体事業戦略 |
| 2023/5/30 |
東海理化、半導体事業の拡大/中期経営計画 |
| 2023/5/29 |
三菱電機、半導体・デバイス事業/経営戦略説明会2023 |
| 2023/5/26 |
ルネサス、「千葉県東方沖地震」による当社事業活動への影響について |
| 2023/5/26 |
三菱電機、米国Coherentと8インチSiC 基板共同開発について基本合意書を締結 |
| 2023/5/25 |
北海道における次世代半導体プロジェクト説明会及び工事計画等説明会 |
| 2023/5/25 |
電子デバイス産業新聞、第29回「半導体・オブ・ザ・イヤー2023」発表 |
| 2023/5/24 |
ソニーセミコン、熊本県合志市、土地取得予定(事業説明会2023) |
| 2023/5/22 |
Micron、次世代メモリ製造の推進と高度な半導体人材の育成に向けた広島県との連携を発表 |
| 2023/5/21 |
文科省、永岡大臣がブリンケン米国国務長官と教育協力に関する覚書に署名 |
| 2023/5/21 |
駐日米国大使館、日米による画期的な教育パートナーシップの立ち上げ |
| 2023/5/21 |
Micron、UPWARDS for the Future（半導体の未来に向けた人材育成と 研究開発のための日米大学パートナーシップ）を創設 |
| 2023/5/19 |
ルネサス、製造拠点(2023 Capital Market Day) |
| 2023/5/18 |
トレックス・セミコン、生産キャパ確保と増産投資/2023年決算説明 |
| 2023/5/18 |
首相官邸、グローバル半導体企業トップとの意見交換会 |
| 2023/5/18 |
Micron、日本にEUV技術を導入し次世代メモリの製造を推進 |
| 2023/5/17 |
先端システム技術研究組合（東京大学、アドバンテスト、凸版印刷、日立製作所、ミライズテクノロジーズ、理化学研究所）、チップ設計の民主化に向けた次世代先端半導体設計プラットフォームの研究開発を開始 |
| 2023/5/16 |
NXPとTSMC、業界初の車載用16nm FinFET組み込みMRAMを提供 |
| 2023/5/15 |
ADI、アイルランドの次世代半導体 研究開発・製造施設に6億3,000万ユーロを投資 |
| 2023/5/15 |
熊本県立技術短期大学、半導体技術科の新設及び半導体人材の育成について |
| 2023/5/12 |
サンケン電気、設備投資＆生産改革マネジメント |
| 2023/5/11 |
ミネベアミツミ、アナログ半導体事業中期計画/決算説明会 |
| 2023/5/10 |
デンソーとUSJC、車載パワー半導体の量産出荷を開始 |
| 2023/5/9 |
ローム、パワーデバイス事業計画 |
| 2023/5/8 |
西村経済産業大臣が欧州8か国に出張 |
| 2023/5/2 |
Infineon、ドレスデンの新工場着工 |
| 2023/5/1 |
世界の半導体売上高は第1四半期に8.7％減少、3月の売上高は2022年5月以来初めて前月比で上昇、SIA |
| 2023/4/28 |
凸版印刷、パワー半導体事業に参入 |
| 2023/4/28 |
経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定(ルネサス) |
| 2023/4/28 |
三菱電機、SiCパワー半導体の設備投資 |
| 2023/4/26 |
浜松ホトニクス、半導体レーザの生産能力強化、都田製作所に新棟を建設、地鎮祭は5月10日 |
| 2023/4/26 |
2023年の世界半導体売上高が11％減少すると予測、Gartner |
| 2023/4/26 |
Bosch、米国のTSI Semiconductorsを買収する予定 |
| 2023/4/25 |
世界トップ10のIC設計会社の収益減少は2022年第4四半期に10%近くまで拡大、減少は23年第1四半期まで続くと予想、TrendForce |
| 2023/4/25 |
ミネベアミツミ、SSCの株式取得（子会社化）完了に関するお知らせ |
| 2023/4/25 |
鹿島、Rapidus IIM-1建設計画の設計施工者に選定 |
| 2023/4/25 |
Rapidus、千歳市に最先端半導体工場の建設を開始へ |
| 2023/4/25 |
経済産業省、次世代半導体プロジェクトのアップデート |
| 2023/4/25 |
世界のトップ10のIC設計会社の収益の減少は、2022年第4四半期に10％近く拡大し、23年第1四半期まで続くと予想、TrendForce |
| 2023/4/24 |
東芝D&S、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟の建設を開始 |
| 2023/4/19 |
2023年ワールドワイドエレクトロニクス市場総調査、富士キメラ総研 |
| 2023/4/19 |
GlobalFoundries、IBMに対して訴訟、知的財産と企業秘密を保護 |
| 2023/4/17 |
2023年先端／注目半導体関連市場の現状と将来展望、富士キメラ総研 |
| 2023/4/17 |
佐賀大学、世界初ダイヤモンド半導体パワー回路を開発 |
| 2023/4/14 |
米国CHIPS法による厳しい制限により、多国籍サプライヤーの投資意欲が低下。中国の半導体開発は今後10年間は制限される、TrendForce |
| 2023/4/13 |
Intel＆Jikr、新エネルギー車を共同で作成するための戦略的協力覚書に署名 |
| 2023/4/13 |
ZF、STMicroelectronicsとSiCデバイスの複数年供給契約を締結 |
| 2023/4/13 |
Intel Foundry ServicesとArm、最先端SoC設計に関する複数世代にわたる協業 |
| 2023/4/11 |
旭化成、電子部品事業(中期経営計画2024進捗) |
| 2023/4/7 |
サンケン電気、JSファンダリ新潟工場(一部借用)に新潟サンケンを設立 |
| 2023/4/5 |
名古屋大学とキオクシア、モビリティ分野・ スマートファクトリー分野の指定共同研究契約を締結 |
| 2023/4/4 |
Rapidus、imec のコア パートナー プログラムに参加 |
| 2023/4/3 |
アーム、新社長就任のお知らせ |
| 2023/3/31 |
デンソー初、SiCパワー半導体を用いたインバーターを開発 |
| 2023/3/27 |
SIA、2022年にチップの売上が増加、特に自動車、産業、消費者市場向け |
| 2023/3/22 |
ルネサス、Panthronicsを買収し、NFC技術の獲得によりコネクティビティのポートフォリオを拡充 |
| 2023/3/10 |
ジャパンディスプレイ、ソニーセミコンダクタへ東浦工場建物譲渡 |
| 2023/3/3 |
SIA、1月の世界の半導体売上高は前月比5.2%減 |
| 2023/3/1 |
経産省、特定高度情報通信技術活用システムの開発供給及び導入の促進に関する法律 |
| 2023/2/8 |
SIA、短期的な景気後退にもかかわらず、世界の半導体市場の長期的な見通しは強い |
| 2023/2/1 |
Wolfspeed、ドイツのザールランドに世界最大かつ最先端のSiCデバイス製造施設を建設する計画 |
| 電子部品 |
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| 2023/12/5 |
アルプスアルパイン、退職した元従業員の逮捕についてNew |
| 2023/11/6 |
村田製作所、福井県越前たけふ駅前に新たな研究開発拠点「セラミックコンデンサ研究開発センター」を 2026年4月に設立 |
| 2023/8/2 |
京セラ、滋賀野洲工場に新棟を建設 |
| 2023/8/2 |
浜松ホトニクス、電子管事業の生産能力増強のため豊岡製作所に新棟を建設 |
| 2023/4/27 |
TDK、磁気センサの生産体制強化について |
| 2023/4/27 |
村田製作所、出雲村田製作所での新生産棟竣工について |
| 太陽電池 |
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| 薄型パネル |
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| 2023/7/18 |
ジャパンディスプレイ、JOLED からの事業譲受完了 |
| 2023/4/10 |
ジャパンディスプレイ、世界第3位ディスプレイメーカーHKC(中国)との戦略提携覚書締結 |
| 2023/3/10 |
ジャパンディスプレイ、ソニーセミコンダクタへ東浦工場建物譲渡 |
| 蓄電池他 |
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| 製造装置 |
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| 2023/12/6 |
ニコン、ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」を発売New |
| 2023/12/1 |
ジェイ・イー・ティ、Rapidusから次世代半導体製造技術の研究開発業務受託New |
| 2023/11/29 |
淀川ヒューテック、熊本にフッ素樹脂製品工場建設、25年操業へNew |
| 2023/11/22 |
菊池市、日本電子材料の工場増設に伴う立地協定式を開催New |
| 2023/10/19 |
ディスコ、「羽田R&Dセンター」新棟建設を決定 |
| 2023/10/13 |
キヤノン、ナノインプリントリソグラフィ技術を使用した半導体製造装置を発売 |
| 2023/9/21 |
KOKUSAI ELECTRIC、新規上場承認に関するお知らせ |
| 2023/9/20 |
堀場エステック、「京都福知山テクノロジーセンター」に新棟を増設 |
| 2023/9/15 |
住友大阪セメント、半導体製造装置部品ＥＳＣの生産能力増強 |
| 2023/9/14 |
東京エレクトロン デバイス、事業譲受けに関するお知らせ |
| 2023/9/1 |
東京エレクトロン、自己株式の取得状況に関するお知らせ |
| 2023/8/31 |
ニコン、縮小投影倍率5倍 i線ステッパー「NSR-2205iL1」を発売New |
| 2023/8/24 |
東京エレクトロン、第8.7世代フラットパネルディスプレイ向けプラズマエッチング装置PICP EX PlusおよびAPX販売開始 |
| 2023/8/21 |
ジェイ・イー・ティ、東京証券取引所スタンダード市場への新規上場承認のお知らせ |
| 2023/7/21 |
東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ新開発棟竣工 |
| 2023/6/20 |
アドバンテスト、NXP Semiconductors、アリゾナ州立大学、共同で初のテスト・エンジニアリング・コースを開始 |
| 2023/6/16 |
経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定(キヤノン) |
| 2023/5/25 |
電子デバイス産業新聞、第29回「半導体・オブ・ザ・イヤー2023」発表 |
| 2023/5/23 |
ASM、韓国華城に新たな最先端のイノベーションと製造センターを建設 |
| 2023/5/23 |
経産省、「輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令の一部を改正する省令」等の改正の概要について |
| 2023/5/22 |
東京エレクトロン、「半導体の人材育成と研究開発に関する未来に向けた日米大学間パートナーシップ(UPWARDS)」への参画について |
| 2023/5/16 |
KLAとimecが自動車産業の電動化推進に向けたMOUを発表 |
| 2023/5/8 |
ニコン、ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」を発売 |
| 2023/4/27 |
KOKUSAI ELECTRIC、砺波事業所(仮称)の安全祈願祭を実施 |
| 2023/4/26 |
ローツェ、せとうち半導体共創コンソーシアムについて |
| 2023/4/18 |
日立ハイテク、笠戸地区に半導体製造装置の新製造棟を建設 |
| 2023/4/11 |
2022年の世界の半導体装置ベンダーの収益ランキングトップ10 |
| 2023/4/10 |
Lam Research、AI研究によりチップイノベーションのスピードアップとコスト削減を実現する画期的な開発アプローチが特定 |
| 電子材料 |
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| 2023/11/22 |
ADEKA、「新研究棟」を建設New |
| 2023/10/31 |
富士紡HD、台湾における研究開発施設の設置について |
| 2023/10/19 |
コンテック、最新第13世代インテルCPU対応の産業用マザーボードを新発売 |
| 2023/10/12 |
エプソンアトミックス、55億円を投資し新工場の建設を開始 |
| 2023/9/5 |
OKI、信越化学のQST基板上でGaNの剥離／接合技術を開発 |
| 2023/9/5 |
信越化学、GaNパワーデバイスの真の社会実装に向けて、QST基板事業をさらに推進 |
| 2023/8/8 |
東京応化工業、TOK尖端材料株式会社における新検査棟の建設 |
| 2023/8/8 |
東京応化工業、熊本県菊池市における阿蘇工場 阿蘇くまもとサイト新設 |
| 2023/8/8 |
東京応化工業、郡山工場における製造棟新設 |
| 2023/6/23 |
東京応化工業と東京工業大学、 「東京応化工業未来創造協働研究拠点」設立 |
| 2023/6/21 |
RF GaN: 通信インフラが主導権を握る、Yole |
| 2023/6/21 |
大王製紙、CNF半導体材料の開発に着手 |
| 2023/6/16 |
経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定
(レゾナック/住友電工/新光電工/高圧ガス工業/住友商事) |
| 2023/6/1 |
ADEKA、半導体/中期経営計画 |
| 2023/5/25 |
ADEKA、千葉工場 最先端フォトレジスト向け光酸発生剤 生産設備が竣工 |
| 2023/5/25 |
電子デバイス産業新聞、第29回「半導体・オブ・ザ・イヤー2023」発表 |
| 2023/5/25 |
Orbray、秋田県湯沢市に新本社及び新工場を建設 |
| 2023/5/24 |
Orbray、2インチ超高純度ダイヤモンドウェハの量産に成功 量子コンピュータの実現に目途 |
| 2023/5/16 |
富士フイルム、台湾に最先端半導体材料の工場を新設 |
| 2023/5/10 |
富士フイルム、米国の半導体材料メーカーEntegrisの半導体用プロセスケミカル事業を買収 |
| 2023/5/10 |
Entegris、台湾の高雄に最先端の製造施設を開設 |
| 2023/4/28 |
富士フイルム、欧州の半導体材料工場の製造設備を増強 |
| 2023/4/28 |
経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定(イビデン) |
| 2023/4/27 |
ADEKA、先端半導体メモリ向け高誘電材料 生産設備を増強 |
| 2023/4/27 |
AGC、EUV露光用フォトマスクブランクスの生産能力を増強 |
| 2023/4/5 |
京セラ、長崎県諫早市の新用地取得に関する立地協定の締結 |
| 2023/4/4 |
レゾナックグループ、本社オフィスの統合・移転 |
| 2023/4/4 |
レゾナック、半導体パッケージ用接着フィルムの生産能力を約1.6倍に増強 |
| 2023/3/31 |
レゾナック、パワー半導体用SiCエピウェハーがデンソー製インバーターに採用 |
| 2023/3/27 |
関西学院と豊田通商、産学連携でSiCパワー半導体ウエハーの研究開発会社を設立 |
| 電子機器 |
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| 2023/11/6 |
京セラ、「京セラロボティックサービス」2023年11月6日から提供開始 |
| 2023/9/14 |
世界のApple iPhone出荷台数と市場シェアを分析、Tech Insights |
| 2023/8/3 |
インドのスマートフォン市場、23年上半期に6,400万台で前年比10%減少、IDC |
| 2023/4/14 |
ノートブックの世界的な需要は2Q23のQoQで11%成長すると予測、TrendForce |
| 自動車 |
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| 飛行体 |
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| I o T |
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| 興味 |
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| 2023/10/6 |
米商務省産業安全保障局、エンティティリストへのエンティティの追加 |
| 2023/8/28 |
ライモンド長官と中華人民共和国の王文濤商務大臣との会談 |
| 2023/6/17 |
【6月17日更新】くまもと臨空テクノパーク用地分譲企業を募集します |
| NHK熊本 |
半導体関連ニュースNew |
| テレビ熊本 |
半導体関連ニュースNew |
| 全国 |
半導体関連ニュースNew |
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| 概要 |
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| 12/8：ロームと東芝デバイス＆ストレージが共同で進める「パワー半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定 |
ロームと、東芝デバイス＆ストレージが、共同で申請していたパワー半導体に関する製造連携及び量産投資計画が、経済産業省の「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画（供給確保計画）」として認定された。本計画は、ロームが SiCパワー半導体、東芝デバイス＆ストレージが Siパワー半導体への投資を重点的に行うことで効率的に供給力を拡大しそれを相互に活用する、製造に関する連携を行う。
ロームは省エネ化のキーデバイスとして期待されるのが SiC パワー半導体。世界で初めてSiC MOSFETの量産を開始して以来、常に業界をリードする技術開発を進めており、最新の第
4 世代 SiC MOSFET は、数多くの電気自動車や産業機器等への採用が予定。また、急拡大する SiC 需要に応えるため、生産能力増強に積極的かつ継続的な投資を計画する等、重点事業の一つとして取り組んでいる。
東芝デバイス＆ストレージは、車載、産業向けを中心に Si パワー半導体を長年供給し、あらゆる電気機器の省エネ化・小型化に貢献してきた。昨年より300mmウエハを用いた生産を開始するとともに、引き続き旺盛な需要に応えるべくさらなる生産能力増強に取り組んでいる。また、SiC
パワー半導体についても研究開発を加速しており、鉄道向けで培ったノウハウを活用し、車載や送配電分野などに向けた製品ラインアップ拡充に努めている。
ロームは東芝の非公開化に際して出資をしが、本出資により、今般の両社による製造連携に至ったものではない。半導体産業における国際的な競争環境が激化する中、ロームと東芝デバイス&ストレージでは、かねてよりパワー半導体事業における連携を検討し、このたびの共同申請となった。
＜認定された供給確保計画の概要＞
| 事業者名 |
ローム株式会社、ラピスセミコンダクタ株式会社、
東芝デバイス＆ストレージ株式会社、加賀東芝エレクトロニクス株式会社 |
| 事業総額 |
3,883億円
（うちローム/ラピスセミコンダクタ：2,892 億円
東芝デバイス＆ストレージ/加賀東芝エレクトロニクス：991 億円） |
| 最大助成金額 |
1,294 億円 （上限：対象事業総額の 1/3） |
| 生産場所 |
ラピスセミコンダクタ宮崎第二工場（SiC パワー半導体、SiC ウエハ）、
加賀東芝エレクトロニクス（Si パワー半導体） |
| 内容 |
SiC パワー半導体、Si パワー半導体及び SiC ウエハの国内における
生産能力の強化 |
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| 12/6：ニコン、ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」を発売 |
クリティカルレイヤー向けの最上位機種、半導体デバイスの三次元化にも貢献
ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」
ニコンは、ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」を発売します。ニコン史上最高の生産性を誇り、重ね合わせ精度とスループットを高レベルで両立したクリティカルレイヤー向けの露光装置で、最先端半導体デバイスにおける三次元化など、多様化するデバイス構造への課題に対するソリューションを提案する。
発売概要
商品名：ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」
発売時期：2024年1月
主な性能
解像度：≦38 nm
NA（開口数）：1.35
光源：ArFエキシマレーザー（波長：193 nm）
縮小倍率：1:4
最大露光領域：26 mm x 33 mm
重ね合わせ精度：MMO：≦2.1 nm
スループット：≧280 wafers/hour (96 shots)
INDEX
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| 12/5：ローム、Quanmaticと量子技術による製造工程最適化の実証完了 |
大規模半導体製造工場では世界初※の成果、2024年4月にEDS工程*1で本格導入を目指す
ロームは、2023年1月よりQuanmatic（クオンマティク）と協働で、半導体製造工程の一部であるEDS工程に量子技術を試験導入し、製造工程における組合せ最適化を目指す実証を進めていた。このたび生産効率改善において一定の成果が得られ、2024年4月に本格導入を目指す。なお、半導体製造工場の大規模量産ラインにおいて、量子技術による製造工程の最適化を実証したことは世界初の成果。
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| 12/5：アルプスアルパイン、退職した元従業員の逮捕について |
この度、当社を退職した元従業員が、不正競争防止法違反の容疑で警視庁に逮捕された。
当社では、当該元従業員による当社の技術情報の不正な取得を検知した後、直ちに調査を実施した。その結果より当該元従業員の故意による不正行為と判断し、警視庁に通報し、刑事告訴した。今後も、全容の解明に向けて、捜査に全面的に協力する。
現在、捜査が行われているため、本件に関する詳細の公表は控える。
当社は、従前より ISO27001 に準じた情報セキュリティシステム（ISMS）標準を整備し、情報管理体制を構築してきたが、本件を踏まえ、従業員等に対するコンプライアンス教育の徹底を図りつつ、引き続きかかる体制の強化に努める。
今後、当社から公表すべき事柄が発生した場合には、速やかに開示する。
参考
日本経済新聞：営業秘密持ち出し疑い、ホンダへ転職 中国籍の男を逮捕
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| 12/4：Gartner、世界の半導体売上高が 2024 年に 17% 増加すると予測 |
・半導体の収益は2024年に総額6,240億ドルに
・半導体の売上高は2023年に11%減少する見通し
・サーバーへのワークロード アクセラレータの導入は 2027 年までに 20% 以上に増加
図 1. 世界の半導体収益予測、2021 ～ 2025 年 (数十億米ドル)
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| 12/1：ジェイ・イー・ティ、Rapidusから次世代半導体製造技術の研究開発業務受託 |
１．受託業務の概要
受託先との守秘義務契約より、取引内容の詳細等については未公表
２．今後の見通し
当社は、Rapidus にて計画されている半導体製造ラインへの当社装置の納入を目指す
３．業績への影響
本件による当社の2023年12月期の連結業績への影響は軽微。
【Rapidus 株式会社 概要】
（１） 所在地：東京都千代田区麹町 4 丁目 1 番地 麹町ダイヤモンドビル 11 階
（２） 代表者：代表取締役社長 小池 淳義
（３） 事業内容：半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売他
（４） 資本金：73 億 4,600 万円（2022 年 11 月時点。資本準備金の額を含む。）
（５） 設立年月日：2022 年 8 月 10 日
参考
ジェイ・イー・ティの製品、「半導体洗浄装置」
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| 11/30：Amkor、米国に先進的なパッケージングおよびテスト施設を発表 |
Amkorは、新しい高度なパッケージング施設をアリゾナ州ピオリアに建設することで、強靱な国内半導体サプライチェーンを実現する。
プロジェクトが完全に完了するまでに、Amkorは20億ドルを投資、新しい施設では2,000人が雇用される。
Amkorは、米国に本社を置く唯一の OSAT (外部委託半導体アセンブリおよびテスト) サービス プロバイダーです。完成すれば、これは米国最大のアウトソーシング先進パッケージング施設となる。
新しい製造拠点は独自の位置にあり、Amkor、TSMC、Intel、AMAT、ASMLなどを含む、フロントエンド ファブ、IDM、およびこの地域で現在または拡大中のサプライヤーの強力となる。
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| 11/29：淀川ヒューテック、熊本にフッ素樹脂製品工場建設、25年操業へ |
半導体製造装置向け部品メーカーの淀川ヒューテックは、熊本県益城町に主力のフッ素樹脂製品の工場を建設し、生産能力を2倍に引き上げることを明らかにした。投資額は約44億円で、2025年3月の操業開始を目指す。隣接する菊陽町でTSMCの工場完成が近づき、周辺地域で関連産業の集積が続くなか、需要拡大に備える。
淀川ヒューテックは、益城町などと立地協定を熊本市内で結んだ。熊本空港にほど近い県営工業団地「臨空テクノパーク」のうち、3万m2の用地を取得する。
新工場は2階建てで、延べ床面積約9000m2。24年1月の着工を見込んでおり、半導体製造装置メーカー向けにフッ素樹脂を使った角槽やチューブを生産する。
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| 11/29：宮城県、半導体産業の振興に向けた体制の整備について |
半導体関連産業の立地・集積を推進するため誘致に取り組んでいたが、このたび、JSMC株式会社による半導体製造工場の建設予定地が第二仙台北部中核工業団地に決定した。今後、工場の建設と操業が円滑に進むよう支援し、半導体産業の一層の振興を図るため、専任の組織を下記のとおり経済商工観光部内に設置することにした。
詳細については別紙（PDF)
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| 11/28：北海道経産局、半導体関連産業 魅力発信事業第2弾 高校生・小学生向け出前授業を実施 |
■開催概要
＜高校生向け魅力発信授業＞
公立千歳科学技術大学や半導体・電子デバイス関連の企業から、道内高校生に向けて、半導体の基礎、企業概要や仕事の内容等について講演を行い、半導体や電子デバイスの理解を深め、将来の進路選択に役立ててもらうことを目的とした授業。
・【日時】2023年12月14日（木）13:20～14:10
【対象】北海道千歳高等学校 2年生
【協力機関】公立千歳科学技術大学
・【日時】2023年12月21日（木）13:20～15:10
【対象】北海道札幌工業高等学校 電気科1年生
【協力機関】デンソー北海道、パナソニックインダストリー、ミツミ電機
・【日時】2024年1月または2月予定
【対象】北海道札幌琴似工業高等学校、北海道苫小牧工業高等学校
【協力機関】デンソー北海道、パナソニックインダストリー、ミツミ電機
＜小学生向け体験型理科授業＞
デンソー北海道の社員が学校に赴き、小学生に科学の面白さを知ってもらい、理科への関心を高めてもらうことを目的とした取組。当日は、永久磁石の性質、電磁石の性質など実験道具を用いた体験、リニアモーターカーの実演と、プラレール（モーター駆動）との比較やドローンの実演などを予定。
・【日時】2023年12月18日（月）13:20～14:05
【対象】千歳市立泉沢小学校 3年生
【協力機関】デンソー北海道
・【日時】2023年12月21日（木）9:25～10:10
【対象】千歳市立向陽台小学校 5年生
【協力機関】デンソー北海道
・【日時】2023年12月21日（木）10:35～11:20
【対象】千歳市立向陽台小学校 6年生
【協力機関】デンソー北海道
■訪問先概要
(株)デンソー北海道
自動車部品総合メーカー、2009年に千歳市で操業開始。自動車用半導体センサの設計や自動車の安全性、快適性を高める自動車搭載用の半導体センサを生産しています。
パナソニックインダストリー(株)
千歳拠点では、主にノイズソリューション、熱ソリューションに係る製品を製造。ノイズソリューションは、発電所、産業機器から一般家電、また車載まで幅広く、あらゆる電子機器を落雷や静電気などの異常電圧から保護するデバイス、また、熱ソリューションは、伝熱シート、超小型温度検知デバイスを、それぞれ拠点で設計・開発から生産をしています。
ミツミ電機(株)
ミネベアミツミ(株)のグループ企業、ミツミ電機(株)千歳事業所はグループ最大の半導体前工程製造拠点。普段使用している電化製品や自動車、OA機器などには、千歳事業所で製造している半導体が数多く使用されています。
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| 11/22：菊池市、日本電子材料の工場増設に伴う立地協定式を開催 |
～生産能力向上のため本市にある熊本事業所を増設～
日本電子材料は、中長期的な半導体及びプローブカードの市場拡大を見据え、生産能力の強化を図るため、菊池市にある熊本事業所の増設を決定した。
以下のとおり立地協定式を開催。
１ 立地協定式
(１)日 時 11月27日（月）午前10時～
(２)場 所 熊本県庁 本館５階 審議会室
(３)出席者 日本電子材料代表取締役社長 坂田輝久
菊池市長 江頭実
熊本県商工労働部長 三輪孝之（立会人）
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| 11/22：ADEKA、「新研究棟」を建設 |
～イノベーティブな新製品創出の場となる研究開発体制を構築～
ＡＤＥＫＡは、情報・電子化学品分野の研究開発力強化を目的に、久喜地区開発研究所内に新研究棟の建設を決定した。
総工費は約100億円で、2026年1月に完工予定。
ＡＤＥＫＡ 久喜地区開発研究所「新研究棟」完成予想図
| 所在地 |
埼玉県久喜市菖蒲町昭和沼20 |
| 総工費 |
約100億円 |
| 規 模 |
地上７階建 鉄骨造 |
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建築面積： 1,932平方メートル／延床面積：11,567平方メートル |
| 主な施設 |
研究所実験室、クリーンルーム、分析室、会議室 他 |
| 施 工 |
株式会社大林組 |
| スケジュール |
着工：2024年４月 完工：2026年１月（予定） |
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| 11/17：Rapidus、Tenstorrent社とIPのパートナーシップで合意 |
～2ナノロジック半導体をベースにしたAIエッジデバイス領域の開発を加速～
Rapidusは、AIのためのコンピュータを構築する次世代コンピューティングカンパニーであるテンストレント（Tenstorrent Inc.
本社: カナダ トロント）と、２ナノロジック半導体をベースにしたAIエッジデバイス領域での半導体IPのパートナーシップに関して合意した。
テンストレントはRISC-Vプロセッサ及びAI向けコンピュータを構築する次世代コンピューティングカンパニー。今回のRapidusとのIPパートナーシップ合意により、今後さらに進展するデジタル社会に対応した、最新鋭のエッジデバイス開発を加速させていく。
Rapidusは、北海道・千歳市において、国内初となる２nm以下の最先端ロジック半導体を製造する施設・IIM(Integrated Innovation
for Manufacturing)の建設を、今年９月から開始した。Rapidusは並行して現在、世界最先端の半導体研究拠点の一つである米国ニューヨーク州のAlbany
Nanotech Complexに研究員を派遣し、IBMとの協働により、2nmのロジック半導体生産に関する技術開発を進めている。また、imecにおいて、最先端半導体の生産に不可欠なEUV露光装置の技術を習得する予定。こうした技術を活用し、IIM-1において2025年4月にパイロットラインを稼働し、2027年には量産を開始する計画。
現地時間11月16日に行われた調印式。
左からTenstorrent Inc. Jim Keller CEO、Rapidus代表取締役社長 小池淳義
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| 11/16：経産省、西村経産大臣が第2回日米経済政策協議委員会(経済版「2＋2」)に出席し、共同声明を発出 |
4閣僚は、これまでの経済版「2＋2」の成果を歓迎するとともに、国際情勢が厳しさを増す中で、普遍的価値を共有する日米が、経済秩序への脅威に対峙し、経済安全保障の強化に向けて協力することの重要性について指摘した。
その上で、4閣僚は、インド太平洋地域におけるルールに基づく経済秩序の強化、経済的強靱性の強化及び重要・新興技術の育成・保護の2つの議題について議論を行った。
1．インド太平洋地域におけるルールに基づく経済秩序の強化
2．経済的強靱性の強化及び重要・新興技術の育成・保護
次世代半導体やAI、量子等の重要・新興技術について、今後の協力の方向性について議論。同日、産業技術総合研究所と米国の国立標準技術研究所（NIST）との間で、両機関の量子協力に係る包括研究協力覚書について署名されたことを歓迎、この分野の日米協力の加速について一致した。また、AIについては、生成AI向け先端半導体の利用可能性の拡大に向けた協力でも一致した。
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| 11/14：中国の半導体工場は44ヵ所、将来的には32ヵ所に拡大、主に成熟プロセスがターゲット |
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| 11/14：ルネサス、INCJによるルネサスの株式売却について |
ルネサスは、INCJが所有するルネサスの全株式を本日付けで、INCJが売却した。
ルネサスは、2013年9月30日に、INCJ等を割当先とする第三者割当増資を実施し、同日時点でINCJのルネサスの全株式における所有割合は、69.15％となった。2017年よりINCJはルネサス株式の売却を段階的に開始し、2023年11月13日時点での所有割合は7.38％に低。本売却完了により、INCJの所有割合は0.00％となる。
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| 11/14：経産省、西村経産大臣が、AI・半導体企業トップとの意見交換会に出席 |
米国サンフランシスコ市内で、GX、DX、経済安全保障の確立に不可欠なAIや半導体分野における世界トップ企業と、日米連携の具体的なプロジェクトに関する今後の取組について、意見交換会を開催し、西村経産大臣が出席。
この意見交換会には、
AMD リサ・スーCEO
NVIDIA ジェンスン・フアンCEO
Rapidus 小池淳義CEO
Supermicro チャールズ・リアングCEO
Tenstorrent ジム・ケラーCEO
Western Digital デイビッド・ゲックラーCEO
Apple デイビッド・トムVP
Microsoft アントニー・クックCVP
が出席し、各社からはAIや次世代半導体に関する最新動向について説明するとともに、各社の今後の日米連携プロジェクトに関する前向きな取組の意思表明があった。
西村大臣は、日本が受ける大きな期待に触れるとともに、各社からの提案について、しっかりと協力・支援することを検討し、日米連携の具体的なプロジェクトを強力にサポートしていくと述べた。
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| 11/8：Vishay Intertechnology、NexperiaのNewportウェーハ工場を1億7,700万ドルで買収へ |
Vishay IntertechnologyとNexperiaは本日、Vishay が英国サウスウェールズ州ニューポートにある Nexperia
のウェーハ製造施設と事業を現金1億7,700万ドルで買収する契約を締結した。
28エーカーの敷地にあるニューポート ウェーハ工場は、主に自動車市場に供給する自動車認定の200mm半導体ウェーハ工場です。
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| 11/7：ローム、ソーラーフロンティア 旧国富工場の取得完了 |
ラピスセミコンダクタ 宮崎第二工場として稼働予定
ラピスセミコンダクタ 宮崎第二工場
ロームは、ソーラーフロンティアと締結した基本合意に基づき、本日、同社旧国富工場の資産を取得した。
本工場は、ロームの製造子会社であるラピスセミコンダクタの宮崎第二工場として整備・運営を行い、SiCパワー半導体の主力生産拠点として、2024年中の稼働を予定。
ラピスセミコンダクタ株式会社 宮崎第二工場 概要
所在地：宮崎県東諸県郡国富町田尻1815番地
敷地面積：約400,000m2
建物：延床面積 約230,000m2
取得価格：非開示
取得日：2023年11月7日
※一部敷地・建物については、ソーラーフロンティアが事業所として継続利用予定（貸与）
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| 11/7：世界のSSD出荷台数は2022年に前年比10.7%減の1億1,400万ユニットになると、Trendforce |
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| 11/6：京セラ、「京セラロボティックサービス」2023年11月6日から提供開始 |
AIと3Dビジョンで協働ロボットを知能化するクラウドサービス
京セラは、かねて開発を進めてきたAIと3Dビジョンで協働ロボットを知能化するクラウドサービス「京セラロボティックサービス」を、2023年11月6日（月）から提供開始する。
■京セラロボティックサービス概要編動画：https://www.youtube.com/watch?v=Vc9qd-CmblI
＜京セラロボティックサービスの概略＞
●京セラは、協働ロボットをAIと3Dビジョンで知能化するクラウドシステムを開発し、「京セラロボティックサービス」として提供開始。生産年齢人口の減少による生産現場における労働力不足問題の解決に貢献
●クラウドへの常時接続により協働ロボットの運用状況を常に管理するので、安定した継続運用を実現
●本サービスは、サブスクリプション形式で提供。利用状況に応じた柔軟な料金プランにより、生産現場への協働ロボットの導入を容易に
■京セラロボティックサービスの特長
（1）多品種少量生産における、ばら積みピッキング
（2）多品種少量生産における、トレーtoトレー整列配膳
京セラロボティックサービス活用編動画：https://www.youtube.com/watch?v=mVmL-1IB64c
（3）段取りがえの手間を軽減、時間を短縮
（4）クラウド常時接続による、品質維持・最適化
京セラロボティックサービスクラウド編動画：https://www.youtube.com/watch?v=j3qzfprIDSg
（5）サブスクリプション形式で提供
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| 11/6：村田製作所、福井県越前たけふ駅前に新たな研究開発拠点「セラミックコンデンサ研究開発センター」を 2026年4月に設立 |
福井村田製作所は、福井県越前たけふ駅前に新たな研究開発拠点「セラミックコンデンサ研究開発センター」を設立する。2023年11月より工事を着手し、開業は2026年４月を予定。
「セラミックコンデンサ研究開発センター」の設立は、村田製作所の主力事業であるセラミックコンデンサの開発・製造における技術力の向上を目的。研究開発に特化した最先端の環境を整備することで、よりハイレベルな研究開発業務および技術者の育成を図る。また、当社他事業所や協力会社とも連携し、商品開発から量産に至るまで、生産プロセス全体におけるモノづくり力の強化を目指す。
当社は今後も技術力の強化を推進していくことで革新的な製品・技術を社会に提供し、エレクロトニクス市場のさらなる発展に貢献。
概要
■施設概要
敷地面積：55,075m2
延床面積：42,071m2
規模 ：鉄骨造、地上5階
■建設予定地：福井県越前市大屋町
■工事期間：着工2023年11月、竣工2026年1月（予定）
■投資総額：約350億円（土地・建物費用）
■従業員数：約800名（将来予定）
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| 11/6：Micron、台中第4工場がオープン |
台湾Micron、台中第4工場の開所式でのVIPらの集合写真
米国の大手メモリメーカーであるマイクロンは6日、「台中第4工場」を開設した。2021年の台中后里A3工場の開設に続き、台中での存在感をさらに深めている。メロトラ社長CEOが自ら来台した。台中第4工場はAI世代のHBM3E（高帯域幅メモリ）生産拠点となり、長期稼働により地元に数千人の関連雇用機会が創出される。盧秀燕市長は、台中市はTSMCの第2フェーズの獲得に成功しただけでなく、マイクロンからの追加投資も受けており、「1つの光学と1つのエレクトロニクス」のビジネスチャンスは無限であると述べた。
INDEX
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| 11/5：TI、米国ユタ州リーハイで新しい300mm半導体ウエハファブの起工式を開催 |
TIは、米国ユタ州のアルパイン学区と協力し、同学区全体を対象としたユタ州初の K-12 STEM ラーニング コミュニティ創設の計画を発表
TIの社長兼 CEO のイランと米国ユタ州のコックス知事（中央）は、
TI 関係者やコミュニティのリーダーとともに、米国ユタ州リーハイで行われた
TI の 2 番目の 300mm 半導体ウエハファブの起工式に出席
TIは、米国ユタ州リーハイで新しい 300mm 半導体ウエハファブの起工式を開催。米国ユタ州のコックス知事と、州政府および地方政府選出の議員、さらにコミュニティのリーダーとともに、TI
の社長兼CEOであるイランは、新たなファブである LFAB2 の建設へ向けた最初の一歩を祝った。この新しいファブは、リーハイにある既存の 300mm
ウエハファブとの連携を予定。完成後、ユタ州にある TI の 2 棟のファブは、フル稼働時に、1 日あたり数千万個のアナログおよび組み込みプロセッシング
チップを製造する予定。
米国ユタ州リーハイでの建設を予定している
テキサス・インスツルメンツの 2 番目の 300mm 半導体ウエハファブLFAB2 の初期計画
次世代を担う半導体製造施設を構築
LFAB2 は TI の既存の 300mm ウエハファブを補完する見込み。これらに該当するのは、LFAB1（ユタ州リーハイ）、DMOS6（テキサス州ダラス）、RFAB1
と RFAB2（いずれもテキサス州リチャードソン）。TI は、テキサス州シャーマンに新しい 4 棟の 300mm ウエハファブ（SM1、SM2、SM3、SM4）も建設中であり、早ければ2025
年には最初のファブでの製造が開始される見込み。
TI の米国ユタ州拠点の詳細：
B ロール ビデオとイベントや拠点の画像
TI の 300mm 製造ロードマップ
INDEX
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| 11/3：中国商務省、王文涛大臣がマイクロン・テクノロジーのサンジェイ・メロトラ社長兼CEOと会談 |
11月1日、王文涛商務大臣はマイクロン・テクノロジー社長兼CEOのメロトラ氏とその代表団と会談。王文濤氏は、中国は断固として高レベルの対外開放を推進し、外資環境を常に最適化し、外資企業に対するサービス保証を提供すると述べた。私たちは、マイクロンが引き続き中国市場に根付き、中国の法律や規制を遵守しながらより良い発展を遂げることを歓迎。サンジェイ・メロトラ氏はマイクロン・テクノロジーの事業展開を紹介し、今後も中国への投資を拡大していく意欲を表明した。
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| 11/3：ミニLED製品の出荷は2024年に1,379万個に回復、2027年まで継続的な成長、Trendforce |
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| 11/2：ミネベアミツミ、日立パワーデバイスの株式取得（子会社化）及び事業譲受に関するお知らせ |
ミネベアミツミは、日立製作所から、株式会社日立パワーデバイスの株式を取得し子会社化すること及び日立製作所グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業を譲り受けることを決定し、本日付で日立製作所と株式譲渡契約を締結した。
株式の取得及び事業譲受の理由
当社は、超精密加工技術や大量生産技術等の当社の強みを発揮でき、且つ簡単に無くならない製品をコア事業「8本槍」として位置付けると共に、これらを相合することにより新たな価値をお客様に提供していくことを基本戦略としている。パワー半導体も手掛ける当社のアナログ半導体事業はこの8本槍の一つであり、リチウムイオン電池保護IC、電源IC、タイマーIC、MEMSセンサー、磁気センサー、車載用メモリー等のみならず、IGBTをはじめとするパワー半導体領域においても更なる事業拡大を志向し、売上高800億円規模から2030年度にはM&Aも含めて3,000億円への成長を目標とし、一層の事業規模の拡大と事業価値の向上を目指している。
従来のチップ製造に加え、パッケージ及びモジュールの後工程技術および生産能力を取得でき、「パワー半導体を開発から一貫生産できる垂直統合型のビジネス展開」が可能となる。統合による技術陣容の強化に加え、日立パワーデバイスの誇るSG-IGBTを含むユニークな技術と当社のチップ製造技術の相合により、SiパワーデバイスにおいてもSiCに近い性能を実現することや、日立パワーデバイスのSiC技術者集団が持つ高耐圧SiC技術を活かしたSiCパワーデバイス事業の発展など、パワーデバイス事業と既存当社内事業のシナジー効果を発現させ、パワー半導体市場をリードできる競争力のある企業への躍進を図る。
従前より当社は日立パワーデバイスの前工程Fabとして製造受託しており、さらに、SG-IGBTは既に当社滋賀工場で試作中でありますので、垂直統合で統合初日より付加価値を取り込めるものと考えております。
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| 11/1：SIA、9月の世界半導体売上高は前月比1.9%増加 |
2023年第3四半期の世界売上高は2023年第2四半期比6.3%増、2022年第3四半期比4.5%減
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| 10/31：富士紡HD、台湾における研究開発施設の設置について |
主力の研磨材事業の拡大に向けて、当社連結子会社である台湾富士紡精密材料股イ分に、最先端の研究開発施設を新たに設置する。
１．施設概要
（１）名称 台湾富士紡精密材料股イ分有限公司 研究開発センター（仮称）
（２）所在 台湾新竹市周辺を予定
（３）設置目的 研磨材等の開発
（４）投資総額 約５７億円
（５）稼働開始予定 2026年秋頃
（注）現時点の予定であり、土地・施設設置に係るスキームの変更に応じて変動する可能性がある。
２．目的
半導体市場は、５G・６G による通信の高速化・大容量化、AI・メタバース・IOT の普及等に伴って、2030 年には、現状比約 2 倍の 100 兆円規模と高性能化が見込まれる。
半導体デバイス製造工程に使用する超精密加工用研磨材製品を展開しており、微細化が進展する半導体デバイスの CMP用途の拡大に向けて、最先端の半導体関連企業が集積する台湾に、研究開発施設を設置する。
施設内に研磨装置・評価機器等を設置して、顧客とほぼ同等の CMP 環境を実現、顧客要望にきめ細かく対応して、高性能・高品質の研磨材製品開発を推進する。
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| 10/31：日本は半導体の設備と原材料における優位性を活かし、九州、東北、北海道の主要企業の戦略、Trendforce |
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| 10/19：ディスコ、「羽田R&Dセンター」新棟建設を決定 |
ディスコは、「羽田R&Dセンター」に新棟を建設することを決定。2025年4月より着工、2027年3月末に竣工予定。
これにより研究開発（R&D）機能のさらなる強化を図り、今後の半導体・電子部品市場におけるニーズに対応可能とする。
羽田R&Dセンター新棟 概要
| 建物構造 |
SRC造・免震構造、8階建 |
| 延床面積 |
約22,300 m2 |
| 建築面積 |
約4,500 m2 |
| 着工予定 |
2025年4月 |
| 竣工予定 |
2027年3月末 |
| 投資額 |
約128億円 （既存棟の解体費含む。全額自己資金※） |
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| 10/19：コンテック、最新第13世代インテルCPU対応の産業用マザーボードを新発売 |
コンテックは、インテル社の最新世代 CPU である第13世代 インテル Coreプロセッサに対応した産業用マザーボード「型式: GMB-AH61000」を開発、2023年10月19日より受注を開始した。
GMB-AH61000
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| 10/19：Infineon、現代自動車および起亜自動車とパワー半導体の複数年供給契約を締結 |
Infineonは、現代自動車および起亜自動車とSiCおよびSiパワー半導体の複数年供給契約を締結した。Infineonは、2030年まで現代および起亜自動車にSiCおよびSiパワーモジュールとチップを供給するための製造能力を構築し、確保します。現代および起亜自動車は、この製造能力の増強と確保を資金面で支援する。
写真左から: Mr. Jason Chae (Vice President of the Semicon Strategy Group at Hyundai Motor Company), Mr. Heung Soo Kim (Executive Vice President and Head of Global Strategy Office at Hyundai Motor Group), Mr. Peter Schiefer (President of Infineon's Automotive Division), Mr. Peter Schaefer (Executive Vice President, Sales, Marketing and Distribution of Infineon's Automotive Division)
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| 10/18：成熟したプロセス能力における中国のシェアは2023年に29%に達し、2027年までに33%に上昇すると予測、Trendforce |
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| 10/18：ソシオネクスト、2nmプロセスのマルチコアCPUチップレット開発でArmおよびTSMCと協業 |
最新の Arm Neoverse CSS、TSMC のプロセスおよび先端パッケージング技術を活用
次世代コンピュート・チップレットベースの PoC を提供
ソシオネクストは、TSMCの2nmプロセステクノロジーを用いた革新的な 32 コア CPU チップレットの開発において、Arm および TSMC
と協業する。これにより、大規模データセンター用サーバー、5/6G インフラストラクチャー、DPU、ネットワーク・エッジ市場向けにスケーラブルなパフォーマンスを提供する。
エンジニアリングサンプルの提供は、2025年上期を目標。
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| 10/17：TrendForce 2024:革新的なテクノロジートレンドの波に乗る |
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| 10/13：ロームグループ マレーシア工場に新棟竣工 |
需要が拡大する絶縁ゲートドライバICを中心にアナログICの生産能力を強化
竣工式の様子
アナログICの生産能力強化のため、マレーシアの製造子会社であるROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（RWEM）に建設していた新棟が、完成し、竣工式を行った。
RWEMでは、これまでダイオードやLEDなど小信号デバイスを中心に生産しておりましたが、新棟ではアナログICの注力商品の一つである絶縁ゲートドライバの生産を予定。
絶縁ゲートドライバは、IGBTやSiCといったパワー半導体を最適に駆動させるためのICで、電気自動車や産業機器の省エネ、小型化を実現する上で重要な役割を果たすため、需要の拡大が期待される商品。
今回、生産能力強化を図るとともに、BCM（事業継続マネジメント）の観点からアナログIC生産工場の多拠点化を推進するため、RWEMとして初めてICの生産を開始する。
新棟は、さまざまな省エネルギー技術を用いた設備を導入し、環境負荷軽減（従来比CO2 約15%削減見込）に努めるとともに、最新の各種災害対策を導入することによりBCM体制の一層の強化を図っている。今後、製造装置の導入を進め、2024年10月より稼働予定で、RWEM全体の生産能力は最終的に約1.5倍になる見込み。
＜社名変更のお知らせ＞
RWEMは2024年1月に社名を「ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.」に変更する。竣工式では、社名変更のセレモニーも実施した。
新社名発表の様子
ローム・ワコー株式会社 名誉会長 吉岡 洋介 （右）
ローム株式会社 代表取締役社長 松本 功 （中央）
ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. 代表取締役社長 橋本 秀起 （左）
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| 10/13：キヤノン、ナノインプリントリソグラフィ技術を使用した半導体製造装置を発売 |
シンプルな仕組みで微細な回路パターン形成を実現し幅広い半導体製造を実現
ナノインプリント半導体製造装置“FPA-1200NZ2C”を2023年10月13日に発売。これまでの投影露光技術とは異なる方式でパターンを形成するナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を使用した半導体製造装置を市場投入することで、半導体製造装置のラインアップを拡充し、最先端から従来の半導体デバイスまでの幅広いユーザーのニーズに応える。
FPA-1200NZ2C
工場内のFPA-1200NZ2C
NILで形成した、半導体以外の 3次元立体微細構造の光学素子
（光を当てると分光する素子）
従来の投影露光装置は、ウエハー上に塗布されたレジストに光を照射し回路を焼き付けるのに対し、新製品はウエハー上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスクをハンコのように押し付けて回路パターンを形成。光学系がないため、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できる。そのため、複雑な2次元、3次元の回路パターンを1回のインプリントで形成することも可能で、CoOの削減に貢献。キヤノンのNIL技術は、既存の最先端ロジック半導体製造レベルの5nmノードにあたる最小線幅14nmのパターン形成ができる。さらに、マスクを改良し、2nmノードにあたる最小線幅10nmレベルの対応も期待。
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| 10/12：エプソンアトミックス、55億円を投資し新工場の建設を開始 |
- 環境ビジョン2050 「地下資源消費ゼロ」達成に向け、不要な金属を原料として資源化する金属精錬工場を八戸北インター工業団地に建設 -
セイコーエプソン（エプソン）のグループ会社であるエプソンアトミックス（アトミックス）は、建物・生産設備に約55億円を投資し、不要となった金属を金属粉末の原料として資源化する金属精錬工場の建設を開始する。
新工場は、2022年7月に八戸市と土地売買契約を締結した「八戸北インター工業団地16号区画」に建設する。本日地鎮祭を執り行い、2023年10月15日に着工、2025年6月の稼働を目指す。
アトミックスの新工場（完成イメージ）
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| 10/6：米商務省産業安全保障局、エンティティリストへのエンティティの追加 |
China
• Ace Electronics (HK) Co., Limited;
• Alliance Electro Tech Co., Limited;
• Alpha Trading Investments Limited;
• Asialink Shanghai Int’l Logistics Co., Ltd.;
• Benico Limited;
• C & I Semiconductor Co., Ltd.;
• Check IC Solution Limited;
• Chengdu Jingxin Technology Co. Ltd.;
• China Shengshi International Trade Ltd.;
• E-Chips Solution Co. Ltd.;
• Farteco Limited;
• Glite Electronic Technology Co., Limited;
• Global Broker Solutions Limited;
• Grants Promotion Service Limited;
• Guangdong Munpower Electronic Commerce Co. Ltd.;
• Huayuanshitong Technology Co. Ltd.;
• IMAXChip;
• Insight Electronics;
• Kingford PCB Electronics Co., Ltd.;
• Kobi International Company;
• Most Technology Limited;
• New Wally Target International Trade Co., Limited;
• Nuopuxun Electronic Technology Co., Limited;
• Onstar Electronics Co. Ltd.;
• PT Technology Asia Limited;
• Robotronix Semiconductors Limited;
• Rui En Koo Technology Co. Ltd;
• Shaanxi Yingsaeir Electronic Technology Co. Ltd.;
• Shanghai IP3 Information Technology Co. Ltd.;
• Shenzhen One World International Logistics Co., Limited;
• Shvabe Opto-Electronics Co. LTD.;
• Suntop Semiconductor Co., LTD.;
• Tordan Industry Limited;
• TYT Electronics Co. Ltd.;
• UCreate Electronics Group;
• Wargos Industry Limited;
• Win Key Limited;
• Xin Quan Electronics Hong Kong Co., Limited;
• ZeYuan Technology Limited;
• Zhejiang Foso Electronics Technology Co. Ltd.;
• Zixis Limited; and
• Zone Chips Electronics Hong Kong Co., Limited.
Estonia
• Elmec Trade OU.
Finland
• PT Technology Asia Limited.
Germany
• Interquest GmbH.
India
• Abhar Technologies and Services Private Limited;
• C & I Semiconductor Co., Ltd.; and
• Innovio Ventures.
Turkey
• LL Chip Elektrik Elektronic Paz; and
• Scitech Tasimacilik Ticaret Limited.
UAE
• Hulm al Sahra Elect Devices TR.
United Kingdom
• China Shengshi International Trade Ltd.
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| 10/4：ルネサス、EdgeCortixと提携し、AI/ML開発を効率化 |
～戦略的提携により、ルネサスの組み込みプロセッサの幅広いポートフォリオに対応したユーザエクスペリエンスの統一化が進み、様々なプロセッサのアーキテクチャーもサポート〜
ルネサスは、エッジAIソリューションのリーディングプロバイダーであるEdgeCortixと戦略的な提携関係を締結。その一環として、ルネサスは、EdgeCortixの資金調達ラウンドに出資した。これにより、ルネサスはEdgeCortixの先進的な技術を独自に利用できる。
東京に本社を置くEdgeCortixは、エッジアプリケーション向けに、AIに特化した高速かつ低消費電力のプロセッサをソフトウェアファーストのアプローチで設計するという考えのもと発足したスタートアップ企業。独自開発のソフトウェアとAIチップ製品群は、AI推論タスクを超低消費電力かつ低レイテンシで実現します。主な製品は、マルチハードウェアプラットフォーム対応のコンパイラソフトウェアフレームワークであるMERA、実行時に再構成可能でスケーラブルなニューラルネットワークプロセッサIPであるDynamic Neural Accelerator（DNA）、電力効率の高いSAKURA AIコプロセッサの3製品。これらを組み合わせたソリューションは、エッジAIのリアルタイム処理に最適。また、EdgeCortixのソリューションは、既存のGPUやCPUと比較して10倍以上の処理性能と、最大50倍のエネルギー効率を実現する。
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| 10/4：Infineon、接続ポートフォリオを強化するために超広帯域の3db Accessを買収 |
Infineonが安全な低消費電力ウルトラのパイオニアであるチューリッヒを拠点とする新興企業 3db Access AG (3db) を買収した。 ワイドバンド (UWB) テクノロジーであり、現在ではすでに主要な自動車ブランドに好まれている IP プロバイダー。この買収により、安全なスマートアクセス、正確な位置特定、および強化されたセンシングのためのインフィニオンのポートフォリオがさらに強化される。Wi-Fi、Bluetooth
/Bluetooth を含む接続範囲に UWB を追加した。低エネルギーおよび NFC ソリューション。IoT ユースケースの最初のセットには、安全なアクセスと認証、正確な位置追跡と屋内ナビゲーション、および
UWB レーダー実装を利用した存在検出が含まれます。Infineonは同社の株式の100％を取得する。両当事者は取引額を開示しないことに同意した。
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| 10/3：Intel、PSGをスタンドアロン事業として運営する意向を発表 |
プログラマブル ソリューション グループ (PSG) のスタンドアロン オペレーションは、Intelからの継続的なサポートを受けて、2024年1月1日に開始される予定。2024年第1四半期の財務報告を発表する際に、PSG
を別の事業単位として報告する予定。
注記：PSGは旧AlteraのFPGA
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| 10/1：産総研、「先端半導体研究センター」を新たに設立 |
－研究開発から社会実装、人材育成までを担い、国内に先端半導体技術を確保－
・先端半導体向けの材料、デバイス、プロセス、設計、環境負荷評価の研究開発を実施
・ゲートオールアラウンド(GAA)構造を含む3次元デバイスを作製できる共用パイロットラインを運営
・研究開発と試作サービスを一体として実施するオープンイノベーション拠点として10月1日に設立
先端半導体研究センターの概要
当研究センターの特徴は、研究開発、共用パイロットラインの構築、社会実装、人材育成を一貫して推進する。特に研究開発は、以下の五つの課題に重点的に取り組む予定。
（１）2 nm世代で実用化されるゲートオールアラウンド(GAA)構造の電界効果トランジスタ(FET)の基盤技術と先端構造技術の確立
（２）2 nm世代以降に向けた極限デバイス・材料開発
（３）微細化によらずに性能を向上する3次元集積技術
（４）最先端システムオンチップ(SoC)設計
（５）半導体製造の環境負荷評価およびグリーン化
これらの開発には、共用設備であるスーパークリーンルーム(SCR)や未踏デバイス試作共用拠点(COLOMODE)、AIチップ設計拠点を主に活用します。これらの設備において、研究開発と試作サービス提供、人材育成を一体として実施することにより、先端半導体のオープンイノベーションを推進する中核拠点となることを目指す。
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| 9/29：Intel、オハイオ州に投資 |
2023年5月コンクリートの流し込み開始
オハイオ州リッキング郡に2つの新しい最先端チップ工場を建設するために200億ドル以上の初期投資を行う計画。この投資は、高度な半導体の需要の急増に対応するための生産の増加に役立ち、インテルの新世代の革新的な製品を強化し、インテルのIDM
2.0 戦略の一環としてファウンドリ顧客のニーズに応える。
完成予想
完成予想
オハイオ州史上最大の単独民間投資であるこのプロジェクトの初期段階では、建設期間中にインテルの雇用が 3,000 人、建設の雇用が 7,000 人創出され、さらに数万の追加の地元の長期雇用が支援されることが期待されています。サプライヤーとパートナーの幅広いエコシステム。
新しいサイトの開発を支援するために、インテルは教育機関とのパートナーシップに向けて追加で 1 億ドルを拠出して、この地域で人材のパイプラインを構築し、研究プログラムを強化する。
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| 9/29：Intel、アイルランドの新工場でインテル 4 テクノロジーの大量生産を開始 |
インテルは、EUVテクノロジーを使用するインテル 4 テクノロジーの登場と、ヨーロッパの大量生産 (HVM) におけるEUVの初使用を祝った。この重要な瞬間の到来は、AI
PC への道を切り開くインテルの次期インテルCore Ultra プロセッサーや、次世代インテルXeon プロセッサーのような製品。 2024年にインテル
3 プロセス ノードで生産される。
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| 9/22：浜松ホトニクス、代表取締役の異動並びに取締役候補者の選任及び執行役員人事(予定) |
9月22日開催の取締役会において、2023年12月中旬開催予定の第76期定時株主総会に付議する取締役候補者を決議した。あわせて代表取締役の異動及び執行役員人事（予定）を決議した。
１．代表取締役の異動
（１）異動の内容
| 氏名 |
新役職 |
元役職 |
| 晝馬 明 |
取締役会長 |
代表取締役会長 |
| 鈴木 貴幸 |
代表取締役 |
取締役 |
（２）異動の理由
経営体制のより一層の強化・充実を図る
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| 9/21：KOKUSAI ELECTRIC、新規上場承認に関するお知らせ |
KOKUSAI ELECTRICは、東京証券取引所より、当社株式の東京証券取引所プライム市場への新規上場を承認されましたことをお知らせいたします。なお、東京証券取引所プライム市場への上場日は2023年10月25日（水）を予定しており、同日以降は同取引所において、当社株式の売買が可能となる。
当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込め、新たな企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC
Way」を制定した。この企業理念の実現に向け、半導体製造装置専業メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み（環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化）の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざす。
9/21：KOKUSAI ELECTRIC、株式の売出しに関する取締役会決議のお知らせ
9/21：KOKUSAI ELECTRIC、2024年3月期の業績予想について
9/21：KOKUSAI ELECTRIC、中長期的な事業戦略および事業目標について
9/21：KOKUSAI ELECTRIC、コーポレート・ガバナンス報告書
⇒P13.大株主：AMAT=14.9997％
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| 9/21：東芝、ドイツに新技術拠点「Regenerative Innovation Centre」を開所 |
当社グループが経営方針に掲げるデジタル化を通じたカーボンニュートラル・サーキュラーエコノミー(CN・CE)の実現を加速するために、ドイツのデュッセルドルフに新しい技術拠点「Regenerative
Innovation Centre（リジェネラティブ・イノベーションセンター）」を開所した。
新技術拠点は、CN・CEに関わる技術開発や社会実装を重視する欧州地域の中核の技術拠点として、先端的な技術開発、当社グループが保有する技術の社会実証、標準化活動などをパートナーと共に推進する。これらの取り組みを通じて、欧州コミュニティへ参画、パートナーとの関係を深め、科学・工学・経済・社会などの多面的視点でCN・CEに関わる社会課題の解決に取り組み、欧州地域およびグローバル社会におけるCN・CE実現への貢献を目指す。
電池・半導体などの「デバイス分野」、再生可能エネルギー・水素・エネルギーマネジメントなどの「エネルギー分野」、CO2の除去に係る回収・輸送・貯留・利活用などの「カーボンネガティブ分野」、そして、エネルギー・CO2データなどを活用した「デジタルプラットフォーム分野」などの技術分野での活動を計画。
開所式の写真（株式会社東芝 執行役上席常務 CTO 佐田 豊 、アーヘン工科大学 Antonello Monti教授、 公益有限会社ヴッパータール研究所
Stephan Ramesohl教授、”Regenerative Innovation Centre” General Manager 鬼塚
浩平）
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| 9/21：世界トップ10のICハウスの第2四半期の収益は第3四半期に新記録樹立のペースで12.5%増加、TrendForce |
INDEX
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| 9/20：堀場エステック「京都福知山テクノロジーセンター」に新棟を増設 |
コア技術と次世代技術の両輪で研究開発能力を強化
HORIBAグループで半導体事業を手掛ける堀場エステックは、研究開発拠点である「京都福知山テクノロジーセンター」に新棟を増設する。現施設に隣接する土地は既に取得済みで、2024年1月に着工、2025年4月に竣工予定。
現在の京都福知山テクノロジーセンター
新棟建設後のイメージ図
【施設概要】
| 名称 |
堀場エステック 京都福知山テクノロジーセンター |
| 所在地 |
京都府福知山市三和町みわ11番1 |
| 敷地面積 |
9,457m |
| 延床面積 |
5,642m（2階建て）（増設前比で約4倍） |
| 着工 |
2024年1月 |
| 竣工 |
2025年4月（予定） |
| 投資額 |
約30億円（予定） |
| 従業員数 |
22名（2023年9月時点）
2028年に70名の体制をめざし、段階的な増強を進める |
| 事業内容 |
流体計測制御技術、液体気化技術に関わる研究開発 |
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| 9/19：国交省、令和５年都道府県地価調査の概要 |
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| 9/15：住友大阪セメント、半導体製造装置部品ＥＳＣの生産能力増強 |
住友大阪セメントは、市川事業所（千葉県市川市）において半導体製造装置の主要部品であるＥＳＣ(静電チャック）の生産能力増強工事・新製造棟の建設を着工した。
５Ｇ通信の普及やＤＸの進展、生成ＡＩや自動運転の拡大と今後も半導体需要は拡大する見込みであり、半導体製造装置市場においても、過去最高の市場規模となった２０２２年度を大きく上回る市場成長が２０２４年度以降に予想されている。
当社のＥＳＣは、高純度のＳiＣ超微粒子を原料とした高純度、高熱伝導、高耐電圧、高耐久性の特性を持ち、半導体製造装置の主要部品として数多く採用されているが、こうした市場成長に対応する為、約１２０億円を投じて新製造棟建設を含む生産能力増強投資を行い、生産能力を現状の約２倍に引き上げる。
【工事概要】
場 所 … 市川事業所（千葉県市川市二俣新町）
投資総額 … 約１２０億円
工事期間 … ２０２３年７月着工、２０２５年度竣工予定
【新製造棟イメージ】
ＥＳＣ(静電チャック)は、半導体製造工程において静電気力を用いてシリコンウェハを固定する部品で半導体製造装置の主要部品として使用されます。(Electrostatic Chuck)
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| 9/14：東京エレクトロン デバイス、事業譲受けに関するお知らせ |
取締役会において、日本エレクトロセンサリデバイスより、同社事業の一部である「ウェーハ検査装置事業」を譲り受けることについて決議した。
１．事業譲受けの目的
当社は、2020年よりウェーハ検査装置事業を開始し、日本国内を中心に販売活動を行っている。今後継続的な成長が見込まれる半導体製造装置市場において、ウェーハ検査装置の拡充及び検査技術の強化を行い、海外への事業展開を加速することで、将来の更なる事業領域の拡大と収益性の向上に資すると判断し、本事業を譲り受ける。
２．事業譲受けの概要
（１）譲受け部門の内容
ウェーハ検査装置事業
（２）譲受け部門の経営成績
契約上、相手先との守秘義務があるため非開示。。
（３）譲受け部門の資産、負債の項目及び金額
契約上、相手先との守秘義務があるため非開示。
（４）譲受け価額及び決済方法
譲受け価額は、当社及び第三者機関の算定結果を踏まえた上で、
事業譲受けの相手先との交渉により決定したが、契約上、相手先との
守秘義務があるため、金額については非開示。
決済方法は、現金決済となります。
３．相手先の概要
（１）名称：日本エレクトロセンサリデバイス株式会社
（２）所在地：大阪府大阪市西区立売堀 2-5-12
（３）代表者の役職・氏名：代表取締役社長 力身 総一郎
（４）事業内容：工業用カメラ及び画像処理検査装置の開発・製造・販売
（５）資本金：98,000千円
（６）設立年月日：1975年11月10日
（７）大株主及び持株比率 センチュリー総業株式会社：100％
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| 9/14：東芝デバイス＆ストレージ、役員人事について |
役員人事を内定した。
2023年10月1日付役員の異動
新任
取締役 栗原 紀泰
取締役 新木 裕之
2023年9月30日付役員の異動
退任
取締役常務 亀渕 丈司
取締役 岸本 憲治
取締役 宮森 高
取締役 野田 繁直
取締役 下川原 郁子
2023年10月1日以降の取締役および監査役は以下の通り予定。
代表取締役社長 佐藤 裕之［株式会社東芝］
取締役 森 誠一
取締役 犬窪 宣史 ［株式会社東芝］
取締役 栗木 裕志 ［株式会社東芝］
取締役 黒沢 伸
取締役 栗原 紀泰
取締役 新木 裕之［株式会社東芝］
取締役 佐田 豊［株式会社東芝］
監査役 岡田 浩樹
監査役 高岡 正実
監査役 中西 章［株式会社東芝］
注：
１．下線は変更箇所
２．［ ］内は兼職
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| 9/14：台湾Wenye、カナダFuture と提携してグローバル レイアウトを開始 |
Wenye Technologyは、38 億米ドルの株式を設立する正式契約に署名した。 enterprise Value を活用して、Future Electronicsの株式を100％現金で買収。相互補完性の高い2社の統合により、顧客、サプライヤー、従業員、株主を含むすべてのステークホルダーに長期的かつ持続可能な成長価値が創出されることが期待される。
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| 9/14：MEMS業界:過去20年間の革新と成長を振り返る、Yole |
新興デバイスの市場対応力の向上により、将来の MEMS 市場が推進される
デバイス数の増加とMEMS対応機能の増加によって市場が牽引されていることに加えて、近い将来、さらなる需要を促進する他のデバイスの市場採用も増加すると予想。
たとえば、MEMS マイクロスピーカーは設置面積が非常に小さいため可能性を秘めていますが、通常、低周波数では従来のテクノロジーほどのパフォーマンスは得られません。TWSヘッドフォンや補聴器などのマイクロスピーカー企業が性能を向上させ、設計上の勝利を達成し始めると、その容量により、従来のスピーカーと競合できるように価格が引き下げられる可能性がある。
さらに、新興システムが大量採用に近づくにつれ、MEMS の採用がさらに進むと予想。
2030 年には AR グラスが大量に登場するため、Yole Group は、LBS マイクロプロジェクション用の MEMS マイクロミラーが、microLED が実用化される前の一時的な解決策として機能すると期待。
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| 9/14：世界のApple iPhone出荷台数と市場シェアを分析、Tech Insights |
洞察と傾向 (2007-2024)
2024 年に予想される Apple のピーク市場シェア
注目すべき観察の1つは、Appleの市場シェアが2024 年にピークに達すると予想される。この予測によると、Appleは2012年の前回のピークを超え、史上最高の市場シェアを達成する準備ができている。この予測は、Apple の戦略と製品提供が世界中の消費者の共感を呼んでいることを示唆している。
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| 9/12：TSMC、臨時取締役会決議 |
TSMCは、臨時取締役会を開催し、以下の決議を可決した。
１．インテルから IMS Nanofabrication Globalの株式10%を4億3,280万米ドルを超えない
金額で購入することを承認した。
２．Armへの、IPO時のArmの株価に基づいて1億米ドルを超えない金額の投資を承認した。
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| 9/12：ソニーセミコン、業界最多有効1,742万画素の車載カメラ用CMOSイメージセンサーを商品化 |
ソニーセミコンは、業界最多となる有効1,742万画素の車載カメラ用CMOSイメージセンサー『IMX735』を車載カメラ用に商品化する。
本製品は、高度な検知・認識を可能にする車載カメラシステムを実現し、安心・安全な自動運転の実現に貢献する。
車載カメラ用CMOSイメージセンサー『IMX735』
| 型名 |
サンプル出荷時期
（予定） |
サンプル価格
（税込） |
1/1.17型（対角13.70mm）
有効約1,742万画素
CMOSイメージセンサー『IMX735』 |
2023年9月 |
30,000円 |
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| 9/12：GlobalFoundries、シンガポールに40億ドルの拡張施設を開設、1,000人の新規雇用を創出 |
GlobalFoundries (GF) は、シンガポールに 40 億米ドルを投じて拡張製造工場を開設した。23,000m2の工場はシンガポールに1,000人の高価値雇用を創出し、その95パーセントには装置技術者、プロセス技術者、エンジニアが含まれる予定。
拡張工場は年間45万枚のウェーハ（300mm）を生産し、GFシンガポールの全体の生産能力は年間約150万枚のウェーハ（300mm）に増加する。
シンガポールの半導体生産量は現在、世界の半導体市場の11％を占めている。
新しい施設の広さは23,000m2を超えるクリーンルームスペース。最初のツールは、起工式からわずか1年以内の2022年6月に施設に移動された。この建物の設計は持続可能性を優先して設計されており、管理棟と製造棟の両方がシンガポール建築建設局からグリーンマークゴールドのステータスを獲得。資源と廃棄物を管理し、水をリサイクルして再利用し、全体的なエネルギー効率を高めるための最新のテクノロジーとソリューションが装備されている。
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| 9/11：NANDフラッシュ価格は第4四半期に安定して回復し横ばい又は0～5％上昇すると予想、TrendForce |
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| 9/11：アナログ・デバイセズ、汐留に本社を移転 |
アナログ・デバイセズは、本社を東京汐留ビルディングに移転した。同拠点での営業は本日9月11日（月）より開始する。
アナログ・デバイセズは米国本社設立から5年後の1970年という非常に早いタイミングで開設した。これは当社にとって日本市場がいかに重要であるかを示している。当社は現在に至る50年以上の歴史を通じて、お客様の課題解決のための能力の進展を支援した。新本社では、お客様、そして社員同士のより良いコミュニケーションを醸成する場となるよう、一層業務に取り組む。
アナログ・デバイセズ株式会社 拠点概要
住所：〒105-7323 東京都港区東新橋1-9-1 東京汐留ビルディング23階
アクセス：JR、都営浅草線、東京メトロ銀座線「新橋駅」徒歩7分
都営大江戸線、ゆりかもめ「汐留」駅 徒歩1分
営業開始日：2023年9月11日
床面積：3447.79平方メートル
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| 9/11：Inventecとルネサス、車載ゲートウェイの概念実証機の共同開発で協業 |
～本技術提携により、次世代自動車の開発を加速～
Inventecの ChairmanであるSam Yeh（右）とルネサスのグローバル＆マーケティング本部のSenior DirectorであるDanny Chan（左）
ハイパワーサーバのグローバルリーダであるInventec（本社：台北）と、先進半導体ソリューションのトップサプライヤであるルネサスはこのたび、急成長するEV市場向けに車載ゲートウェイソリューションを共同で開発することに合意した。両社は、自動車OEMメーカやティア1サプライヤに向けて、業界をリードするルネサスのR-Car
SoCをベースとしたコネクテッドゲートウェイの概念実証機を開発する。
本協業により、ルネサスは、Inventecに最新のR-Car SoC、アナログ、パワー製品を提供するとともに、Inventecが次世代車載ゲートウェイシステムのPoCを開発するために技術サポートを行う。両社は今後、製品開発のロードマップ、市場動向、製品仕様などを定期的に共有します。Inventecは、コネクテッドゲートウェイ向けに、サイバーセキュリティに対応するOTA機能を搭載した第一弾のPoCを、2024年第2四半期に提供する予定。
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| 9/7：Vishay、メキシコのビシェイ新施設でパワーインダクタの製造能力を増強 |
ビシェイ・ラ・ラグナ、年末までに商用製品を発売予定
Vishay Intertechnologyは、メキシコのドゥランゴ州ゴメス・パラシオに新たな製造施設を開設し、ハンドヘルド機器、コンピューター、車載電子機器、その他多くの用途でエネルギーを蓄え、管理する小型電子部品であるパワーインダクタの量産を開始した。
新工場「La Laguna S. de R.L. de C.V.」は、18,000m2のLEED v4認証取得済み工場で、米国、イスラエル、中国の生産ラインを含むVishayのパワーインダクタ製造能力を大幅に増強。Vishay
La Lagunaでは、設備と生産ラインを設置し、2023年末までに商用製品を製造できるよう、現在、社内および国際規格の認証を実施しています。2024年には車載グレードのパワーインダクタを生産する予定
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| 9/5：韓国MSSとサムスン電子、有望なファブレス企業の育成に協力 |
中小企業創業部（MSS）はサムスン電子と提携し、8月29日に全国中小企業総連合会DMCタワーで「ファブレスチャレンジ」イベントを開催。このイベントは、有望なファブレス企業を発掘し、支援することを目的としている。
システム半導体のエコシステムを強化し、ファブレスとファウンドリの協業成長を促進することを目的として、2022年から毎年「ファブレスチャレンジ」が開催されている。専門家による書類やプレゼンテーションによる評価を含む広範な評価プロセスを経て、今年は最終的に有望なファブレス・スタートアップ
5 社(*1)が選出された。
選ばれた新興企業に製造プロセスと関連技術を提供し、MSSは1社あたり最大1億ウォンの開発コストをサポートする。
(*1)Alpha Solutions, Inc.、BOS Semiconductors、Damoa Tech、Gwanak Analog、ONE
SEMICON
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| 9/5：OKI、信越化学のQST基板上でGaNの剥離／接合技術を開発 |
社会実装可能な縦型GaNパワーデバイスの実現と普及に貢献
OKIは、信越化学と共同で、信越化学が独自改良したQST基板からOKIのCFB技術を用いてGaN機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術の開発に成功した。本技術によりGaNの縦型導電が可能となり、大電流を制御できる縦型GaNパワーデバイスの実現と普及に貢献する。今後両社は、GaNデバイスを製造するお客様とのパートナーリングにより、社会実装可能な縦型GaNパワーデバイスの開発を進める。
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| 9/5：信越化学、GaNパワーデバイスの真の社会実装に向けて、QST基板事業をさらに推進 |
信越化学は、QST基板をGaNパワーデバイスの社会実装に不可欠な材料であると見定め、開発と製品上市を推進する。
QST基板はGaNと熱膨張係数が同等であるため、エピタキシャル層の反りやクラックの抑制が可能であり、大口径で高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を可能とする基板材料です。この特長を生かし、近年成長著しいパワーデバイス、RFデバイス（5GおよびBeyond
5G）や、マイクロLEDディスプレイ用の微小LED成長基板等への適用が期待される。
信越化学は、QST基板の販売に加え、顧客の要望に応じてGaNを成長したエピタキシャル基板の販売も行う。口径は現状6インチ、8インチをラインアップしており、大口径化に有利な材料特性を生かし、12インチ化にも取り組んでいる。2021年以降、パワーデバイス、高周波デバイス、LED向けそれぞれに、国内外の多数の顧客にて、サンプル評価およびデバイス開発が続けられています。特にパワーデバイス向けでは、650～1800Vまで、広範な領域でのデバイスに向けて、継続評価が行われている。
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| 9/5：半導体ファウンドリ上位10社、2023年第2四半期に1.1％の四半期売上高減少したが、2023年第3四半期に回復と予想、TrendForce |
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| 9/4：MEMS市場は2028年までに200億米ドルに成長 |
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| 9/2：経済産業省、西村大臣は北海道千歳市にて,ラピダス社の次世代半導体工場の起工式・起工披露式典に参加 |
西村大臣は北海道千歳市にて,ラピダス社の次世代半導体工場の起工式・起工披露式典に参加。また海外トップ半導体関連企業のimec、LamResearch、ASML
と面談し同社への協力・連携を確認。同社への出資企業とも意見交換。引き続き次世代半導体プロジェクト成功に向け必要な支援を進める。
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| 9/1：東京エレクトロン、自己株式の取得状況に関するお知らせ |
(会社法第 459 条第 1 項の規定による定款の定めに基づく自己株式の取得)
当社は、2023年5月11日開催の取締役会において決議した、会社法第459条第1項の規定による定款の定めに基づく自己株式取得について、下記のとおり実施した。
記
1. 取得した株式の種類 ：当社普通株式
2. 取得した株式の総数 ：2,309,200 株
3. 株式の取得価額の総額 ：48,067,666,500 円
4. 取得期間 ：2023年8月1日～2023年8月31日
5. 取得方法 ：東京証券取引所における市場買付
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| 9/1：Rapidus、IIM-１の起工式を開催 |
起工式の様子
IIM-1完成予想図
Rapidusは、最先端半導体の開発および生産を行う「IIM-1」の建設予定地（北海道千歳市の工業団地「千歳美々ワールド」）において、IIM-１の起工式を開催した。
起工式には、西村経産大臣、鈴木北海道知事、横田千歳市長、NEDO及川副理事長などの関係者を来賓に迎え、Rapidusからは取締役会長の東と代表取締役社長の小池を含む経営陣が出席、建設工事の安全を祈願した。
代表取締役社長の小池は来賓と起工を祝う式典で、「Rapidus株式会社は、8月10日で創立1周年を迎えました。この短い期間に、本日の起工式を迎えることができたことは、ここにおられる皆さま全員のご支援のたまものであります。本日、無事起工式を迎えることができましたが、これは始まりであり、これからRapidusの名のごとく、前例のないスピードで工場を完成させますので、引き続き皆さまの絶大なるご支援を賜りたくお願い申し上げます。」。
IIM-1は、国内初となる２nm以下の最先端ロジック半導体を製造する施設で、今月より工事を開始。
Rapidusは並行して、米国ニューヨーク州のAlbany Nanotech Complexに研究員を派遣し、IBMとの協働により、2nmのロジック半導体生産に関する技術開発を進めている。
imecにおいて、最先端半導体の生産に不可欠なEUV露光装置の技術を習得する予定。こうした技術を活用し、IIM-1において25年4月にパイロットラインを稼働し、27年には量産を開始する計画。
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| 8/31：ニコン、縮小投影倍率5倍 i線ステッパー「NSR-2205iL1」を発売 |
縮小投影倍率5倍 i線ステッパー「NSR-2205iL1」
ニコンは、パワー半導体、通信用半導体、MEMSなど様々なデバイスに対応し、ニコンの既存のi線露光装置との互換性が高い縮小投影倍率5倍 i線ステッパー「NSR-2205iL1」を発売。コストパフォーマンスに優れ、ウェハ素材を選ばず、様々な半導体デバイスの効率的な生産に貢献します。なお、縮小投影倍率5倍のi線露光装置の新製品発売は、25年ぶり。
発売概要
商品名：縮小投影倍率5倍 i線ステッパー「NSR-2205iL1」
発売時期：2024年夏頃
主な性能
解像度：≦350 nm
NA（開口数）：0.45
光源：i線（波長：365 nm）
縮小倍率：1:5
最大露光領域：22 mm x 22 mm
重ね合わせ精度：SMO：≦70 nm
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| 8/28：ライモンド長官と中華人民共和国の王文濤商務大臣との会談 |
ライモンド米国商務長官は、米国の商業的および戦略的利益を促進するため、中華人民共和国の王文濤商務大臣と会談した。この会談は、2022年11月の習国家主席との会談後のバイデン大統領の二国間協議を深めるための指示を遂行するための継続的な取り組みの一環。
ライモンド長官は、米国と中国の間のオープンなコミュニケーションラインを確保することの重要性を強調し、その目標を達成するために具体的な措置を講じた。ライモンド長官と王大臣は以下の点で合意。
・貿易・投資問題の解決策を模索し、中国における米国の商業的利益を促進するため、
米国と中国の政府当局者と民間部門の代表者が参加する協議メカニズムである
新たな商業問題作業部会を設立する。両首脳は、作業部会が次官レベルで年に
２回会合し、２０２４年初めに米国が第１回会合を主催することで合意した。
・米国の国家安全保障政策に対する誤解を減らすためのプラットフォームとして機能
する輸出管理執行情報交換を開始する。最初の対面会議は8月29日火曜日に北京の
商務省次官級で開催される。
・双方の対象分野の専門家を招集し、行政許可手続き中の営業秘密および企業機密情報の
保護強化に関する技術的な議論を行う。
・商業および経済問題について長官および大臣レベルで定期的に連絡し、少なくとも年に一度は直接会う。
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| 8/24：東京エレクトロン、第8.7世代フラットパネルディスプレイ向けプラズマエッチング装置PICP EX PlusおよびAPX販売開始 |
東京エレクトロンは、第8.7世代ガラス基板対応プラズマエッチング装置に関し、高精細プロセス向け新チャンバーPICP EX Plus を搭載した「Betelex2700
PICP EX Plus」を販売開始する。また、あわせてコロージョン抑制プロセスユニット APXを販売開始した。
IT製品用有機EL向けを中心とした第8.7世代でのディスプレイ製造においては、高精細・高付加価値・大面積ディスプレイを実現させるため、広いガラス面積に対して、従来以上に高均一性・高選択性のエッチングが必要になるとともにコロージョン抑制、パーティクル対策などにおいても厳格な製造管理が求められている。
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| 8/22：ソフトバンク、Armによる新規株式公開計画に係る登録届出書のパブリック・ファイリングに関するお知らせ |
当社子会社のArm（アーム）は、米国証券取引委員会（SEC）に、アームの普通株式を対象とした米国預託株式（ADS）の新規公開計画に関するForm
F-1の登録届出書を公開提出（パブリック・ファイリング）したことを、2023年8月21日に公表した。アームは、Nasdaq Global Select
Marketに、ティッカーシンボル「ARM」でADSの上場を申請。新規株式公開の募集ADS数及び価格帯はまだ決定されていない。
SECに提出した登録届出書は、まだ効力が発生していない。登録届出書の効力発生まで、ADSを販売することはできず、買付注文の募集を行うことはできない。本新規株式公開において日本での募集または売出しは行われない。
当社は、本新規株式公開の完了後もアームが引き続き当社連結子会社であることを想定。また、本新規株式公開は当社の連結業績または財政状態に重要な影響を及ぼすことはない見込み。
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| 8/21：ジェイ・イー・ティ、東京証券取引所スタンダード市場への新規上場承認のお知らせ |
東京証券取引所より、当社普通株式の東京証券取引所スタンダード市場への新規上場を承認された。
上場日は2023年9月25日（月曜日）を予定。
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| 8/16：Intel、Tower Semiconductorの買収断念 |
Intelは、IDM 2.0 戦略の一環として、世界クラスのシステム ファウンドリを構築する計画を推進し続けている。
Intelは、Tower Semiconductorの買収が不可能であることを理由に、以前に開示されていた買収契約を終了することで相互に合意した。 2022年2月15日付の合併契約に基づいて必要とされる規制当局の承認を適時に取得する。合併契約の条項に従い、合併契約の解除に関連して、IntelはTower Semiconductorに3億 5,300万ドルの解除料を支払うことになる。
⇒買収断念の理由、中国規制当局の承認が得られなかった
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| 8/15：TSMC、ボッシュ、インフィニオン、NXP、欧州に先端半導体製造の合弁会社を設立 |
TSMC、ロバート ボッシュGmbH、インフィニオン、NXPセミコンダクターズは、先進的な半導体製造サービスを提供するため、ドイツのドレスデンにあるヨーロピアン
セミコンダクター マニュファクチャリング カンパニー（ESMC）GmbHに共同出資する計画を発表。ESMCは、急成長する自動車および産業部門の将来的な生産能力へのニーズに対応するための
300mm工場建設に向けた重要な一歩であり、最終的な投資決定は、このプロジェクトへの公的資金の水準が確認されるまで保留される。このプロジェクトは、欧州チップス法の枠組みの下に計画されている。
計画されている工場は、TSMCの28/22nmのプレーナー CMOSおよび16/12nmのFinFETプロセス技術で、月産 4 万枚の300mmウェハーの生産能力を見込み、 高度な FinFET トランジスタ技術で欧州の半導体製造エコシステムを強化し、約2,000人のハイテク専門職の直接雇用を創出する。ESMCは、2024年後半に工場建設を開始し、2027年末までに生産を開始することを目指す。
合弁会社はTSMCが70％、ボッシュ、インフィニオン、NXP がそれぞれ10％を出資する予定で、規制当局の承認やその他の条件に従う。投資総額は100億ユーロを超える見込みで、出資、借入金、EUやドイツ政府からの強力な支援で構成される。工場はTSMCによって運営される。
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| 8/14：半導体市場の好転、SI |
|
Company |
US$B
2Q23 |
|
Reported
2Q23 |
Guidance
3Q23 |
Comments on 3Q23 |
| 1 |
Intel |
12.9 |
|
11% |
3.50% |
inventory issues |
| 2 |
Samsung SC |
11.2 |
|
7.30% |
n/a |
demand recovery in 2H |
| 3 |
Nvidia |
11 |
|
53% |
n/a |
2Q23 is guidance |
| 4 |
Broadcom |
8.85 |
|
1.30% |
n/a |
2Q23 is guidance |
| 5 |
Qualcomm IC |
7.17 |
|
-10% |
0.40% |
increase in handsets |
| 6 |
SK Hynix |
5.55 |
|
39% |
n/a |
increased demand in 2H |
| 7 |
AMD |
5.36 |
|
0.10% |
6.40% |
client & data center up |
| 8 |
TI |
4.53 |
|
3.50% |
0.40% |
auto up, others weak |
| 9 |
Infineon |
4.46 |
|
-0.70% |
-2.20% |
auto up, power down |
| 10 |
STMicro |
4.33 |
|
1.90% |
1.20% |
auto up, digital down |
| 11 |
Micron |
3.75 |
|
1.60% |
3.90% |
supply/demand improving |
| 12 |
NXP |
3.3 |
|
5.70% |
3.10% |
auto & industrial up |
| 13 |
Analog Devices |
3.26 |
|
0.40% |
-5.00% |
auto & industrial down |
| 14 |
MediaTek |
3.2 |
|
1.70% |
4.80% |
inventories down |
| 15 |
Renesas |
2.68 |
|
2.50% |
0.40% |
inventory balanced |
| |
Total of above |
|
|
8% |
|
|
|
Memory Cos. (US$) |
|
|
9% |
n/a |
Samsung-Hynix-Micron |
| |
Non-Memory Cos. |
|
|
7% |
2% |
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| 8/14：Infineon、マレーシアのクリムに世界最大の200mmSiCパワーファブを建設 |
マレーシアのクリムにあるインフィニオンテクノロジーズAGの製造拠点
Infineonは、2022年2月に発表した当初の金額を上回る投資を通じてクリム工場を大幅に拡大し、世界最大の200mmのSiCパワーファブを建設する。この拡大計画は、自動車や産業用の約50億ユーロの新規案件の獲得に加え、約10億ユーロの前払いを含む顧客のコミットメントに支えられる。
今後 5 年間で、インフィニオンはモジュール3の第2フェーズにおいて、クリムに最大 50 億ユーロを追加投資する。この投資は、フィラッハとクリムで計画されている200mmSiCへの転換と合わせ、2030年にはSiCによる収益が年間約
70 億ユーロに上ると見込んでいる。この高い競争力を持つ製造基盤は、2030年までに30％というInfineonの SiC 市場シェア目標を支える。Infineonは、2025会計年度のSiCの売上高が目標の10
億ユーロを上回る。
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| 8/10：Infineonとソーラーエッジ社、複数年のサプライヤー キャパシティ予約契約を締結 |
グリーン エネルギー ソリューションを促進
Infineon と、スマートエネルギー技術のSolarEdge Technologies は、複数年のキャパシティ予約契約 (CRA) を締結した。
既存のパートナーシップを拡大し、Infineon は様々なソーラーエッジ製品向けの重要なコンポーネントを供給します。CRA に加え、両社は、世界のグリーンエネルギー供給の鍵となるワイドバンドギャップ (WBG) 材料をベースとした未来の技術や最先端のソーラー製品の開発においても協力する。
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| 8/10：ソシオネクスト、インド・ベンガルールに新拠点を開設 |
設計開発力を強化
世界中の顧客に向けて当社のプレゼンス拡大を目指す
ソシオネクストは、インドのバンガロールに新拠点を開設し、グローバルな事業拡大を支えるためのエンジニアリングリソースを強化する。
新拠点の所在地
No:652 Khata NO 4312/652, 22nd Cross, 23rd Main, HSR Layout, Sector-2, Bangalore-560102, India.
本拠点は 2023年8月16日に開設予定で、ソシオネクストの米国子会社である Socionext America Inc. の支店として運営する。
ベンガル―ルは「インドのシリコンバレー」として知られており、先端技術やソフトウェア企業の一大拠点です。この都市には、多数の研究開発センター、IT スタートアップ、ゲーム会社や、豊富な人材を企業に提供する数百もの工科大学がある。
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| 8/9：バイデン大統領、懸念国における特定の国家安全保障技術および製品への米国の投資に対処する大統領令に署名 |
バイデン・ハリス政権は、次世代の軍事革新に不可欠な技術を保護することで米国の安全を守り、国家安全保障を守ることに尽力している。
本日、バイデン大統領は、懸念国における米国の特定の国家安全保障技術および製品への投資への対処に関する大統領令に署名し、重要な機密技術に関わる活動に従事する団体に対する懸念国への米国の特定の投資を規制する権限を財務長官に与えた。
半導体とマイクロエレクトロニクス、量子情報技術、人工知能の 3 つの分野における国家安全保障。大統領はEOの付属書で、香港特別行政区とマカオ特別行政区を含む中華人民共和国を懸念国と特定した。
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| 8/8：東京応化工業、TOK尖端材料株式会社における新検査棟の建設 |
東京応化工業は、連結子会社であるTOK尖端材料株式会社（本社：韓国・仁川広域市、以下「TOKAM」）の仁川工場に新検査棟を建設することを決定した。2023年11月に着工し、2026年上期より稼働を開始する予定。
顧客密着戦略のもと、韓国におけるフォトレジストの研究開発・製造・販売拠点として、2012年にTOKAMを設立した。以来、TOKAMは韓国における当社グループ製品の採用拡大をけん引した。現在は、当社連結売上高における韓国向け売上高の割合は12.5％を占める。
このたび当社は、韓国半導体市場における需要拡大に伴い、製品のさらなる高品質化および供給能力拡大を目的として、TOKAMにおける新検査棟の建設を決定した。
新検査棟には新たな検査装置を導入する予定であり、製品の品質や検査効率の向上を見込んでいる。加えて、将来の需要増加にも対応できる拡張性を備えるほか、働く人にとって安全で快適な建物となるよう設計する。
「tok中期計画2024」の３カ年において、過去最大規模となる600億円以上の設備投資を計画。今後も中長期的な半導体市場の成長に対応するため、積極的な設備投資を実施し、グローバルサプライチェーンを強化する。
TOK尖端材料株式会社 新検査棟の概要
所在地 大韓民国 仁川広域市
建築面積 1,540㎡
着工予定 2023年11月
稼働開始予定 2026年上期
投資金額 70億円以上（予定）
TOK尖端材料株式会社 新検査棟 完成イメージ
INDEX
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| 8/8：東京応化工業、熊本県菊池市における阿蘇工場 阿蘇くまもとサイト新設 |
熊本県菊池市に阿蘇工場 阿蘇くまもとサイトを新設することを決定した。
現在、同サイトでは高純度化学薬品の製造工場を建設中であり、2025年上期より稼働を開始する予定。
1984年に阿蘇工場を開設し、高純度化学薬品の製造を行ってきたが、昨今の九州における半導体生産の拡大を受け、2022年に熊本県菊池市に事業用地を取得し、同地に阿蘇くまもとサイトを開設することを決定した。
今後は同サイトと阿蘇工場の相乗効果を通じ、高純度化学薬品の品質向上および供給能力拡大、九州を含む西日本地域におけるユーザーサポートの強化を目指す。
阿蘇工場 阿蘇くまもとサイトの概要
所在地 熊本県菊池市旭志川辺地内(菊池テクノパーク)
敷地面積 128,773.74㎡
稼働開始予定 2025年上期
投資金額 130億円以上（予定）
阿蘇工場 阿蘇くまもとサイト建設予定地
INDEX
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| 8/8：東京応化工業、郡山工場における製造棟新設 |
主力生産拠点のひとつである郡山工場（福島県郡山市）に新製造棟を建設することを決定した。
2024年７月に着工し、2026年下期より稼働を開始する予定。
郡山工場では、EUV用フォトレジスト、ArF用フォトレジスト、KrF用フォトレジスト等の各種半導体用フォトレジストを製造。半導体市場は今後の中長期的な成長が予想されることから、当社製品のさらなる高品質化および供給能力拡大を目的として、同工場に国内最大の新製造棟の建設を決定した。
新製造棟は製造ラインを自動化・デジタル化したスマートファクトリーとする計画であり、高い安全性・生産効率を追求するとともに、世界最高品質のフォトレジスト製造を目指す。
また、同工場においては2022年７月に検査棟を新設、製品の品質や検査効率の向上に寄与している。
郡山工場 新製造棟の概要
所在地 福島県郡山市待池台１－23
建築面積 4,800㎡
着工予定 2024年７月
稼働開始予定 2026年下期
投資金額 200億円以上（予定）
参考：郡山工場における新検査棟の竣工
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| 8/8：TSMC、取締役会決議/60億5950万ドルの投資承認 |
１．以下を含む目的で60億5,950万米ドルの資本支出を承認した。
１）ファブ建設およびファブ施設システムの設置
２）高度なパッケージング、成熟したおよび/または特殊な技術能力の導入。
２．ファウンドリサービスを提供するために、TSMCが過半数を所有するドイツの子会社、
European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC) GmbH への34億9,993万ユーロ
（38億8,490万米ドル)を超えない株式投資を承認した。
３．TSMCの完全子会社であるTSMC Arizonaへの45億米ドル以下の資本注入を承認。
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| 8/4：ミネベアミツミ、セミコンダクタ＆エレクトロニクスの状況 |
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| 8/3：Infineon、パワー半導体で#1、マイクロコントローラ市場全体で#5にランク |
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| 8/3：西村康稔経済産業大臣、キオクシア岩手を視察 |
7月29日、西村康稔経済産業大臣がキオクシア岩手を視察。視察は、第1製造棟のクリーンルームに入り、高度に自動化された最先端の半導体生産ラインを見学。また、建設中の第2製造棟（外観）もご覧いただきました。西村大臣からは半導体産業の発展、地域活性化への貢献に期待が寄せられた。
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| 8/3：インドのスマートフォン市場、23年上半期に6,400万台で前年比10%減少、IDC |
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| 8/2：京セラ、滋賀野洲工場に新棟を建設 |
生産技術開発機能を結集し、ものづくり力の強化を図る
京セラは、生産技術開発機能を滋賀野洲工場に結集し、各事業部門の連携強化によるものづくり力の強化と、次世代を担う技術者の育成を目的に、「野洲開発センター（仮称）」の建設を決定した。
野洲開発センター（仮称）完成予想図
■ 新棟の概要
| 名称 |
京セラ株式会社滋賀野洲工場 野洲開発センター（仮称） |
| 所在地 |
滋賀県野洲市市三宅800 |
| 投資総額 |
約130億円 |
| 建築面積 |
4,871 m2 （鉄骨、6階建） |
| 延床面積 |
26,766 m2 |
| 建設計画 |
着工：2023年8月 操業：2025年4月予定 |
| 主な開発内容 |
部品事業におけるコア技術・製造プロセスの開発、
自社生産設備の開発・製作など |
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| 8/2：浜松ホトニクス、電子管事業の生産能力増強のため豊岡製作所に新棟を建設 |
豊岡製作所 第11棟 外観
浜松ホトニクスは、マイクロフォーカスX線源（MFX）をはじめとする電子管製品の売り上げ拡大に対応するため、豊岡製作所に第11棟を建設していたが、このたび完成し、8月より稼働を開始。
新棟建設の竣工式は8月4日（金）
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| 7/31：onsemi は自動車用画像市場を独占。新たな挑戦者は誰になるのか？ |
概要
・車載アプリケーション向けのカメラモジュールとCMOSイメージセンサー市場は、
2028年にそれぞれ90億米ドルと30億米ドル以上に達すると予想
・Yole Intelligenceの年次分析は、2022年から2028年までの2つの市場の
CAGRがそれぞれ9.7％と8.7％
・競争環境:
・onsemi は依然としてASPの増加を利用して市場をリードしており、
Omnivision、Sony、Samsung がこれに続きます。
・SmartSens や BYD などの一部の中国企業は、
成長する中国市場で段階的に市場シェアを獲得
・高解像度の需要を満たすために技術は進化しており、市場全体の1.6％を占める
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| 7/28：三菱電機、酸化ガリウムパワー半導体開発に向けてノベルクリスタルテクノロジー社に出資 |
省エネ性に優れたパワー半導体の研究開発を加速し脱炭素社会の実現に貢献
三菱電機は、次世代パワー半導体ウエハの一つとして注目される酸化ガリウムウエハを開発・製造・販売する「ノベルクリスタルテクノロジー」へ出資した。今後、酸化ガリウムパワー半導体の研究開発を加速し、省エネ性に優れたパワー半導体を社会に広く普及させることで、脱炭素社会の実現に貢献する。
ノベルクリスタルテクノロジーの概要
会社名 ：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
代表者 ：倉又 朗人
所在地 ：埼玉県狭山市広瀬台 2-3-1
設立日 ：2015 年 6 月 30 日
資本金 ：1億6,292万円（2022年5月12日現在）
事業内容：
酸化ガリウムエピタキシャル膜付基板の製造販売
単結晶およびその応用製品の製造販売
半導体およびその応用製品の製造販売
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| 7/28:TSMC、技術革新の最新拠点を祝うグローバルR＆Dセンターを開設 |
TSMCは、台湾の新竹にあるグローバル研究開発センターの落成式を開催した。
研究開発センターは、2nm世代以降のTSMCの最先端プロセス技術を開発する研究者や、新材料やトランジスタ構造を研究。
研究開発部門の従業員はすでに新しい建物の職場に移転しており、2023年9月までに7,000人を超えるスタッフが完全に揃う準備が整う。
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| 7/27：Armと業界のリーダー企業・団体、スキル不足の課題解消に向けた「Semiconductor Education Alliance」を発足 |
英Armは、Arduino、Cadence、コーネル大学、Semiconductor Research Corporation、STMicroelectronics、Synopsys、台湾半導体研究中心、全インド技術教育審議会、サウサンプトン大学をはじめとするパートナーの賛同のもと、新たなグローバル・イニシアチブである「Semiconductor
Education Alliance」を発表。産学官の主要なステークホルダーが集結するSemiconductor Education Allianceは、人材の発掘と既存人材のスキル向上の両面における増大する課題に取り組む。
現時点で、以下を含む多数のプロジェクトが進行中
・ArmとEDAパートナーとの協力による、最先端のEDAツールと半導体設計資産（IP）
を活用した、新たなVLSI設計の教育リソースへの取り組み
・Armと産学のパートナーにより、コンピューター・エンジニアリングと情報学の
新しい遠隔ラーニング・ソリューションを開発中
・Armとパートナーによる最新の半導体製造技術を利用可能な、アカデミア向けの
グローバルなSoC設計プラットフォーム
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| 7/26：ADI、オレゴン州の半導体施設の拡張に10億ドル以上を投資 |
アナログ・デバイセズ（ADI）は、オレゴン州ビーバートンの半導体ウェハ工場を拡張するために10億ドル以上の投資を行う。1978年に建設されたビーバートン工場は、生産量でADI最大のウェハ製造施設であり、産業、オートモーティブ、通信、コンスーマ、ヘルスケアなどの重要な業界顧客向け製品の基盤を提供。
今回の設備投資により、クリーンルームのスペースは約10,960m2に拡張され、180nm以下で動作する製品の社内製造はほぼ倍増。また、何百人もの新たな長期雇用の機会が創出され、オレゴン州におけるADIの従業員数は、現在の約950人から大幅な増加となる見込み。
投資総額の10%以上は、全体的な効率を高め、より環境に優しい化学物質を利用することを目的とした、最先端の製造装置。生産量が倍増するにもかかわらず、同施設は温室効果ガスの絶対排出量の75%削減、水使用量原単位の50%削を目標。
さらに、ビーバートン工場では、25人の学生グループを対象に、半導体装置のメンテナンスに関する8週間のトレーニングコースを提供する技能開発トレーニングセンター｢Semiconductor Advanced Manufacturing University（SAMU）｣を主催する予定。トレーニングセンターでのADIの取り組みの主な原動力は、米国の退役軍人、再就職者、ADI工場の現職オペレーターなど、地域コミュニティ内の多様なグループに技能習得の機会を提供し、半導体製造の基礎やその他のカリキュラムを学び、専門能力の開発を推進する。
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| 7/25：IDC、世界の半導体OSAT市場は2022年に前年比5.1％成長、高度なOSAT需要の蓄積により2024年には成長を見込む |
IDC 、2023年のOSAT市場規模は前年比13.3％減少すると予測。
世界トップ 10 の OSAT ベンダーのうち、台湾に 6 社、中国に 3 社、米国に 1 社があり、合計市場シェアは 80.1% です。台湾のベンダーには、ASE、PTI、KYEC、Chipbond、ChipMOS、Sigurd が含まれます。中国のベンダーには、JCET、TFME、Hua Tian などがあります。米国のベンダーは Amkor によって代表されます。
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| 7/25：三益半導体工業、新工場棟の建設 |
１． 取得の理由
今後の半導体市場の拡大に鑑み、現工場の隣接地に 300mm シリコンウエハー専用工場棟を建設する。
２． 取得資産の内容
(１) 対象資産の内容 300mm 最先端シリコンウエハー製造用建屋・ユーティリティ設備
(２) 所在地 群馬県高崎市保渡田町
(３) 建築面積 11,283 ㎡
(４) 取得予定額 770 億円
(５) 資金計画 自己資金及び外部資金調達の予定
３． 取得の日程
(１) 取締役会決議日 2023 年７月 25 日
(２) 着工日 2023 年８月予定
(３) 竣工日 2025 年７月予定
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| 7/24：NXP Semicon、Macrotrends Driving Waves of Semi Growth |
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| 7/21：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ新開発棟竣工 |
東京エレクトロンは、開発・製造子会社である東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ 穂坂事業所に建設していた新開発棟が完成し、本日、竣工式をおこなった。
今後、デジタル社会への移行による技術革新に伴い、半導体市場は大きく成長することが予想。東京エレクトロン テクノロジーソリューションズが開発・製造している製品群は、半導体の線幅がより小さく、また多様化、複雑化する中で、技術革新の要として繰り返しおこなわれるパターニング技術の進化とともに、大きな成長が見込まれる。新開発棟の竣工により技術開発力をさらに強化し、市場とお客さまの求める機能を備えた製品をタイムリーに提供することを通じて、中長期における持続的な成長と社会の発展に貢献する。
＜新開発棟の概要＞
所在地：山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650
延床面積：約21,000m²
構造：鉄骨造/免震構造
階数：地上4階、地下1階
着工/完成：2021年12月/2023年6月
用途：成膜装置、ガスケミカルエッチング装置など半導体製造装置、パターニング技術およびプロセスインテグレーションの開発
＜東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ事業概要＞
本社 (藤井事業所) ：山梨県韮崎市藤井町北下条2381-1
事業所：穂坂、東北、府中、名古屋サテライト
事業内容：熱処理成膜装置、枚葉成膜装置、ガスケミカルエッチング装置、テストシステム、FPDプラズマエッチング/アッシング装置の開発・製造
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| 7/21：CIS: ソニーは依然として市場をリード |
概要
・Yole Intelligenceは、2022年から2028年までのCAGRが5.1％。
市場は期末には288億ドルに達する見込み
・CISプレーヤーの市場シェア:、前年と比較してトップ5に変化はない。
ソニーは依然として市場シェア42％で市場をリードしている
・CIS 業界は、パフォーマンス、統合性、新しいセンシング機能に関連した
技術革新によって推進される
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| 7/18：ジャパンディスプレイ、JOLED からの事業譲受完了 |
本日、JDIDD(JDI Design and Development 合同会社)によるJOLEDからの事業譲受が完了した。
当社は、JOLED の優秀な人材及び OLED に関する知的財産権やノウハウの承継により、当社の成長戦略「METAGROWTH 2026」の加速化を図り、顧客価値・株主価値創造に努める。
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| 7/12：ローム、ソーラーフロンティア 旧国富工場の資産取得について基本合意 |
～SiCパワー半導体を中心に、ロームグループの生産能力の拡大を図る～
ロームは、ソーラーフロンティアと、同社の旧国富工場の資産取得について基本合意した。
取得時期は2023年10月を予定、今後、ロームグループの主力生産拠点として活用する。
脱炭素社会の実現に向けて、ロームの主力商品である半導体の役割は、大きくなっている。
特に、自動車や産業機器市場では、環境負荷の低減、カーボンニュートラルを達成するため、電動化を中心に技術革新が進み、パワー半導体やアナログ半導体を中心に需要が増加。
半導体市場のさらなる拡大が見込まれる中、お客様への安定供給を実現するために、SiCパワー半導体を中心にロームグループにおける生産能力の拡大を図る。
| １．基本合意の相手先概要 |
| 会社名 |
ソーラーフロンティア株式会社 |
| 代表者名 |
代表取締役社長 渡辺 宏 |
| 主な事業 |
太陽光発電システムの開発、販売 |
| 本社所在地 |
東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 帝劇ビル |
| 主要株主 |
出光興産株式会社 100% |
| ２．取得予定の資産概要（旧 国富工場の概要） |
| 所在地 |
宮崎県東諸県郡国富町田尻1815番地 |
| 敷地面積 |
約400,000m2 |
| 建物 延床面積 |
約230,000m2 |
| ※一部敷地・建物については、ソーラーフロンティアが事業所として継続利用予定（貸与） |
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| 7/11：ドイツ連邦カルテル庁、ボッシュ、インフィニオン、NXPによるドレスデンの新TSMC半導体工場の株式取得を承認 |
ドイツ連邦カルテル庁は、台湾積体電路製造会社（TSMC）が設立した欧州半導体製造会社（ESMC）の株式10％をそれぞれ取得するボッシュ、インフィニオン、NXPの計画を承認した。ESMCはドレスデンにもう一つ大規模な半導体工場を建設・運営する予定で、そこには欧州のテクノロジー企業3社も参加する予定。
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| 7/5：ルネサスとWolfspeed、10年間のSiCウェハ供給契約を締結 |
主な案件内容
・ルネサスのパワー半導体戦略を大きく強化
・ルネサスによる20億米ドルの預託金提供により、Wolfspeedによる150mmおよび200mmの
SiCウェハの供給、また同社の米国における設備投資を支援
・自動車および産業、エネルギー関連市場でのSiC普及を拡大
左からルネサスCEOの柴田英利、Wolfspeed CEOのGregg Lowe
ルネサスとSiC技術のWolfspeedは、ウェハの供給契約およびルネサスによるWolfspeedへの20億米ドルの預託金提供を発表した。ルネサスはWolfspeedから、10年間にわたりSiCウェハの供給を確保する。Wolfspeedから高品質なSiCウェハの供給を受けることで、ルネサスは2025年に予定するSiCパワー半導体の量産開始に向け、大きく前進する。本契約の調印式は、ルネサスにおいてWolfspeedとの間で、行われた。
10年間の供給契約により、Wolfspeedはルネサスに対し、150mmのSiCウェハを2025年から本格的に供給する。加えてWolfspeedは、新工場（JP工場）が本格稼働したのち、ルネサスに200mmのSiCウェハを供給することも予定。
EVや再生可能エネルギーの普及などにより、自動車向け、産業向けともに、著しく拡大。ルネサスは、こうしたパワー半導体の需要の増加に対応するため、自社の製造能力を拡張した。直近では、IGBT向けに甲府工場の再稼働のほか、SiC向けは、高崎工場に製造ラインを新設する。
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| 7/5：SBI、台湾半導体ファウンドリ大手PSMCとの日本国内での半導体工場設立に向けた準備会社の設立に関する基本合意 |
SBIは、台湾の半導体ファウンドリ大手Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation（PSMC）と日本国内での半導体工場設立に向けた準備会社を設立することについて基本合意した。
SBIは台湾の半導体ファウンドリ大手であるPSMCと日本での半導体工場の設立に向けた準備会社を共同設立することについて基本合意した。
PSMCは台湾3位、世界6位の半導体ファウンドリ大手。
PSMCは車載向け半導体需要の90％以上を占めるとされている28nm以上の半導体を高品質で安価・大量に生産するビジネスモデルを有している。半導体は1つが欠けても製品にはなりませんが、PSMCはこれまで培ってきたノウハウを活用し、日本そして世界の半導体安定供給に寄与する。
今後、SBIとPSMCは準備会社を早期に設立し、同準備会社にて、工場立地場所の選定、事業計画の策定、資金調達の計画等を実施していく。工場の建設開始時期や稼働時期などの詳細は、具体的になった時点で発表する。
当社としては「金融を核に金融を超える」という理念のもと、日本が再び半導体産業を勃興し、日本が半導体のグローバルサプライチェーンの起点となり、様々な産業の発展に寄与していけるように貢献する。
【提携先の概要】
| 社名 |
Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation
（力晶積成電子製造股イ分有限公司） |
| 事業概要 |
スペシャリティーロジック、ニッチ市場向けメモリ、ディスクリートの半導体ファウンドリ事業 |
| 設立 |
1998年 |
| 代表者 |
黄崇仁（Frank C.Huang） |
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| 6/28：2023年に半導体設備投資が減少、SI |
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| 6/28：Samsung Electronics、Samsung Foundry Forum 2023でAI時代のFoundryビジョンを発表 |
サムスンは先進的なプロセスロードマップによりファウンドリのリーダーシップと顧客とのコミットメントをさらに強化
ファウンドリサービスとして競争力強化ため、Samsung Foundryを発表
・2nmプロセスと特殊プロセスの応用拡大
・平沢工場第3ライン（P3）の生産能力を拡大
・次世代パッケージング技術に向けた新たな「マルチダイインテグレーション（MDI）アライアンス」を発足
・Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) パートナーとのファウンドリ エコシステムの継続的な進歩
拡張された2nmアプリケーションと特殊プロセスで業界をリード
2nmプロセスの量産に関する詳細な計画と性能レベルを発表
2025年にモバイルアプリケーション向けに2nmプロセスの量産を開始
2026年にはHPC
2027年には自動車向けに拡大する予定。
2nmプロセス(SF2)は、性能が12%向上、電力効率が25%向上、
3nmプロセス (SF3) と比較すると、面積が5%減
SF1.4の量産は予定通り2027年に開始される。
2025年から、消費者、データセンター、自動車用途を対象とした8インチGaNパワー半導体のファウンドリサービスを開始する。
6G の最先端技術を確保するために、5nm(RF)も開発中で、2025 年前半に利用可能になる予定です。サムスンの 5nm RF プロセスでは、電力効率が
40% 向上し、50% 低下しました。以前の 14nm プロセスと比較して面積が増加します。
さらに、8nm および 14nm RF に車載アプリケーションを追加し、現在量産中のモバイル アプリケーションを超えて拡大する予定。
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| 6/26：IPCEI、スペインのKDPOFパッケージング工場に資金提供 |
KDPOFは、欧州委員会がスペインで計画されている光電子デバイスのパッケージング工場に対して、欧州からの81億ドルの投資IPCEIへのアクセスを許可した。KDPOFのCEO兼共同創設者であるCarlos
Pardo氏は、「この資金は、近い将来、ヨーロッパで IC を製造するという当社の計画を実現するのに役立ちます。」と述べている。
「ヨーロッパの工場は世界中の半導体の約10％しか製造していないため、我々はアジアと米国に依存している。当社はスペインでの自動車用オプトエレクトロニクスの大量生産を先駆けて進め、この依存を軽減する。
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| 6/23：東京応化工業と東京工業大学、「東京応化工業未来創造協働研究拠点」設立 |
東京応化工業と東京工業大学は半導体製造工程に用いる材料や化学薬品、加工技術を基軸とした、フォトニクスデバイスやライフサイエンス、カーボンニュートラルに関する研究を行う協働研究拠点「東京応化工業
未来創造協働研究拠点」を東京工業大学オープンイノベーション機構の支援のもと設立し、調印式を行った。
（左）東京応化工業 代表取締役取締役社長 兼 執行役員社長 種市 順昭／
（右）東京工業大学 学長 益 一哉
「東京応化工業 未来創造協働研究拠点」の概要
1. 名称
東京応化工業未来創造協働研究拠点
2. 設置場所
東京都目黒区大岡山2-12-1 大岡山キャンパス 工学院
3. 設置期間
2023年6月1日 ～ 2027年3月31日
4. 協働研究題目
半導体製造工程に用いる材料や化学薬品、加工技術を基軸とした、
フォトニクスデバイスやライフサイエンス、カーボンニュートラルに関する研究。
5. 協働研究目的
東京応化工業の将来に必要とされる中長期研究課題に対して、
個々の研究領域を横断するような、包括的な共同研究体制を基に基礎研究から
新規事業テーマの発掘を目指し、構築されるべき技術や材料の探索、創造および、
社会貢献の道筋を見出すことを目的とします。
6. 協働研究内容
IT技術の進化に提案されている光デバイス、半導体デバイスの高機能化、
高性能化に関する材料やプロセス、QOL向上を目指した医療、
診断に用いられる新技術、環境問題、特にカーボンニュートラルへの取り組みに
貢献する高機能素材などの創造、研究・開発を進めるとともに、将来の先端研究、
技術開発を担う人材育成にも努めます。
7. 拠点長
西山 伸彦（東京工業大学 工学院 教授）
8. 副拠点長
鳴海 裕介（東京応化工業 新事業開発本部 本部長）
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| 6/23：浜松ホトニクス、光半導体事業の生産能力増強のため本社工場に新棟を建設 |
本社工場5棟 完成予想図
浜松ホトニクスは、光半導体製品の需要拡大に対応するため、本社工場に光半導体製造（前工程）を担う新棟を建設する。
新棟建設の地鎮祭は6月30日（金）に行い、2025年6月に竣工の予定。
＜新棟概要＞
建物名称 本社工場5棟
建築場所 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1
建築工期 2023年7月着工、2025年6月竣工予定
稼働予定 2025年12月
建築構造 地上 4 階、地下 1 階
（生産棟）柱：RC 造、梁：S 造
（機械棟）S 造
建物面積 3,083.13㎡
延床面積 10,960.86㎡
施設構成 B階 倉庫、機械室
1 階 光半導体製品の生産補助階（前工程）、機械室
2 階 光半導体製品の生産実行階（前工程）、機械室
3 階 光半導体製品の生産補助階（前工程）、電気室
4 階 光半導体製品の生産実行階（前工程）、電気室
総 工 費 約370億円（生産設備を含む）
収容人員 約40名
生産品目 光半導体製品
生産能力 約8,000枚／月（8インチウエハ換算
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| 6/22：Micron、インドに新しい半導体組立およびテスト施設を発表 |
インド初の新しいDRAMおよびNAND組立およびテスト施設は、将来の需要に対応するためにマイクロンの世界的な製造拠点を拡大
Micronは、インドのグジャラート州に新しい組立およびテスト施設を建設する計画を発表。Micronの新しい施設では、DRAM製品とNAND製品の両方の組み立てとテスト製造が可能になり、国内外の市場からの需要に対応できる。
グジャラート州の新しい組立・試験施設の段階的建設は、2023年に開始される予定。第1段階には50万平方フィートの計画されたクリーンルームスペースが含まれ、2024年後半に稼働が開始され、2024年に徐々に生産能力を増強する予定。第1フェーズと同規模の施設の建設を含むプロジェクトの第2フェーズが20年代後半に開始されると予想。
マイクロンの投資はプロジェクトの2段階で最大8億2,500 万ドルに達し、今後数年間で最大5,000人のMicronの直接雇用と15,000人のコミュニティ雇用が新たに創出される。政府の「修正組立、試験、マーキングおよび包装（ATMP）制度」に基づき、Micronはインド中央政府から総プロジェクト費用の50％の財政支援を受け取り、グジャラート州から総プロジェクト費用の20％に相当する奨励金を受け取る。
両段階にわたるMicronと2つの政府機関による投資総額は最大27億5,000万ドル。政府の支援は、プロジェクトに資金を提供し、イノベーションを推進し、地元の人材育成を強化するために不可欠な半導体インフラとリソースへのアクセスを促進するのに役立つ。
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| 6/21：RF GaN: 通信インフラが主導権を握る、Yole |
RF GaN のリーダーである SEDI、Qorvo、Wolfspeed、NXPは、2028年までにほぼ30億米ドルの市場への道を切り開いている。
概要
・RF GaN デバイス市場は 2022 年に 13 億米ドルの価値があり、2028年には27億米ドルに達すると予想されており、2022 年から 2028 年までのCAGRは12%。
・SEDI、Qorvo、Wolfspeed: 上位 3 つのデバイス プレーヤーは着実に成長しており、NXP は通信から高い収益を上げています。
・電気通信における新たな機会が、RF GaN-on-Si への扉を開く。
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| 6/21：アドバンテスト・NXP Semicon・アリゾナ州立大学、共同で初のテスト・エンジニアリング・コースを開始 |
アドバンテストとアリゾナ州立大学（ASU）は、NXPSemiconductorsと共同で、ASUにおいて初のテスト・エンジニアリング・コース「EEE 522 Radio Frequency Test」を設置する。
テスト・エンジニアの育成に特化したこのコースのカリキュラムは、ASUのイラ・エー・フルトン工学部の教員が独自に開発した授業内容をもとに、2023年春学期に当社とNXP Semiconductorsの共同で実施した実験内容を加え充実させた。このコースは今後ASUにおいて毎学期開講される予定。
アリゾナ州には半導体産業が集積しており、多くの半導体メーカーが生産拠点を設けている。2022年には先端半導体の新工場建設が相次いで決定するなど、テスト・エンジニアの需要は高まっている。半導体テスト業界を担う人材の育成が急務で、アリゾナ州の大学の工学部にはテスト・エンジニア育成のためのカリキュラムが設けられていなかった。そこでアリゾナ州に拠点を持つ当社とNXP
SemiconductorsがASUに働きかけ、同学の大きな賛同を得てテスト・エンジニアリング・コースの新設に至った。
コースに必要なラボの開発にあたり、最新のSoCテスト・システム「V93000」を寄贈した。さらにNXP Semiconductorsのエンジニアとともにラボのスーパーバイザーとして参加。学生が業界をリードする半導体試験プラットフォームに慣れ親しむことを通じて、コースの目的であるテスト・エンジニアの養成を支援する。
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| 6/21：大王製紙、CNF半導体材料の開発に着手 |
東北大学・東京大学・産総研と共同で NEDO プログラムに参画
～新規なバイオ半導体材料の開発、実用化を目指した開発スタート～
大王製紙は、セルロースナノファイバー（CNF）の新たな用途開発として、東北大学、東京大学、産総研と共同で半導体材料開発を開始する。
なお、本開発テーマは、NEDOの「NEDO 先導研究プログラム／新技術先導研究プログラム」に採択され、本年度より4者で共同研究を行う計画。
＜研究実施体制＞
植物由来の CNF が半導体特性を示すことは、前 東北大学未来科学技術共同研究センターの福原幹夫リサーチフェローらが見出しました。本研究開発は、この成果を用いて実用化することを目指したものであり、以下 4 グループと共同で進めていく計画です。
・東北大学 未来科学技術共同研究センター 橋田特任教授グループ
・東京大学大学院 農学生命科学研究科 磯貝特別教授グループ
・産総研 機能化学研究部門 セルロース材料グループ
・産総研 電子光基礎技術研究部門 化合物半導体デバイスグループ
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| 6/21：インテル、内部ファウンドリモデルのアップデートを提供 |
インテルは、新しい社内ファウンドリモデルへの移行が、2025年までに80億～100億ドル以上という同社の掲げたコスト削減目標を達成するための鍵となる。この新しいオペレーティングモデルは、インテルの社内製品がグループは、会社の製造グループとのファウンドリスタイルの関係に移行する。その結果、インテルが非GAAP粗利益率60％を達成するという長期的な目標を追求する中で、広範な効率性の向上が収益性の向上に反映されると予想している。
インテルの社内ファウンドリモデルで価値を推進
新しい運営モデルは、インテルの製造グループは初めて独立した損益計算書に責任を持つ。2024年第1四半期から、報告対象となる損益計算書には、製造、技術開発、インテル ファウンドリー サービス (IFS) を含む新しい製造グループ セグメントと、同社の製品グループのすべて。
長期的なマージンの野望をサポート
インテルの長期的な目標は、非 GAAP 粗利益率60％、営業利益率40％を達成すること。社内ファウンドリモデルは新たな機会を浮き彫りにし、これらの目標を推進するためにコスト構造の最適化につながる。
Intelは、2030年までに2番目に大きな外部ファウンドリになるという目標を以前から強調しており、引き続きの目標。内部ボリュームに基づく新モデルでは、同社は来年、製造収益が200億ドルを超える、第2位のファウンドリになると予想。
プレゼン資料
INDEX
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| 6/20：ヴィテスコとローム、SiCパワーデバイスの長期供給パートナーシップ契約を締結 |
最新のドライブ技術や電動化ソリューションの国際的な大手メーカーであるヴィテスコ・テクノロジーズ（ヴィテスコ）と、SiCパワーデバイスのリーディングカンパニーであるロームは、SiCパワーデバイスに関する長期供給パートナーシップ契約を締結した。その取引額は2024年から2030年までの期間で1300億円以上。
これは、両社が2020年に締結した「電気自動車向けパワーエレクトロニクスにおける開発パートナーシップ」に基づく。同パートナーシップでは緊密な技術連携を行い、電気自動車に最適なSiCパワーデバイス及びSiC搭載インバータの開発協議を行ってきた。
ヴィテスコは、共同開発の最初の成果として、ロームのSiCチップを搭載した先進的なインバータの供給を、早くも2024年から開始する予定で、既に大手2社の電気自動車への採用が決まっている。これは当初目標のスケジュールを前倒しする。
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| 6/20：ファブレスTop10、第1四半期は損益分岐点、第2四半期はAI需要で回復の期待、TrendForce |
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| 6/19：インテルとドイツ政府、マクデブルクのウェーハ製造拠点の範囲拡大で合意 |
この合意により、インテルはドイツに 2 つの最先端半導体施設を建設するための投資を拡大する。
インテルとドイツ連邦政府は、ドイツのザクセン アンハルト州の州都マクデブルクに計画されているインテルの最先端ウェーハ製造施設に関する修正意向書に署名した。この契約には、インテルの同サイトへの投資拡大が含まれており、欧州初の半導体施設2ヶ所に300億ユーロ以上になると予想されており、インセンティブを含む政府支援の強化も含まれる。
インテルは2022年11月にプロジェクト用の土地を取得し、欧州委員会によるインセンティブパッケージの承認後、最初の施設は4～5年以内に生産を開始する予定。現在のスケジュールと投資規模を考慮すると、インテルは当初の想定よりもさらに高度なオングストローム時代のテクノロジーを施設に導入する予定。マクデブルクのサイトは、インテル製品とインテル
ファウンドリー サービスの顧客にサービスを提供。
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| 6/17：【6月17日更新】くまもと臨空テクノパーク用地分譲企業を募集 |
くまもと臨空テクノパーク用地Ｂ区画の分割・分譲に係る公募を開始
熊本県では、「くまもと臨空テクノパーク」について、本県の更なる産業集積を図るため、同B区画を4区画に分割し、分譲を希望する先端技術企業等を公募する。
1 公募期間
令和4年6月16日（木曜日）から令和4年7月8日（金曜日）午後5時まで（申込書類必着）
2 分譲区画
くまもと臨空テクノパークB区画（熊本県上益城郡益城町大字小谷地内）
分譲区画図
3 分譲予定面積、分譲予定価格
（1）B－1区画 40,000.02平方メートル 600,000,300円
（2）B－2区画 30,045.74平方メートル 450,686,100円
（3）B－3区画 25,000.41平方メートル 375,006,150円
（4）B－4区画 26,178.40平方メートル 392,676,000円
※各区画とも、県及び益城町との間で、乗入口に係る協議が必要。それに伴い、分譲面積が減少する場合がある。
4 分譲対象企業
先端技術及び技術高度化を目指す製造業
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| 6/16：Infineon、SiCウエハーおよび結晶ブールの供給契約をTanKeBlueと締結し、調達基盤を多様化 |
Infineonは、SiCの調達基盤を多様化し、競争力のあるSiC供給元をさらに確保するため、中国のSiCサプライヤーであるTanKeBlueと長期契約を締結した。この契約により、TanKeBlueはインフィニオンに対して、競争力があり、高品質なSiC半導体製造用150mmウエハーおよび結晶ブールを供給し、長期的に予測される需要に対して２桁のシェアをカバーする。
本契約は、中国市場における車載、太陽光、EV充電、蓄電システムなどのためのSiC半導体製品の需要拡大に向けたサプライチェーンの安定化に寄与し、新たな半導体材料であるSiCの急成長を広く支えることにもなる。
本契約は第１段階では150mm SiC材料が中心ですが、TanKeBlue社は200mm SiC材料も提供し、インフィニオンの200mmウエハーへの移行をサポートする。
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| 6/16：Infineon、SiCウエハーおよび結晶ブールの供給契約をSICCと締結し、調達基盤を多様化 |
Infineonは、SiC材料の調達基盤を多様化し、競争力のあるSiC供給元をさらに確保するため、中国のSiCサプライヤーであるSICCと契約を締結した。この契約により、SICCはInfineonに対して、競争力があり、高品質なSiC半導体製造用150
mmウエハーおよび結晶ブールを供給し、長期的に予測される需要に対して２桁のシェアをカバーする。
本契約では、第一段階として150mmのSiC材料に焦点をあてているが、Infineonの200mmウエハーへの移行もサポートする。これにより、特に中国市場における車載、太陽光発電、EV充電、蓄電システムなどのためのSiC半導体製品の需要拡大に向けたサプライチェーンの安定化に寄与し、新たな半導体材料であるSiCの急成長を広く支える。
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| 6/16：Micron、西安の包装・試験工場に43億人民元以上を投資 |
Micronは、今後数年間で中国・西安の組立・試験施設に43億元以上を投資する計画を発表した。PTIセミコンダクター(西安)有限公司(PTI
Xi'an)のパッケージング機器を取得することを決定し、Micronの西安工場に新工場を建設し、中国の顧客のニーズをよりよく満たすために新しい高性能パッケージングおよびテスト機器を導入する予定。
この投資は、Micronのパッケージングとテストのグローバルフットプリントに沿ったものであり、西安で複数の製品ポートフォリオを製造する柔軟性が向上し、西安の施設でパッケージングとテスト事業を直接運営できるようになる。発表された新施設は、モバイルDRAM、NAND、SSD製品を製造するための新しい生産ラインを導入し、西安工場の既存のパッケージングおよびテスト機能を強化する。Micronはしばらくの間プロジェクトを準備しており、西安でのモバイルDRAMの生産の認証を開始した。
以前に達成された長期的な戦略的合意の下で、PTI Xi'anの機器は2016年からマイクロンの完全所有施設で稼働している。Micronは、中国での規制当局の承認を条件として、買収は約1年以内に完了する予定。
西安の従業員1,200名全員に新たな雇用契約を締結する。また、この新たな投資により、さらに500人の雇用が創出され、Micronの中国における従業員の総数は4,500人以上になる。
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| 6/16：インテル、ポーランドに組立およびテスト施設を計画 |
ポーランドのヴロツワフ近郊への投資は、ヨーロッパにおけるこの種初のエンドツーエンドの最先端製造半導体バリューチェーンの構築に。
・最大 46 億ドルの投資により、インテルは2,000人の雇用と、数千の間接サプライヤーおよび臨時建設の雇用が創出される。
・新しい施設は、今後数年間に予想される組み立ておよびテスト能力の需要を満たすのに役立つ
・施設はグリーンビルディングの原則に従って建設され、二酸化炭素排出量と環境への影響を最小限に抑えるために高い環境基準に従って運営される。
・インテルの投資は、欧州連合が半導体サプライチェーンの回復力を高めるという目標に向けて取り組むのに役立つ。
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| 6/16：経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定 |
認定供給確保計画
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事業者名 |
供給確保計画認定番号 |
供給確保計画の概要・備考 |
| 1 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
２０２３半導体第１号－１ |
令和５年４月２８日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は約159億円 |
| 2 |
イビデン株式会社 |
２０２３半導体第２号－１ |
令和５年４月２８日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は405億円 |
| 3 |
キヤノン株式会社
キヤノンセミコンダクター
エクィップメント株式会社 |
２０２３半導体第３号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は約111億円 |
| 4 |
株式会社レゾナック
株式会社レゾナックHD山形 |
２０２３半導体第４号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は103億円 |
| 5 |
住友電気工業株式会社 |
２０２３半導体第５号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は100億円 |
| 6 |
新光電気工業株式会社 |
２０２３半導体第６号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は約178億円 |
| 7 |
キオクシア株式会社
キオクシア岩手株式会社 |
２０２３半導体第７号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は約2.8億円 |
| 8 |
ソニーセミコンダクタ
マニュファクチャリング株式会社 |
２０２３半導体第８号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は約3.7億円 |
| 9 |
高圧ガス工業株式会社 |
２０２３半導体第９号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要 |
| 10 |
住友商事株式会社 |
２０２３半導体第１０号－１ |
令和５年６月１６日認定
供給確保計画の概要 |
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| 6/12：ファウンドリTop10、第1四半期に前四半期比20%収益減少、第2四半期も減少が予想、TrendForce |
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| 6/8：TSMC、3DFabricシステム統合テクノロジーの拡大における高度なバックエンドFab6を開設 |
TSMC は、3DFabric を実現する当社初のオールインワン自動高度パッケージングおよびテスト工場である Advanced Backend
Fab 6 を開設した。 フロントエンドからバックエンドまでのプロセスとテスト サービスを統合。この工場は、TSMC-SoIC (System
on Integrated Chips) プロセス技術の量産のために準備されている。
Advanced Backend Fab 6 により、TSMC は、SoIC、InFO、CoWoS、高度なテストなどの TSMC 3DFabric
高度なパッケージングおよびシリコン スタッキング テクノロジーに柔軟にキャパシティーを割り当てることができ、生産歩留と効率が向上する。
Advanced Backend Fab 6 の建設は 2020 年に開始され、次世代の HPC、AI、モバイル アプリケーション、その他の製品をサポートし、顧客が製品の成功を達成し、市場機会を獲得できるよう支援。
竹南サイエンスパークに位置するこの工場の基本面積は 14.3ヘクタールで、TSMC の他の先進的なバックエンド工場の合計よりも広いクリーンルーム面積を備えた。TSMC
のこれまでで最大の先進的なバックエンド工場となっています。TSMCは、この工場には年間100万枚以上の12インチウェーハ相当の3DFabricプロセス技術を生産する能力を持ち、年間1,000万時間以上のテストサービスを提供できる。
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| 6/6：Rapidus、北海道における次世代半導体プロジェクト説明会及び工事計画等説明会概要 |
Rapidusは北海道および千歳市と共催し、 2023年5月22日、千歳市において、千歳市民をはじめ北海道民の理解を深めていただく目的から、次世代半導体プロジェクトや工事計画の説明会を実施した。
第1部「北海道における次世代半導体プロジェクト説明会」では、Rapidus取締役会長の東哲郎、北海道知事の鈴木直道氏、千歳市長の横田隆一氏が挨拶し、Rapidus代表取締役社長の小池淳義、経済産業省商務情報政策局長の野原諭氏、北海道副知事の土屋俊亮氏、IBMシニア・バイス・プレジデントのダリオ・ギル氏が講演。
次世代半導体プロジェクト紹介
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| 6/5：GlobalFoundriesとSTMicroelectronics、フランスの新しい 300mm半導体製造施設に関し最終合意 |
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GlobalFoundriesと、ST マイクロエレクトロニクスは、クロル（フランス）に新しい共同運営の大量半導体製造施設を設立する契約を締結。
このプログラムは、設備投資、メンテナンス、付随費用として、全体で 75 億ユーロの費用が見込まれる。新しい施設は、フランス(Bpifrance
が管理) からの多大な財政支援の恩恵を受ける。この支援策は、欧州チップ法と「フランス2030」計画の一部に定められた目標に沿ったもので、最近欧州委員会から承認を得た。
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| 6/5：ニデックとルネサス、EV向け次世代E-Axleの半導体ソリューションで協業 |
ニデックとルネサスは、電気自動車（EV）向けの駆動モータと様々なパワーエレクトロニクスを統合した次世代「E-Axle」の半導体ソリューションでの協業に合意した。
現在、電気自動車ではE-Axleと呼ばれる、モータ、インバータ、ギヤを一体化した3-in-1ユニットの採用が増えている。そしてさらに、高性能・高効率と、小型軽量・低コストを同時に実現し、車両開発の効率化を図るため、DC-DCコンバータ、オンボードチャージャ（OBC）などのパワーエレクトロニクス制御を統合する動きが加速している。特にEV先進国の中国市場は、複数の自動車メーカで複数の機能が統合されたX-in-1ユニットがプラットフォーム化され、多くの車種において採用が進んでいます。
一方、複数の機能を統合し、より複雑になったX-in-1は、車載グレードの品質を維持することがさらに困難になる。そのため、自動車の安心・安全を実現するには診断機能や故障予知などの予防安全技術の開発が必要となる。両社は、ニデックのモータ技術と、ルネサス半導体技術を持ち寄り、業界最高水準の高性能・高効率と、小型軽量・低コストを同時に実現するX-in-1システム向けに、高品質・高機能なPoC（Proof
of Concept：概念実証）を共同開発することで合意した。
第一弾として、2023年末までにモータ、インバータ、ギヤに加え、DC-DCコンバータ、OBC、電力分配ユニット（PDU）を搭載した6-in-1のPoCを開発する計画。
2024年には第二弾として、バッテリマネジメントシステム（BMS）他も統合してさらに集積度を高めたX-in-1のPoCを開発する予定。第一弾のPoCでは、パワーデバイスにはSiCを搭載するが、第二弾では、DC-DCやOBCのパワーデバイスを高周波動作が得意なGaNに置き換えることで、さらなる小型化と低コスト化を図る。
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| 6/2：ルネサスがPanthronics社の買収を完了 |
～NFC技術を搭載した13種類の「ウィニング・コンビネーション」の提供を開始～
ルネサスは、高性能ワイヤレス製品に特化したファブレス半導体企業Panthronics AG（オーストリア、パントロニクス）の買収について、関係当局の承認取得を経て、6月2日付で完了した。あわせてルネサスは、自社製品とPanthronicsの特色あるNFC（Near-Field
Communication：近距離無線通信）技術で構成された、13種類のソリューション「ウィニング・コンビネーション」を発表した。これまでルネサスは、コネクティビティ関連のポートフォリオを拡張してきたが、今回の「ウィニング・コンビネーション」は、その成果の一つ。
ルネサスとPanthronics社の製品を組み合わせた「ウィニング・コンビネーション」13種類
・スマートNFCアクセス制御システム
・モバイルPOS端末
・電気自動車（EV）充電器用高性能ウォールボックス
・従量制電気自動車（EV）充電ステーション
・単相電力メータ
・グリーン産業革命に向けた3相スマート電力メータ
・シングルボードコンピュータ
・高性能ヒューマンマシンインターフェース（HMI）システム
・ホームアプライアンス用ヒューマンマシンインターフェース（HMI）ソリューション
・IoT 通信ゲートウェイ ハブ
・超低消費電力Wi-Fi とBluetooth Low Energy搭載のスマートロック
・個人用安全トラッカー
・NFC認証を備えたプリンタコントロールパネル
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| 6/1：ADEKA、半導体/中期経営計画 |
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| 6/1：キオクシア、横浜市内の2つの新たな研究・技術開発施設の稼働を開始 |
横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロント
キオクシアは、研究・技術開発拠点の横浜テクノロジーキャンパスに建設した技術開発新棟「Flagship棟」と、新設する「新子安テクノロジーフロント」が完成し、本日稼働を開始した。今後、神奈川県内に分散していた部門を両施設に集結させて研究開発の効率性を高めるとともに、将来の人員増強にも対応していく。さらに、働きやすい環境でのさらなるイノベーションの創出を促す。また地域社会との連携を進める。
Flagship棟の新設により、広さが2倍となり、製品評価機能を拡充することで、製品開発強化ならびに品質向上を目指す。またFlagship棟は環境に配慮した設計を採用し、省エネルギー設備も備えることで「ZEB
Ready」の認定も取得する。
先端研究用のクリーンルームを設置する新子安テクノロジーフロントは、新材料や新プロセス、新デバイスなどの幅広い先端研究を行います。クリーンルームは環境に配慮した設計を採用する。
横浜テクノロジーキャンパス Flagship棟
所在地：横浜市栄区笠間2丁目
建物規模：6階建て
延床面積：約40,000㎡
新子安テクノロジーフロント
所在地：横浜市神奈川区守屋町3丁目
建物規模：4階建て
延床面積：約13,000㎡
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| 5/30：米国政府、GlobalFoundries がニューヨーク施設で信頼できる半導体を製造することを認定 |
米国国防総省(DoD)は、国防マイクロエレクトロニクス活動 (DMEA)、トラステッド アクセス プログラム局 (TAPO) を通じて、GlobalFoundries(GF)の先進製造施設を認定した。
2022年、国防総省は製造能力拡大・投資優先局(MCEIP)を通じて、GFの差別化された45nm SOIプラットフォーム上でニューヨーク州マルタで製造された米国製半導体を戦略的に供給するという1億1,700万ドルの契約をGFと締結した。この認定により、GF のニューヨーク施設の米国国際武器取引規則 (ITAR) および輸出管理規則 (EAR) に基づく非常に制限の厳しい輸出管理分類番号への準拠が強化される。GFはマルタとニューヨークで2,500人の従業員を雇用、施設に150億ドル以上を投資している。GFはバーモント州の施設で国防総省向けのTrusted半導体チップも製造している。
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| 5/30：東海理化、半導体事業の拡大/中期経営計画 |
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| 5/30：富士電機、生産拠点と施策/半導体事業戦略 |
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| 5/29：三菱電機、半導体・デバイス事業/経営戦略説明会2023 |
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| 5/26：ルネサス、「千葉県東方沖地震」による当社事業活動への影響について |
5月26日（19：03頃）に千葉県東方沖を震源地とする最大震度5弱の地震が発生した。
当社グループ拠点として、震源地付近には、那珂工場があるが、建屋や用役および製造装置には被害は見られず、工場の操業を継続。一部装置が停止したが、生産への影響はなし。
また、本地震に関連したサプライヤ様、協力会社様等を含めた、サプライチェーン全体での影響についても確認を行っており、当社事業に影響を及ぼす事態が判明した場合には、状況をお知らせします。
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| 5/26：三菱電機、米国Coherentと8インチSiC 基板共同開発について基本合意書を締結 |
高品質な8インチSiC基板を共同開発しSiCパワーモジュールの安定供給に貢献
三菱電機は、Coherentとパワーエレクトロニクス市場向け8インチSiC基板の共同開発について基本合意書を締結した。
SiCパワーモジュールは、従来のシリコンウエハを用いたパワーモジュールに比べて低電力損失で、高温動作や高速スイッチング動作が可能となるため、省エネルギーや脱炭素化による
GX（Green Transformation）実現への貢献が期待され、電気自動車分野などで市場の急拡大が見込まれる。
当社はこの市場の拡大に対応するため、8インチ対応の新工場棟を建設し2026年に稼働開始する予定。当社は今回の基本合意に基づき、この新工場棟で生産する SiC パワーデバイスに使用する高品質な8インチSiC基板を Coherent と共同開発することで、パートナーシップを強固なものとし、SiC パワーモジュールの安定供給を目指す。
Coherent は、SiC 材料を長年開発しており、2015 年に世界初 の 8 インチ導電性基板を実証し、2019 年に欧州委員会が設立した
Horizon 2020 のもとで8インチSiC基板の供給を開始。
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| 5/25：ADEKA、千葉工場 最先端フォトレジスト向け光酸発生剤 生産設備が竣工 |
ＡＤＥＫＡは、千葉工場で建設中であったＥＵＶフォトレジスト向け光酸発生剤の生産設備が完成し、竣工式を執り行いました。先端材料の需要が高まっていることから、2023年8月より稼働予定。
ＡＤＥＫＡは半導体の微細化に欠かせない先端材料の提供を通じて、情報・電子化学品の事業拡大を進めてきた。ロジック半導体向けでは、先端リソグラフィ工程で使用されるフォトレジスト向け光酸発生剤「アデカアークルズ」シリーズは、当社の強みである光制御技術とメタル管理技術で世界トップクラスの性能を有し、販売が伸長している。微細化進行によるＥＵＶ露光向けフォトレジストの需要増加を見据え2021年8月に設備投資を決定し、建設を進めていた。
竣工した生産設備では、生産能力が従来の2倍以上。また、新たなプロセス技術を投入したほか、最先端設備の導入で品質管理能力を高め、1ppb未満の低メタル管理を実現する。さらに、次世代向け新製品を想定した生産設備も導入した。
概要
所在地：千葉工場（千葉県袖ケ浦市北袖3-1）
投資金額：約27億円
延床面積：1,698平方メートル（2020年度時点：280平方メートル）
能力増強：従来比2倍以上
スケジュール：稼働：2023年8月（予定）
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| 5/25：北海道における次世代半導体プロジェクト説明会及び工事計画等説明会 |
北海道における次世代半導体プロジェクト説明会及び工事計画等説明会(YouTube)
【第１部】北海道における次世代半導体プロジェクト説明会
■「我が国の半導体政策動向」（経済産業省）
・経済産業省1-1 (PDF 2.14MB)
・経済産業省1-2 (PDF 2.43MB)
■「Rapidusとともにデジタル産業の集積を目指す」（北海道）
・北海道1-1 (PDF 1.57MB)
・北海道1-2 (PDF 2.24MB)
■「次世代半導体プロジェクト紹介」（Rapidus（株））
・Rapidus1-1 (PDF 1.67MB)
・Rapidus1-2 (PDF 2.1MB)
【第２部】工事計画等説明会
■工事計画等説明会」（Rapidus（株））
・工事計画1-1 (PDF 2.85MB)
・工事計画1-2 (PDF 1.25MB)
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| 5/25：電子デバイス産業新聞、第29回「半導体・オブ・ザ・イヤー2023」発表 |
第29回（2023年5月25日発表）
| ■半導体デバイス部門 |
| グランプリ |
キオクシア、
Western Digital |
「高度なスケーリング技術とウェーハボンディング技術を
採用した218層 3次元フラッシュメモリー」 |
| 優秀賞 |
ルネサス
エレクトロニクス |
xEV向けインバータ用新世代パワー半導体Si IGBT |
| 優秀賞 |
佐賀大学、Orbray |
「ダイヤモンド半導体パワーデバイスの世界最高の
出力電力・電圧」 |
| ■半導体製造装置部門 |
| グランプリ |
ニューフレアテクノロジー |
3nm+ノード世代の半導体製造用マスク量産に
対応したマルチ電子ビームマスク描画装置「MBM-2000PLUS」 |
| 優秀賞 |
SCREEN
セミコンダクター
ソリューションズ |
次世代パワーデバイス向けウエハー外観検査装置「ZI-3600」 |
| 優秀賞 |
東レエンジニアリング |
マイクロLED転写装置「MT3000L」の開発と
マイクロLED ディスプレイ製造のトータルソリューションの展開 |
| ■半導体用電子材料部門 |
| グランプリ |
大日本印刷 |
「次世代半導体パッケージ向け"TGVガラスコア基板"」 |
| 優秀賞 |
レゾナック |
SiCハイグレードエピ第3世代品を開発、量産を開始 |
| 優秀賞 |
ダイセル |
半導体を守る「ナノひっつき虫」 |
INDEX
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| 5/25：Orbray、秋田県湯沢市に新本社及び新工場を建設 |
Orbrayは、湯沢市成沢地区にある成沢工業団地及び県有地（旧湯沢商工高校跡地）を2025年に取得し、2026年には同地へ本社機能の一部移転ならびに本社移転登記を行い、2032年までに既存工場の移転集約など行う方針を決定。
国内では秋田県を中心に、精密宝石部品、光通信部品、ダイヤモンド基板などを製造販売した。近年は業績及び財務が改善した中、今回の新本社及び新工場の建設により、既存工場の老朽化対策及び新規ビジネス含めて国内事業を更に強化していく方針。
■新本社・新工場概要
【所在地】秋田県湯沢市成沢字柴山1番 他
【生産品目】精密宝石部品、光通信部品、ダイヤモンド基板、EV用部品など（予定）
【建設開始】2025年後半（予定）
【建設終了】2032年末 （予定）
【土地面積】約 55,000平米
【建物延床面積】約 35,000平米（予定）
【投資額】約 100億円（予定）
【人員数】約800名（2032年度）
【参考】新本社・新工場建設計画～Orbrayの更なる発展に向けて～
INDEX
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| 5/24：ソニーセミコン、熊本県合志市土地取得予定(事業説明会2023) |
イメージング&センシング・ソリューション（I&SS）分野
INDEX
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| 5/24：Orbray、直径2インチ超高純度ダイヤモンドウェハの量産に成功 量子コンピュータの実現に目途 |
アダマンド並木精密宝石は、超高純度の直径2インチのダイヤモンドウェハの量産技術を開発した。量子コンピュータに使う量子メモリや超高感度の磁気センサーには窒素濃度3
ppb以下の超高純度ダイヤモンドが用いられ、開発が加速しているが、これまで、使えるダイヤモンド結晶は4mm角程度の寸法。今回、開発したのは、超高純度で直径2インチのダイヤモンドウェハ。今後、量子コンピュータの実現につながることが期待される。本製品は2023年に製品化の予定。
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| 5/23：ASM、韓国華城に新たな最先端のイノベーションと製造センターを建設 |
ASM International NV は、拡張されたイノベーションおよび製造センターの起工式を行い、韓国華城 (東灘) への1億米ドルの複数年投資を実現する象徴的な第一歩を踏み出す。この開発は、今年初めにASMと韓国産業通商資源部（MOTIE）との間で、2025年までにこの投資を実行するというASMの意図に関する覚書に署名したことに続く。
起工式は、ASMの戦略的拡大を示すものであり、今後数年間に予想される半導体需要の増大に応える重要な一歩。この投資により、ASM の研究および製品開発インフラが強化されるとともに、製造能力が追加される。
この投資により、ASM は、エンジニアリング、研究開発、製造において、韓国でのトレーニングと労働力開発に貢献する新たな雇用機会の創出にも取り組んでいる。
ASM の華城施設では現在450名以上の従業員が働いており、施設の拡張に伴いその数は増加すると予想。現在の建物の面積は20,000m2強で、新たな増築によりさらに31,000m2が追加される。この拡張により、華城施設の研究開発面積は2倍以上となり、製造面積はほぼ3倍となる。
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| 5/23：経産省、「輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令の一部を改正する省令」等の改正の概要について |
※令和５年５月２３日（火）公布、令和５年７月２３日（日）施行
輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令の一部を改正する省令（令和５年経済産業省令第２５号）
「輸出貿易管理令の運用について」等の一部改正について（令和５年５月２３日付け輸出注意事項２０２３第７号）
INDEX
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| 5/22：東京エレクトロン、「半導体の人材育成と研究開発に関する未来に向けた日米大学間パートナーシップ(UPWARDS)」への参画について |
東京エレクトロンは、このたび、日米の大学によって構成される「半導体の人材育成と研究開発に関する未来に向けた日米大学間パートナーシップ(UPWARDS*)」に参画する。
IoT、AI、5Gの普及、あらゆる産業のスマート化、自動運転の進化、そして注目を集めているメタバースの活用など、かつてないスピードでデータ社会への移行が進んでいく中、その根幹を支える半導体においては、さらなる大容量、高速、高信頼性、低消費電力など、技術革新への期待は留まるところを知りません。
本プログラムは、このような社会背景のもと、将来の半導体の技術革新を支える学生、研究者などの育成を支援するとともに、女性研究者・学生へのさらなる機会提供をおこなうもの。
本プログラムの趣旨は、業界のリーディングカンパニーとして培った装置メーカーとしての専門性を生かし、半導体の技術革新を追求することで夢のある社会の発展に貢献していくという当社の考え方と合致している。本プログラムへの参画を通じて、将来の半導体の技術革新をリードする人材輩出に寄与することを目指す。
*U.S.-Japan University Partnership for Workforce Advancement and Research & Development in Semiconductors
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| 5/22：Micron、次世代メモリ製造の推進と高度な半導体人材の育成に向けた広島県との連携を発表 |
Micronは、湯﨑広島県知事と高垣東広島市長を同社広島拠点に迎え、マイクロンの社長兼CEO メロートラ主催のイベントを開催した。今回の来訪は、Micronが先頃発表した半導体製造での日本のリーダーシップ強化支援の取り組みを受けたもの。Micronは日本政府による支援を前提に、EUV技術を日本に初めて導入し、1γノードによる次世代DRAMの製造を行うと発表した。また、「UPWARDS
for the Future（半導体の未来に向けた人材育成と研究開発のための日米大学パートナーシップ）」の創設に参画し、広島大学を含む日米の11大学とともに、両国でのより強固で高度な技術を持つ半導体人材の育成を目指す。
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| 5/22：AMAT、シリコンバレーに数十億ドル規模のR&Dプラットフォームを新設、半導体イノベーションを加速 |
・歴史に残るような投資で EPIC センターを設立、世界最大かつ最先端の施設で半導体プロセス技術 と製造装置の R&D 協業を推進
・半導体メーカー各社は、半導体装置メーカーの R&D ファブ内に初めて専用スペースを構え、次世 代プロセスや装置の早期提供を受けて製品ロードマップの実現を加速
・大学の研究者は新設の EPIC センターやアプライド マテリアルズが管理する学内サテライトラボ で産業規模の装置を活用し、新しいアイデアの妥当性確認や業界が求める人材の育成が可能
主要半導体メーカーやコンピューティング企業各社（AMD、IBM、Intel、Micron、NVIDIA、 Samsung、TSMC、Western Digital など）から、本日の発表に対するコメント
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| 5/21：文科省、永岡大臣がブリンケン米国国務長官と教育協力に関する覚書に署名 |
永岡大臣は、G7広島サミットが行われている広島を訪れ、サミットに合わせて来日されたブリンケン国務長官と教育協力に関する覚書に署名を行った。
これは文部科学省と国務省の間のはじめての覚書で、本覚書に基づき、両国の中等教育、高等教育及び研究分野における協力活動を強化するとともに、両省の政策対話を定期的に開催することを目的する。
永岡大臣は、本協力覚書と合わせて、日米の大学や企業が両国にとって戦略的に重要な分野である量子分野及び半導体分野での協力協定を締結することを歓迎し、日米間の産学連携が発展し、次世代を担う人材が育成されるとともに、このような協力関係が、両国の他の大学においても拡大していくことを強く期待していると述べた。
また、ブリンケン国務長官は、日米の政府間が覚書を結び、両国の素晴らしい企業や大学が国を越えて連携することによって、若者の交流や、半導体、量子等の未来の基盤となる分野の協力が一層促進されることを期待すると述べた。
文部科学省は、日米間の教育交流強化に向けて、国務省と緊密に連携する。
左：永岡大臣 右：ブリンケン米国国務長官
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| 5/21：駐日米国大使館、日米による画期的な教育パートナーシップの立ち上げ |
広島にて、ラーム・エマニュエル駐日米国大使は、教育分野におけるさまざまな画期的な取り組みの立ち上げに参加した。教育に関するこの協力覚書には、ブリンケン国務長官と永岡文部科学大臣が署名した。署名後に日米の大手テクノロジー企業と主要大学は、量子コンピューティングや半導体工学に特化した学術パートナーシップに2億1000万ドル以上を投資すると発表した。
エマニュエル大使は、「これらのパートナーシップが目指すのは、経済機会をとらえ、経済安全保障を強化することです。私たちは一流企業と一流大学をつなぎ、主要技術で優位に立ち、それをリードしていきます」と述べた。
協力覚書により、日米は高官レベルの教育対話を毎年実施する。これにより両国政府は、学生、大学教員、研究者が、安全で信頼のおける技術を生み出す機会を創出できる。
覚書への署名と並行して、米テクノロジー企業のIBM、グーグル、マイクロン、そして名門大学13校は、量子科学と半導体の研究開発における画期的な一連のパートナーシップを立ち上げた。これらのパートナーシップには、企業による2億1000万ドル以上の出資が含まれており、経済機会と経済安全保障の促進に向け、主要技術で信頼のおける仲間と共に、人材パイプラインの強化を目指す。
IBMは、10万量子ビットを搭載した世界初の量子スーパーコンピューターの開発において、シカゴ大学と東京大学に今後10年間で1億ドルを拠出するパートナーシップを発表した。
グーグルは、研究開発と人材育成において、東京大学およびシカゴ大学と戦略的パートナーシップを結び、今後10年間で5000万ドルを拠出。
マイクロンは、パデュー大学、ロチェスター工科大学、レンセラー工科大学、ワシントン大学、ボイシ州立大学、バージニア工科大学、広島大学、東北大学、九州大学、名古屋大学、東京工業大学の計11校と半導体工学に関するパートナーシップを立ち上げ、今後5年間で6000万ドルを拠出。東京エレクトロンもこのパートナーシップ創設に加わり、支援する。
エマニュエル大使は、「教育とは未来のリーダーと経済に向けた先行投資であり、私たちは日米両国とその関係の未来に目を向け投資しているのです。これは始まりにすぎません。信頼のおけるパートナーとの人材パイプラインの開発はここから始まり、今後も続いていきます」と述べた。
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| 5/21：Micron、UPWARDS for the Future（半導体の未来に向けた人材育成と 研究開発のための日米大学パートナーシップ）を創設 |
両国での次世代人材の育成と半導体基盤研究の発展を目指す、11大学の強力なネットワーク
Micronは、「U.S.-Japan University Partnership for Workforce Advancement and
Research & Development in Semiconductors（UPWARDS） for the Future：半導体の未来に向けた人材育成と研究開発のための日米大学パートナーシップ」の創設を発表した。このパートナーシップは、日米両国でのより強固で高度な技術を持つ半導体人材の育成を目的とし、半導体のカリキュラムを履修する学生の増員を目指すとともに、新たな研究活動の推進を支援する。ブリンケン米国国務長官と永岡文部科学大臣がこの覚書に調印し、日米の技術分野での競争力と強靭性を向上させる一歩を踏み出した。
Micronと米国国立科学財団（NSF）、その他の業界パートナーにより設立されたUPWARDS for the Futureには日米の11大学が集まり、最先端の半導体カリキュラムを策定し、相互協力の機会を創出します。創設に参画した大学は、質の高い教育だけでなく、将来の産業界の人材育成に不可欠なDEI（多様性、平等性、包摂性）やSTEM分野での男女平等格差の解消へのコミットメントで定評がある。
１１大学
- 広島大学
- 九州大学
- 名古屋大学
- ボイシ州立大学
- パデュー大学
- レンセラー工科大学
- ロチェスター工科大学
- 東北大学
- 東京工業大学
- ワシントン大学
- バージニア工科大学
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| 5/19：ルネサス、製造拠点(2023 Capital Market Day) |
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| 5/18：トレックス・セミコン、生産キャパ確保と増産投資/2023年決算説明 |
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| 5/18：首相官邸、グローバル半導体企業トップとの意見交換会 |
岸田総理、意見交換
記念撮影
岸田総理は、総理大臣官邸でグローバル半導体企業トップとの意見交換会を行った。
岸田総理は、「本日は、半導体やコンピューティングに関する海外トップ企業の皆様方から、日本企業と連携した投資、あるいは次世代半導体開発への協力、こうしたことにつきまして御説明いただきました。
貴重なお話を聞かせていただきましたことに心から感謝申し上げます。我が国の半導体産業復活、また日本への投資の拡大を目指して、私も政権発足以来、取り組んできました。そしてその中で本日の皆様方の日本に対する投資に関しての前向きな姿勢を大変うれしく思っております。
本日お伺いした話も参考にさせていただきながら、政府を挙げて、対日直接投資の更なる拡大、また、半導体産業への支援に取り組んでいきたいと考えております。
こうした方針については、我が政府の基本的な方針であります、骨太の方針に盛り込んでいきたいと考えております。
そして本日、この後、Ｇ７広島サミットの会場であります広島に向かうことになっておりますが、グローバル・サプライチェーンの安定化という世界的な課題についても、議長国として議論をリードし、そして国際的な連携を強化していきたいと考えています。
改めて貴重なお話を聞かせていただきましたことに感謝申し上げ、また更なる日本への投資を心から期待しておりますことを申し上げて、御挨拶とさせていただきます。誠にありがとうございました。」
西村経済産業大臣は、グローバル半導体企業トップとの意見交換会に出席（経済産業省ＨＰ）
意見交換会には、
マーク・リュウ TSMC会長
パット・ゲルシンガー インテルCEO
サンジェイ・メロトラ マイクロンCEO
ケ・ヒュン・キュン サムスン電子CEO
プラブ・ラジャ アプライドマテリアルズ・プレジデント
ダリオ・ギル IBMシニアバイスプレジデント兼IBMリサーチ・ディレクター
マックス・マスー・ミルゴリ IMECエグゼクティブバイスプレジデント
が出席
各社からはAIをはじめとした最先端技術を支える半導体の重要性について説明するとともに、各社の日本での前向きな取組の意思表明があった。
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| 5/18：Micron、日本にEUV技術を導入し次世代メモリの製造を推進 |
EUV技術を日本に導入し、高度なパターニング技術を活用した1γノードによる次世代DRAMの製造を行う。Micronは、日本で初めて量産にEUV技術を導入する半導体企業となり、同社の広島工場は1γノードの開発で重要な役割を果たす。Micronは日本政府による支援を前提に、次の数年で1γプロセス技術に最大5,000億円を投資し、急速に台頭している生成系AIアプリケーションに代表される新たな技術革新の波をエンド・ツー・エンドでサポートする。
Micronの1γの導入は、現在、業界最先端のDRAMノードとなる1βの開発に続くもので、Micronは、広島工場で同社初となる1βによる量産を開始している。Micronは、2025年以降に台湾と日本でEUVを用いて1γを立ち上げる計画を引き続き進捗中。
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| 5/17：先端システム技術研究組合（東京大学、アドバンテスト、凸版印刷、日立製作所、ミライズテクノロジーズ、理化学研究所）、チップ設計の民主化に向けた次世代先端半導体設計プラットフォームの研究開発を開始 |
【概要】
東京大学、アドバンテスト、凸版印刷、日立製作所、ミライズテクノロジーズ、理化学研究所は、「先端システム技術研究組合（RaaS)」において、2023年4月1日から新たな先端システム技術の研究開発への取組みを始めた。
【背景】
デジタルトランスフォーメーションの実現の鍵を握るのは、フィジカル空間とサイバー空間をシームレスに繋ぐデータの活用。IoTデバイスでセンシングしたデータを
5Gで集め、AI で高度な分析を加えてサービスとして提供するデータ駆動型社会を支えるシステムが求めらる。
こうしたデジタル技術やそれを活用した製品やサービスは、プラットフォームを通じて発展・普及するため、従来のコストパフォーマンスに加え、タイムパフォーマンスも求められる。すなわち、安く高性能であるだけでなく、早く提供することも重要。しかし、製品やサービスを実現するための専用チップを最先端のプロセスで製造すると、高い性能を得ることができる一方で、開発に多大な費用と年月を要することが課題とされてきた。
【事業の概要】
RaaS の研究開発目標は、専用チップの開発効率を10倍に高めると同時に、エネルギー効率を10倍に高める。
開発効率を高めるために、専用チップを素早く設計できるアジャイル設計手法を研究開発する。専用チップを設計・製造するにあたり課題となるのは開発コストですが、RaaSの新たな取組みでは、組合員が共同利用できる次世代先端半導体開発プラットフォームを研究開発することで、チップ設計と製造を民主化する。
また、エネルギー効率を高めるために、世界のメガファウンドリの7nm以降のCMOSプロセスを利用し、組合員の実現したいシステムを搭載したチップを製造する。このようにして開発されたエネルギー効率の優れた半導体チップを活用し、各組合員は自らが実現したいシステムを開発して事業化する。
【体制】
RaaS のシステム系研究部門は、東京大学、アドバンテスト、凸版印刷、日立製作所、ミライズテクノロジーズ、理化学研究所の6組合員で活動する。各法人の事業領域で求められるシステムをテーマに、先端半導体開発プラットフォームを共同で研究開発する。加えて、半導体産業界のエコシステムを支える
EDA ベンダーや半導体ファウンドリがこの活動を支援する。
【期待される成果】
誰でも専用チップを素早く設計でき最先端半導体技術で製造できるようにし、シリコン技術を民主化する。
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| 5/16：富士フイルム、台湾に最先端半導体材料の工場を新設 |
半導体製造プロセスの基幹材料であるCMPスラリーなどの生産能力を大幅向上
既存工場の設備増強も実施、総額約150億円
富士フイルムは、電子材料事業をさらに拡大するため、台湾に最先端半導体材料の工場を新設する。今回、半導体材料の台湾現地法人であるFUJIFILM Electronic Materials Taiwan（FETW）が、台湾新竹市に新たな土地を取得し、CMPスラリーやフォトリソ周辺材料を生産する新工場を建設。2026年春に稼働させる予定。
また、台南市にある既存工場（台湾第3工場）でも設備増強を実施。建設中の新棟にCMPスラリーの製造設備などを導入し、2024年春に稼働させる計画。尚、新工場の建設と既存工場への設備増強をあわせた設備投資額は、約150億円。
設備投資の概要
（1）新竹市の新工場
1.場所：新竹市湖口工業団地
2.主な投資内容：製造・倉庫・オフィス機能を備えた新工場の建設
CMPスラリーやフォトリソ周辺材料の製造設備や品質評価機器の導入
工場敷地内への太陽光発電パネルの設置
3.着工時期：2024年春
4.稼働開始時期：2026年春
（2）台南市の既存工場（台湾第3工場）
1.場所：台南市善化區南部科學園區
2.主な投資内容：新棟の建設
CMPスラリーや現像液の製造設備や品質評価機器の導入
3.着工時期：2022年9月
4.稼働開始時期：2024年春
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| 5/16：KLAとimecが自動車産業の電動化推進に向けたMOUを発表 |
KLAとimecは、加速に必要な人材基盤とインフラストラクチャの開発に焦点を当てた半導体人材および自動車研究（STAR）イニシアチブを設立する意向を発表。電動化と自動運転モビリティのための先進的な半導体アプリケーションを開発し、自動車産業を前進させる。この取り組みは、imec
と KLA の 25 年以上にわたる協力に基づく。
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| 5/16：NXPとTSMC、業界初の車載用16nm FinFET組み込みMRAMを提供 |
・NXPとTSMC、TSMC 16nm FinFETテクノロジーで組み込みMRAM IPを共同開発
・MRAM を使用すると、自動車メーカーは新機能をより効率的に展開し、無線 (OTA)
アップデートを加速し、生産のボトルネックを取り除くことができる
・NXP の次世代 S32 ゾーン プロセッサと汎用車載 MCU は、
2025年初頭にサンプルされる最初の製品となる予定
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| 5/15：ADI、アイルランドの次世代半導体 研究開発・製造施設に6億3,000万ユーロを投資 |
・新施設は、デジタルバイオロジー、電気自動車、ロボティクスなど、最先端アプリケーションの
進歩の加速を支援
・新たな投資は、アイルランド・リムリックにあるアナログ・デバイセズ欧州地域本部の600人の
新規雇用とウエハー生産能力の3倍増をもたらす見込み
・この投資は、アイルランドとして初めて欧州委員会に申請した
｢マイクロエレクトロニクスと通信技術に関する欧州共通利益に適合する重要プロジェクト
(IPCEI ME/CT)｣の一環
アナログ・デバイセズ(ADI)、アイルランド・リムリックのラヒーンビジネスパークにある欧州地域本部に新たに6億3,000万ユーロを投資する。この投資により、45,000平方フィートの最先端の研究開発・製造施設を新たに建設する計画。
新施設は、インダストリアル、オートモーティブ、ヘルスケア、およびその他の分野のデジタルトランスフォーメーションを加速するために設計された、ADIの次世代信号処理イノベーションの開発をサポートする。また、ADIの欧州でのウエハー生産能力は3倍に増強される見込みで、グローバルサプライチェーンのレジリエンスを高め、顧客ニーズへの対応能力を強化するために社内生産能力を倍増するという目標に沿ったものとなっている。この投資により、アイルランド中西部地域におけるADIの雇用は600人分増加する見込みであり、現在のADIのアイルランドの従業員数1,500人、欧州全体3,100人への大幅増加。
今回の発表に先立つ1年前に、ADIはリムリック・キャンパスにある、イノベーションとコラボレーションに特化した10万平方フィートの施設｢ADI Catalyst｣に関する1億ユーロの別の投資計画を発表。アイルランドはADIの主要な欧州研究開発センターの本拠地でもあり、同センターは設立以来1,000件以上の特許を取得し、スペイン、イタリア、英国、ルーマニア、ドイツと欧州各地にADIの研究開発拠点を開設してい。
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| 5/15：熊本県立技術短期大学、半導体技術科の新設及び半導体人材の育成について |
令和6年(2024年)4月に新設する半導体技術科の概要及び半導体人材の育成について
・熊本県立技術短期大学校 半導体人材の育成について（PDF）
・熊本県立技術短期大学校 リーフレット（PDF）
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| 5/12：サンケン電気、設備投資＆生産改革マネジメント |
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| 5/11：ミネベアミツミ、アナログ半導体事業中期計画/決算説明会 |
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| 5/10：富士フイルム、米国の半導体材料メーカーEntegrisの半導体用プロセスケミカル事業を買収 |
重点事業分野である電子材料事業の成長を加速
富士フイルムは、米国の半導体材料メーカーEntegrisの半導体用プロセスケミカル事業を買収する。
当社は、Entegrisのグループ会社で半導体用プロセスケミカル事業をグローバルに展開するCMC Materials KMG Corporation（KMG）の発行済全株式を取得する株式売買契約を締結した。今回の買収を通じて、製品ラインアップ拡充による顧客提案力の強化や、より強固なグローバル製造体制の構築などを図り、当社電子材料事業の成長を加速する。なお、KMGの全株式取得に要する資金総額は7億米ドル。
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| 5/10：デンソーとUSJC、車載パワー半導体の量産出荷を開始 |
拡大する電動車市場に向け300mm ウェーハでのIGBTを出荷
デンソーと、UMCの日本拠点であるUSJCは、本日300mmウェーハでのIGBTの出荷を開始した。
出荷式の様子、(左から) デンソー代表取締役社長 有馬 浩二、UMC Co-President Jason Wang
デンソーは、従来のIGBT（IGBTとダイオードを別チップで接続したもの）と比べ、エネルギー損失を最大20％削減した小型で低損失な次世代IGBT（RC-IGBT=ダイオードと一体のIGBT)を開発した。今回デンソーとUSJCが共同で新設した製造ラインにて生産し、2025年には月産10,000枚を目指す。
2022年4月に3社は、電動車の中核デバイスであるIGBT生産で協業することを発表し、2023年上期の生産開始を目指してきた。
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| 5/10：Entegris、台湾の高雄に最先端の製造施設を開設 |
54,000m2の施設は、チップメーカーにとって重要なソリューションを生産するEntegris最大の製造施設となる
半導体およびその他のハイテク産業向けの先進材料およびプロセス ソリューションの大手サプライヤーであるEntegris は本日、最先端の-台湾南部の高雄サイエンスパークにあるアート施設。新しい施設は、チップメーカーが直面するさまざまな課題を解決するために設計された重要なソリューションを提供する
同社は、高度な液体フィルター、高純度ドラム、および高度な蒸着材料の生産能力を大幅に向上させる54,000平方メートルの施設に総額約5億ドルを投資する予定です。また、廃棄物を削減し、水とエネルギーの消費量を削減し、再生可能エネルギーによる電力の使用を増やすように設計された多くの技術とプロセスも特徴とする。
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| 5/9：ローム、パワーデバイス事業計画 |
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| 5/8：ニコン、ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」を発売 |
ニコンの半導体露光装置史上最高の生産性を実現
ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」
ニコンは、ミドルクリティカルレイヤー向けのArF液浸スキャナー「NSR-S625E」を発売する。スループットおよび装置の稼働安定性を向上させたことで、ニコンの半導体露光装置史上最高の生産性を実現し、様々な半導体デバイスの効率的な生産に貢献する。
発売概要
商品名：ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」
発売時期：2024年2月
主な性能
| 解像度 |
≦38 nm |
| NA（開口数） |
1.35 |
| 光源 |
ArFエキシマレーザー（波長：193 nm） |
| 縮小倍率 |
1:04 |
| 最大露光領域 |
26 mm x 33 mm |
| 重ね合わせ精度 |
SMO※1：≦1.7 nm、MMO※2：≦2.5 nm |
| スループット |
≧280 wafers/hour (96 shots) |
※1.SMO(Single Machine Overlay)：同一号機間の重ね合わせ精度
※2.MMO(Mix and Match Overlay)：同一機種間の重ね合わせ精度
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| 5/8：西村経済産業大臣が欧州8か国に出張 |
1．アイスランド
（1）ヘトリスヘイジ地熱発電所及びオルカのCCSプラント等の視察（4月30日）
（2）トールダルソン環境・エネルギー・気候大臣との会談（4月30日）
地熱エネルギー協力に係る共同声明（和文）
2．デンマーク
（1）VESTASアンダーセンCEOとの会談（5月1日）
日本の洋上風力発電に関する取組や、同社の日本での今後の事業展開などについて意見交換
（2）リスキリング・ラウンドテーブル（5月1日）
3．ベルギー
（1）Imecの視察（5月1日）
ImecのホーブCEOと、次世代半導体開発の協力に向けた意見交換を行うとともに、imec内の最先端の半導体製造技術研究施設を視察し、最先端の製造プロセスや人材育成の状況等について、現場を見ながら説明を受けた。
（2）ドンブロフスキス欧州委員会上級副委員長（人々のための経済担当）兼貿易担当欧州委員との会談（5月2日）
4．フランス
（1）ステーションF視察（5月2日）
同行した日本スタートアップ15社からなるミッションメンバーとともにステーションFを視察し、フランスのスタートアップ政策などについて説明を聞くとともに、日本のスタートアップエコシステム形成に向けた意見交換
（2）ル・メール経済・財務・産業・デジタル主権大臣との会談（5月2日）
（3）パニエ＝リュナシェ・エネルギー移行大臣との会談（5月3日）
（4）パリ・イル・ド・フランス商工会議所での講演（5月3日）
西村経済産業大臣がパリ・イル・ド・フランス商工会議所で講演
5．チェコ
シーケラ産業貿易大臣との会談（5月4日）
6．ポーランド
（1）ブダ経済開発・技術大臣との会談（5月4日）
（2）モスクファ気候・環境大臣との会談（5月4日）
7．ブルガリア
（1）ストヤノフ経済産業大臣及びプレフ・イノベーション成長大臣との会談（5月5日）
（2）INSAIT視察（5月5日）
8．ルーマニア
（1）ブルドゥジャ研究・イノベーション・デジタル化大臣との会談（5月6日）
（2）ビジネスラウンドテーブル（5月6日）
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| 5/2：Infineon、ドレスデンの新工場着工 |
Infineonは、ブリュッセル、ベルリン、ザクセン州の政治指導者らとともに、ドレスデンに新工場の着工した。EU委員会のウルズラ・フォン・デア・ライエン委員長、オラフ・ショルツ・ドイツ連邦首相、ザクセン州のミヒャエル・クレチュマー首相、ドレスデンのディルク・ヒルベルト市長は、象徴的にInfineonのヨッヘン・ハネベックCEOとともに建設工事に着手した。投資額は50億ユーロで、この新工場への単独投資としてはインフィニオン史上最大となる。
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| 5/1：世界の半導体売上高は第1四半期に8.7%減少。3月の売上高は2022年5月以来初めて前月比で上昇、SIA |
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| 4/28：凸版印刷、パワー半導体事業に参入 |
凸版印刷は、パワー半導体向けの受託製造ハンドリングサービスを2023年4月より提供開始した。
本サービスは、ウェハ製造キャパシティの確保が困難な車載・産業機器・ファクトリーオートメーション向けをはじめとするパワー半導体を対象として、デバイスメーカーが保有するウェハ製造プロセスのポーティングと、ウェハ製造を凸版印刷が受託する。ウェハ製造プロセスは、JSファンダリとの協業契約に基づき、同社の新潟工場内に構築される。
本サービスを利用することでデバイスメーカーは、自社の製造工場でパワー半導体の旺盛な量産需要に応えつつも、その煽りで出荷困難になりがちだった多品種小ロット品についての安定供給が可能となる。
まずは6インチウェハプロセスのポーティングおよび製造代行からサービスを開始し、「エピタキシャル工程」「裏面工程」など、ウェハ製造に関わる部分的な加工のみにも対応する。そして、2024年度内には8インチウェハプロセスにも拡大させると同時に、凸版印刷の半導体設計子会社である株式会社トッパン・テクニカル・デザインセンターによる、パワー半導体の設計から製造までを請け負うターンキーサービスの提供も開始する予定。
パワー半導体事業参入のロードマップ
INDEX
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| 4/28：富士フイルム、欧州の半導体材料工場の製造設備を増強 |
最先端半導体材料の生産能力を大幅向上
研究開発や品質保証の設備も拡張、総額約45億円
富士フイルムは、電子材料事業をさらに拡大するため、欧州の半導体材料工場の製造設備を増強する。
今回、半導体材料の欧州現地法人であるFUJIFILM Electronic Materialsが、半導体製造プロセスの基幹材料である、ポリイミドやフォトリソ周辺材料など最先端半導体材料の製造設備を増強する。また、新製品の開発加速や顧客への技術サポートのさらなる強化に向けて、ポリイミドなどの研究開発や品質保証の設備も拡張する。いずれの設備も、2025年に稼働させる予定。今回の設備投資額は45億円。
今回の設備投資の概要
| 1. 会社名 |
FUJIFILM Electronic Materials (Europe) N.V. |
| 2. 所在地 |
ベルギー・ズウェインドレヒト |
| 3. 総投資金額 |
約45億円 |
| 4. 主な投資内容 |
・ポリイミド、現像液やクリーナーなどのフォトリソ周辺材料の製造設備の増強
・ポリイミドなどの研究開発や品質保証の設備増強（クリーンルームの増設など）
・倉庫の増設
・工場敷地内への太陽光発電パネルの設置 |
| 5. 着工時期 |
2023年4月27日 |
| 6. 稼働開始時期 |
2025年 |
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| 4/28：経産省、半導体の安定供給の確保に係る取組の認定 |
認定供給確保計画
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事業者名 |
供給確保計画
認定番号 |
供給確保計画の概要・備考 |
| 1 |
ルネサスエレクトロニクス
株式会社 |
２０２３半導体第１号－１ |
令和５年４月２８日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は約159億円 |
| 2 |
イビデン株式会社 |
２０２３半導体第２号－１ |
令和５年４月２８日認定
供給確保計画の概要
※最大助成額は405億円 |
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| 4/28：三菱電機、SiCパワー半導体の設備投資 |
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| 4/27：KOKUSAI ELECTRIC、砺波事業所(仮称)の安全祈願祭を実施 |
KOKUSAI ELECTRICは、富山県砺波市に建設する砺波事業所（仮称）の着工に先立ち、4月20日に安全祈願祭を執り行った。
安全祈願祭には、富山県 商工労働部の端 正至企業誘致専門監や夏野 修砺波市長などをはじめ関係者約40人が出席。また、当社常務執行役員 富山事業所長の山田
正行も出席し、刈初の儀を執り行った。
安全祈願祭
主力の成膜プロセス装置やトリートメント（膜質改善）プロセス装置などの生産能力の拡大と既存の富山事業所における研究開発体制の強化を両立するため、既存のサプライチェーンや物流網が有効活用できる富山県砺波市に新工場となる砺波事業所（仮称）を建設することを決定した。砺波事業所（仮称）は、SX
(Smart Transformation)を最大限活用することで、生産プロセスやマテハン、設備管理などを高度化し、生産能力および生産効率の倍増を図る。また、再生エネルギーによる工場全体稼働を実現することで、環境へ配慮した工場とする計画。
砺波事業所（仮称）の概要
所在地：スマートインター柳瀬工業団地（富山県砺波市下中条）
設計：株式会社日立建設設計
施工：株式会社大林組
敷地面積：約40,000㎡
構造：鉄骨造
階数：地上3階 一部4階
工期：2023年4月21日～2024年6月30日
投資金額：約240億円
用途：半導体製造装置の製造
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| 4/27：TDK、磁気センサの生産体制強化について |
TDKは、TMR磁気センサの生産体制を強化するため、TDK浅間テクノ工場の生産ラインを増強する。増産投資後の生産数量は2025年前半から現状比で月産約2倍の増産対応が可能となる。
車載向けを中心に、産機向けならびに民生機器向けの需要が急増している状況を受け、当社は過年度より増産体制を整えてきたが、さらに中長期を見据えた需要増に対応するため、浅間テクノ工場内にて増産投資を決定した。これにより、お客様からのより多くの需要に対応することが可能。
浅間テクノ工場の概要
所在地 ：長野県佐久市小田井543
主要事業 ：車載向けおよびICT向けTMR磁気センサの開発・製造
浅間テクノ工場は、1986年の竣工以来、「HDD用磁気ヘッドの開発・生産」による拡大を続けた後、2014年より「車載及びICT向け磁気センサの開発・製造」へ事業を移行した。
現在は、長年培われた薄膜技術を駆使して、TDKにおいてグローバルに展開している磁気センサビジネスの中核工場を目指し、センサ用ウェハの製造をすると共に関連工場などと連携して磁気センサのパッケージ、モジュール製品の提供をしている。
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| 4/27：村田製作所、出雲村田製作所での新生産棟竣工について |
村田製作所の生産子会社、出雲村田製作所は、2022年3月よりイワミ工場での新生産棟の建設を進めていたが、このたび完成し、4月27日（木）に竣工式を行った。今回の新生産棟の完成により、積層セラミックコンデンサの中長期的な需要増加に対応できる体制を構築する。
イワミ工場（波根）新生産棟の概要
構造・規模： 鉄骨造 地上4階建
延床面積： 22,144㎡
建築面積： 6,314㎡
用途： 積層セラミックコンデンサの生産
竣工： 2023年4月24日（月）
総投資額： 約120億円（建物、生産設備含む）
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| 4/27：ADEKA、先端半導体メモリ向け高誘電材料 生産設備を増強 |
ＡＤＥＫＡはこの度、連結子会社のADEKA KOREA CORP.にて、先端半導体メモリ向け高誘電材料「アデカオルセラ」シリーズの生産設備増強を決定した。
５Ｇ通信の拡大やＡＩ、メタバースをはじめとした高度ＩＣＴ社会の実現に向けて、半導体市場は2030年に１兆ドル規模に成長すると見込まれている。半導体メモリは大容量化や消費電力削減等のニーズを背景に微細化や三次元実装化などの技術革新が急激に進行。これに伴い半導体材料は、新しい製造プロセスや微細化構造に対応するべく、新たに複数の材料が必要になってくる。
ＡＤＥＫＡの先端半導体メモリ向け高誘電材料「アデカオルセラ」シリーズは、世界シェアNo.1の半導体材料。半導体の微細化に欠かせない製品群として現行世代からさらに数世代にわたって使用される見通しであるため、積極投資を実行している。2022年7月には、今後の需要増に安定供給で応えるべく、生産能力増強の投資を決定し、現在建設中。
この度半導体材料の新たな需要に応えるため、「アデカオルセラ」シリーズのラインナップ拡充を目的として、生産設備を増強します。
概要
所在地：ADEKA KOREA CORP. 全州第二工場（韓国 全羅北道 完州郡）
投資金額：21億円
スケジュール：営業運転開始：2023年度中（予定）
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| 4/27：AGC、EUV露光用フォトマスクブランクスの生産能力を増強 |
―更なる微細化に対応する次世代品を生産―
ＡＧＣは、100％子会社であるAGCエレクトロニクスにおいて、EUV露光用フォトマスクブランクス（EUVマスクブランクス）の生産能力増強を決定した。2024年1月より稼働を開始し、段階的に増強を行うことにより、AGCグループのEUVマスクブランクス生産能力は2025年に現在の約30％増となる。
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| 4/26：ローツェ、せとうち半導体共創コンソーシアムについて |
2023年3月、世界最先端の半導体関連研究・開発および人材育成を目的とし、広島大学を中心に、産官学連携組織の「せとうち半導体共創コンソーシアム」が設立された。その趣旨に賛同する多くの企業が集まり、中国経済産業局、広島県、東広島市の支援のもと、活動を開始。
当社も設立メンバーとして参画し、1980年代から半導体デバイス研究をリードしてきた広島大学ナノデバイス研究所、半導体産業を支える様々な企業と共に、一体となって取り組む。
広島大学ナノデバイス研究所についてはこちら
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| 4/26：浜松ホトニクス、半導体レーザの生産能力強化、都田製作所に新棟を建設、地鎮祭は5月10日 |
都田製作所4棟 完成予想図
浜松ホトニクスは、LiDAR向けをはじめとする半導体レーザの生産能力を増強し市場拡大に対応するため、都田製作所に新棟を建設する。
新棟建設の地鎮祭は5月10日（水）に執り行い、2024年7月に竣工の予定。
＜新棟概要＞
建物名称 ： 都田製作所 4 棟
建築場所 ：静岡県浜松市北区新都田 1-8-3
建築工期 ：2023 年 5 月着工、2024 年 7 月竣工予定
稼働予定 ：2024 年 10 月
建築構造 ：鉄骨造、地上 4 階
建物面積 ：建築面積 1,780 ㎡、延床面積 6,720 ㎡
施設構成 ：1階 組立、検査（クリーンルーム）
2階 組立、検査（クリーンルーム）
3階 検査、評価
4階 設計・製造事務所、会議室
総工費 ：約 40 億円
収容人員 ：約 160 名
生産品目 ：半導体レーザ
生産能力 ：約2,500万個／年間（シングルチップ換算）
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| 4/26：2023年の世界半導体売上高が11％減少すると予測、Gartner |
2022 年の半導体売上高は 5,996 億ドル
表 1. 世界の半導体収益予測、2022 年から 2024 年 (10 億米ドル)
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2022年 |
2023年 |
2024年 |
| 収益 |
599.6 |
532.2 |
630.9 |
| 成長 （％） |
0.2 |
-11.2 |
18.5 |
出典: Gartner (2023年4月)
メモリの収益は 2023 年に 35.5% 減少するが、2024 年には回復する
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| 4/26：Bosch、米国のTSI Semiconductorsを買収する予定 |
Boschは、SiCチップで半導体事業を拡大している。このテクノロジー企業は、カリフォルニア州ローズビルに本拠を置く米国チップメーカー TSI
Semiconductors の資産を取得する予定。250 人の従業員を擁する同社は、ASICのファウンドリー。現在、主にモビリティ、テレコミュニケーション、エネルギー、ライフ
サイエンス業界向けの 200 ミリSiウエハ上に大量のチップを開発、製造している。今後数年間で、Boschはローズビルの拠点に 15 億米ドル以上を投資し、TSI
Semiconductorsの製造施設を最先端のプロセスに変換する予定。2026年から、革新的な材料であるSiCをベースにした最初のチップが200mmウエハで製造される。
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| 4/25：世界トップ10のIC設計会社の収益減少は2022年第4四半期に10%近くまで拡大、減少は23年第1四半期まで続くと予想、TrendForce |
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| 4/25：ミネベアミツミ、SSCの株式取得（子会社化）完了に関するお知らせ |
1. 本取引の目的及び今後の運営方針
2020年4月に当社の傘下となったABLICは、当社のコア事業「8本槍」のひとつであるアナログ半導体事業の継続的な成長を牽引すべく取り組んでおり、特に成長シナリオを支える商品開発力、とりわけ市場の拡大が見込まれる医療機器やEV向けなどの高付加価値商品の開発力強化に力を入れている。
SSCは高度な知見と先端の技術力を強みとする半導体設計の技術者集団であり、デジタル/アナログ、フロントエンド/バックエンドなどの様々な開発プロジェクトで成果を上げるなど、半導体技術の分野において極めて豊富な実績を有している。
本案件は、ABLICが高付加価値商品の開発力強化を進める中、相互に検討を重ね、当社グループ内でSSCとの協働を図ることが双方にとってメリットが大きいと判断した。
2. 株式会社SSCの概要
（1）名称 株式会社SSC（非上場）
（2）所在地 神奈川県横浜市港北区新横浜3-19-5 新横浜第2センタービル3階
（3）代表者の役職・氏名 取締役社長 岸 修司
（4）事業内容 半導体の設計、製造、販売、コンサルティング
（5）資本金 2,600万円
（6）設立年月日 2014年7月14日
（7）大株主及び持株比率 エイブリック株式会社 100%
（8）役員構成 取締役 岸 修司/取締役 花沢 聡/取締役 阿部 清
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| 4/25：鹿島、Rapidus IIM-1建設計画の設計施工者に選定 |
鹿島は、Rapidusが北海道千歳市に新たに建設する最先端半導体工場のうち、Rapidus IIM-1建設計画の設計施工者に選定された。
日本の主要企業8社が出資し最先端半導体の国産化を目指すRapidusは、自動運転やAIなど次世代の産業に欠かせないとされる2nmの最先端半導体の量産化を目指している。Rapidusは、2025年に試作ライン、2020年代後半に量産ラインを立ち上げることを目標に掲げている。
このたび、本計画に対する当社の提案が採択され、設計施工者として選定された。
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| 4/25：Rapidus、千歳市に最先端半導体工場の建設を開始へ |
Rapidusは、北海道千歳市において、最先端半導体の開発および生産を行う工場の建設に向け、必要な準備を開始する。
このたび、経済産業省及びNEDOから当社の2023年度の研究開発プロジェクトの計画・予算が承認されたことを受け、自治体および関連事業者と連携し、活動を開始する。
また、4月より、世界最先端の半導体研究拠点の一つである米国ニューヨーク州のAlbany Nanotech Complexに当社の研究員を派遣し、IBMとの協働による研究開発に着手した。以上の施策により、２nmノード技術開発を行い、国内短TATパイロットラインの構築と、テストチップによる実証を行う。
当社は、IBMやimec等との国際連携を通じて、最先端のロジック半導体の技術開発を進めるとともに、千歳での最先端半導体工場の建設に取り組み、研究期間終了後は、その成果をもとに先端ロジックファウンドリとして事業化を目指す。
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| 4/25：経済産業省、次世代半導体プロジェクトのアップデート |
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| 4/25：世界のトップ10のIC設計会社の収益の減少は、2022年第4四半期に10％近く拡大し、23年第1四半期まで続くと予想、TrendForce |
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| 4/24：東芝D&S、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟の建設を開始 |
加賀東芝エレクトロニクスにおいて、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟の起工式を行った。今回建設するのは、第1期分で、2024年度中の稼働開始を予定。また、生産能力拡大に伴う人員増に対応するため事務所棟も建設する。
新製造棟は、免震構造の採用や電源等の２重化によるBCP強化を図り、使用する電力を100％再生可能エネルギー由来でまかなう計画。また、AI活用などを通じて、製品品質および生産効率をより向上させる。
当社は、同拠点の既存棟において、2022年度下期より、300mmウエハーを用いたパワー半導体の生産を行っている。新製造棟の稼働開始により、今後も旺盛な需要が見込まれるパワー半導体の生産能力をさらに拡大し、カーボンニュートラルの実現に貢献する。
完成イメージ図（手前の建物。第2期分完成時）
加賀東芝エレクトロニクスの概要
所在地：石川県能美市岩内町1番地1
設立：1984年12月
代表者：取締役社長 徳永 英生
従業員数：約1,000名 （2023年3月末時点）
生産品目：ディスクリート半導体（パワー半導体、小信号デバイス、オプトデバイス）
2022/2/4：東芝D&S、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟の建設決定について
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| 4/19：2023年ワールドワイドエレクトロニクス市場総調査、富士キメラ総研 |
■2028年予測（2022年比）
・ワイヤレスイヤフォン／ヘッドフォン市場 6億100万台（61.1％増）
アジアでの需要増加がけん引。2024年頃からは買い替え需要による伸びも寄与
・ドローン市場 643万台（27.3％増）
民生用が中心、産業用も試験導入が進む。物流や監視など新しい用途展開に期待
ワイヤレスイヤフォン／ヘッドフォン
| 2022年 |
2021年比 |
2028年予測 |
2022年比 |
| 3億7,300万台 |
104.80% |
6億100万台 |
161.10% |
ドローン
| 2022年 |
2021年比 |
2028年予測 |
2022年比 |
| 505万台 |
105.20% |
643万台 |
127.30% |
ノートPC
| 2022年 |
2021年比 |
2028年予測 |
2022年比 |
| 1億8,600万台 |
78.80% |
1億8,700万台 |
100.50% |
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| 4/19：GlobalFoundries、IBMに対して訴訟、知的財産と企業秘密を保護 |
Intel、日本のコンソーシアムである Rapidus などへの違法な開示で IBM を告発
GlobalFoundries(GF) は、企業秘密の不正使用で IBM を訴えた。訴状では、2015 年に IBM がマイクロエレクトロニクス事業をGFに売却後、元半導体製造会社がGFの機密IPと企業秘密を違法に開示したと主張。販売時に技術がGFに譲渡されたことをライセンスおよび開示する唯一かつ独占的な権利。
GFは、補償的および懲罰的損害賠償、ならびにGFの企業秘密のさらなる違法な開示および使用を防止する IBM に対する差し止め命令を求めている。
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| 4/18：日立ハイテク、笠戸地区に半導体製造装置の新製造棟を建設 |
エッチング装置の生産能力2倍を達成するカーボンニュートラル工場の実現へ
半導体製造装置事業におけるエッチング装置の生産能力増強を図るため、山口県下松市にある笠戸地区に新製造棟を建設し、2025年度から生産を開始する予定。新製造棟では生産ラインのデジタル化や自動化により生産能力2倍を実現することで、ますます拡大する半導体製造装置の需要に応える。また、日立ハイテクは2027年度までに全事業所でのカーボンニュートラル達成を目標に掲げており、新製造棟においてもカーボンニュートラルを達成し、脱炭素社会の実現をめざす。
【日立ハイテク笠戸地区新製造棟(完成イメージ)】
【新製造棟の概要】
所在地：山口県下松市東豊井
敷地面積：約80,000㎡
延床面積：約35,000㎡
構造：鉄骨造 地上4階建
竣工予定：2025年4月
投資額：約240億円
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| 4/17：2023 先端／注目半導体関連市場の現状と将来展望、富士キメラ総研 |
■2028年予測（2021年比）
・先端／注目半導体デバイス13品目の世界市場 55兆5,373億円（141.5％）
データセンター設置のサーバー、自動車関連の需要増加を背景に、市場拡大
・半導体関連装置6品目の世界市場 8兆4,280億円（192.2％）
大手IDM（垂直統合型デバイスメーカー）やファウンドリーの生産能力増強が進む
・サーバー向けアクセラレーター 5,123億円（3.5倍）
クラウドサービス事業者の需要が引き続き高まる
先端／注目半導体デバイス13品目の世界市場
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 40兆389億円 |
102.00% |
55兆5,373億円 |
141.50% |
半導体関連装置6品目の世界市場
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 5兆8,630億円 |
133.70% |
8兆4,280億円 |
192.20% |
サーバー向けアクセラレーター
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 2,073億円 |
143.00% |
5,123億円 |
3.5倍 |
CPU（PC向け・サーバー向け）
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 9兆2,007億円 |
108.20% |
10兆8,975億円 |
128.20% |
車載SoC・FPGA
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 7,360億円 |
135.30% |
1兆3,680億円 |
2.5倍 |
DRAM
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 10兆9,000億円 |
101.90% |
17兆8,000億円 |
166.40% |
NAND
| 2022年見込 |
2021年比 |
2028年予測 |
2021年比 |
| 7兆2,500億円 |
96.20% |
11兆9,000億円 |
157.80% |
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| 4/17：佐賀大学、世界初ダイヤモンド半導体パワー回路を開発-高速スイッチング、長時間連続動作を実証- |
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| 4/14：ノートブックの世界的な需要は2Q23のQoQで11%成長すると予測、TrendForce |
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| 4/14：米国CHIPS法による厳しい制限により、多国籍サプライヤーの投資意欲が低下。中国の半導体開発は今後10年間は制限される、TrendForce |
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| 4/13：Intel＆Jikr、新エネルギー車のを共同で作成するための戦略的協力覚書に署名 |
左から: An Conghui, Geely Holding Group 社長兼 Jikr Intelligent Technology CEO,
Li Shufu, Geely Holding Group 会長, Pat Kissinger, Intel Corporation CEO,
Wang Rui, Intel Corporation 上級副社長兼 Intel China Region 会長、戦略的協力覚書の調印式に出席
Intel と Geely Holding Group のJikr Intelligent Technology は、戦略的協力覚書の調印を発表した。これまでの協力の成功に基づいて、両社は自動車ハードウェア製品の開発、インテリジェントな車両アプリケーションとソリューション、エコロジカル
チェーン構築の分野での深い協力を模索し、新エネルギー車 (NEV) インテリジェントなどの革新的な製品を共同で制作する。
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| 4/13：ZF、STMicroelectronicsとSiCデバイスの複数年供給契約を締結 |
・ZFは、300億ユーロを超えるエレクトロモビリティの注文を確実に履行するために、SiC技術の主要サプライヤーを獲得した。
・STのSiCデバイスは、ZFの将来のモジュール式インバータ プラットフォームに統合され、2025年に量産が開始される。
・STで、ZFは、複雑なシステムに関する経験がZFの要件を満たし、非常に高品質で必要な量のSiCデバイスを生産できるサプライヤを見つけた。
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| 4/13：Intel Foundry ServicesとArm、最先端SoC設計に関する複数世代にわたる協業 |
Intel Foundry Services（IFS）と英Armは、チップ設計者がIntel 18Aプロセス技術で低消費電力の演算SoCを開発できるようにする複数世代契約を発表した。今回の協業では当初、モバイルSoC設計に重点を置き、将来的には車載、IoT、データセンター、航空宇宙、官公庁など各種用途への設計拡張も視野に入れている。次世代モバイルSoCを設計するArmの顧客企業は、最先端のIntel
18Aプロセス技術を活用し、最新の画期的なトランジスタ技術によって消費電力とパフォーマンスを改善し、米国とEUの施設を含むIFSの強固な製造拠点を活用できる。
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| 4/11：旭化成、電子部品事業(中期経営計画2024進捗) |
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| 4/11：2022年の世界の半導体装置ベンダーの収益ランキングトップ10 |
中国CINNOによると、2022年に世界の機器メーカーの上位 10 位までの半導体関連ビジネスの収益は1,030億ドルに達し、過去3年間で最高の収益記録に達し、前年比で6.1%増加。
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| 4/10：ジャパンディスプレイ、世界第3位ディスプレイメーカーHKC(中国)との戦略提携覚書(MOU)締結 |
世界第 3位の生産出荷規模を誇るディスプレイメーカー惠科股イ分（HKC）との間で、グローバル戦略パートナーとして次世代 OLED ディスプレイ技術の推進と工場建設、グローバルイノベーション・インダストリアリゼーションセンター及びハイエンド車載ディスプレイ業務に関する戦略提携覚書（MOU）を2023年4月7日付で締結した。
1． 本 MOU 締結の背景と目的
当社は、2022年5月に、世界で初めてマスクレス蒸着とフォトリソを組み合わせた方式で画素を形成し、輝度・寿命を大幅に高める次世代 OLED「eLEAP」の量産技術を確立した。同年8月にはサンプル出荷を開始し、量産を
24年中に予定。また、22年3月には、世界で初めて第6世代量産ラインにおいて、従来の酸化物半導体薄膜トランジスタと比較して電界効果移動度が2-4倍以上となるバックプレーン技術(HMO/High
Mobility Oxide）の開発に成功しており、早期の量産化を目指している。eLEAPとHMOは、それぞれ従来の技術では達成できなかった高輝度・長寿命・消費電力の低減を実現するとともに、既存生産プロセスを基礎から簡素化・最適化することで低コスト生産を可能とする。有機材料の使用量削減及び大幅なCO2排出量削減を実現するGreenTechでもある。
当社は、この eLEAP と HMO が、ディスプレイデバイスに革新的進歩をもたらすものと考え、他社にもこの技術を提供することにより、既存技術を超えた圧倒的なコストパフォーマンスを有する新しいグローバルディスプレイ・エコシステムの構築を目指している。
HKC は、近年、大型ディスプレイ分野において急速な成長を遂げているエレクトロニクスメーカーであり、近い将来、中国での上場も企図している優良企業。同社は、2017年以降、中国の重慶、滁州、綿陽、長沙にて次々と第8.6世代ディスプレイ工場での量産を開始して売上を急拡大しており、強力なコスト競争力、販売力、機動力、更には資金力も有している。
今般、当社とHKCは、当社の「世界初、世界一」独自技術及び生産技術力、HKCのコスト競争力及び販売力、並びに両社の人材力の融合が、両社の企業価値の飛躍的向上に資するとの考えで一致し、本MOUを締結した。
2． 本 MOU の内容
本MOUにおいて、当社とHKCは、以下の事項に関して2023年6月を目途とした最終合意締結に向けた協議を進めることを合意。
1. JDI と HKC は、グローバル戦略パートナーとして、次世代 OLED「eLEAP」、共同開発センターGI2C（グローバルイノベーションアンドインダストリゼーションセンター）、ハイエンド車載ディスプレイ事業などについて、長期的・全面的・深い協力を合意した。
2. 両社は、世界最先端のeLEAP工場を共同で計画・建設し、2025年内の量産開始を目指す。
3. 双方は、世界をリードするハイエンドディスプレイソリューションの総合サービスプロバイダーとして成長することに共同して取り組み、次に掲げる市場のミドル・ハイエンド分野における中長期的な戦略的発展目標の達成に取り組む。
（1）ウェアラブル：2027 年に出荷量及び市場シェア、世界 1 位
（2）車載：2028 年に出荷量及び市場シェア、世界 1 位
（3）VR：2028 年に出荷量及び市場シェア、世界 1 位
（4）モニター製品：2028 年に出荷量及び市場シェア、世界 1 位
（5）ノートブック及びタブレット：2028 年に出荷量及び市場シェア、世界 3 位
3． HKC の概要
(1) 名称 惠科股份有限公司 （英語名： HKC Corporation Limited）
(2) 所在地 中国深セン市宝安区石岩街道石龍社区工業二路 1 号惠科工業園
(3) 代表者の役職・氏名 CEO・総経理：王智勇
(4) 事業内容 ディスプレイパネル・ テレビ・ IT 周辺機器の開発・製造・販売
(5) 設立年月日 2001 年 12 月 3 日
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| 4/10：Lam Research、AI研究によりチップイノベーションのスピードアップとコスト削減を実現する画期的な開発アプローチが特定 |
Nature誌に掲載された画期的なLamの研究は、人間と機械のハイブリッドモデルがプロセス開発のコストを 50% 削減し、市場投入までの時間を短縮できることを証明。
新しい研究では、 Lam Researchは、チップ製造のプロセス開発におけるAIの使用の可能性を調査した。これは、今日、世界中のすべての新しい高度な半導体の大量生産に不可欠な人間主導のステップ。専門家によると、半導体市場は2030
年までに年間収益が1兆ドルに達すると予測され、この研究はNature誌に掲載された。業界が直面している2つの大きな課題に対処する機会を特定してる。それは、開発コストの削減と、次世代チップに対する高まる需要に対応するためのイノベーションのペースの加速。この研究では、「人が先、コンピューターが後」のアプローチは、現在のアプローチと比較して劇的に速く、半分のコストでプロセス
エンジニアリングの目標に到達できる。
INDEX
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| 4/7：サンケン電気、JSファンダリ新潟工場(一部借用)に新潟サンケンを設立 |
１．背景及び設立目的
パワーモジュール製品は、納入先から提示される将来に向けた継続的な需要増加が明らかとなり、生産能力の一段の増強を計画し、このほど新潟県内に当該子会社を設立する。
当該子会社は、JSファンダリ新潟工場の既存の半導体生産工場用の建屋を賃借して活用することで、生産立ち上げまでの期間について大幅に短縮を図る計画。これにより、当該子会社における量産は、2024年後半の開始を予定し、次期中期経営計画の最終年度26年には年間
300 万個の生産体制を整える。
今後、二酸化炭素の排出量削減に向けた世界各国の環境対応への動きが加速していく中で、EV車輛の生産量増大が見込まれる。こうしたEV ビジネスへの需要を背景に、当社の成長ドライバーとなる当該製品の生産体制は、グループ全体で将来的に年間
1,000 万個の生産を目指す。
２．設立する子会社の概要
（１） 名称：新潟サンケン株式会社
（２） 所在地：新潟県小千谷市千谷甲 3000 番地
（３） 代表者の役職・氏名：代表取締役社長 八木 健二
（４） 事業内容：電子部品およびデバイスの製造および販売
（５） 資本金：9,500 万円
（６） 設立年月日：2023 年５月 16 日（予定）
（７） 大株主及び持株比率：当社 100%
３．日 程
（１） 取締役会決議日：2023 年４月７日
（２） 会社設立日：2023 年５月 16 日（予定）
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| 4/5：京セラ、長崎県諫早市の新用地取得に関する立地協定の締結 |
京セラは、長崎県諫早市の南諫早産業団地における新工場用地の取得に関連して、長崎県ならびに諫早市と立地協定を締結した。
当社では、国内外の既存工場での積極的な増産投資を進める一方で、既存工場のみでは、さらなる成長発展が困難であるとの判断から、新工場を設立する方針を決定し、2022年12月に南諫早産業団地内の用地、2区画（約150,000㎡）を取得する申し入れを行いました。このたび、土地の造成が完了している1区画（約57,000㎡）について、本協定を締結し、2023年10月に用地を取得し、工場の建設を開始してまいります。なお、残りの1区画（約93,000㎡）については、2024年に用地を取得する予定。
長崎諫早工場（仮称）完成予想図
工場建設予定地
新工場では、半導体関連に幅広く使用されるファインセラミック部品や半導体パッケージの生産を行う予定で、2026年度の稼働を目指す。
■ 新工場の概要
| 名称 |
京セラ株式会社 長崎諫早工場（仮称） |
| 所在地 |
長崎県諫早市小栗地区 南諫早産業団地内 |
| 投資金額 |
約620億円（2028年度までの計画） |
| 敷地面積 |
約150,000㎡（2023年10月：約57,000㎡、2024年：約93,000㎡ 取得予定） |
| 主な建屋 |
鉄骨6階建1棟（建築面積：13,900㎡、延床面積：77,900㎡） |
| 建設計画 |
2023年度着工、2025年度拠点開設、2026年度生産開始 |
| 製品品目 |
ファインセラミック部品、半導体パッケージなど |
| 生産計画 |
250億円／年（2028年度計画） |
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| 4/5：名古屋大学とキオクシア、モビリティ分野・ スマートファクトリー分野の指定共同研究契約を締結 |
名古屋大学とキオクシアは、組織間でのさらなる連携強化を図るため、指定共同研究契約を締結し、昨日、推進協議会を開催し、本格的な活動を開始した。
モビリティ分野に強みを持つ名古屋大学との連携により、研究開発を加速させる。また、四日市工場における研究開発をきっかけに人材交流を活性化させ、将来を担う人材の育成にも貢献する。
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| 第1回推進協議会 両者挨拶の様子 |
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| 4/4：レゾナックグループ、本社オフィスの統合・移転 |
レゾナック・HDとレゾナックは、グループ内の意思決定の迅速化、コミュニケーションの活性化を目的に、2023年7月1日に現在2拠点に分かれている本社オフィスを統合・移転する。移転先は東京汐留ビルディング。
レゾナックグループは2023年1月に昭和電工グループと昭和電工マテリアルズグループ（旧日立化成グループ）が統合して発足した。現在の本社機能を持つ拠点は、大門オフィス（東京都港区、旧昭和電工本社）と丸の内オフィス（東京都千代田区、旧日立化成本社）の2拠点に分かれている。これまでも両オフィスの効率的な部門配置や、従業員の交流に取り組んできましたが、グループ内で働く人々の接点を増やし、従業員の共創をさらに促進するため、本社を統合・移転することを決定した。
新オフィス概要
移転先：〒105-7325
東京都港区東新橋1丁目9番1号
東京汐留ビルディング24-26階
（都営大江戸線汐留駅より徒歩2分、JR新橋駅より徒歩7分）
床面積：10,132m2（3,065坪 3フロア合計）
稼働開始日：2023年7月1日
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| 4/4：レゾナック、半導体パッケージ用接着フィルムの生産能力を約1.6倍に増強 |
レゾナックは、五井事業所（鹿島）において、半導体のパッケージング工程で使用する接着フィルムである、「ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム」の生産能力を増強する。主にメモリ半導体向けに使われる同製品の生産は、中長期的に堅調な成長が見込まれており、こうした需要拡大に対応するため、52億円を投じてグループ全体の生産能力を従来の約1.6倍に増やす。稼働開始は2026年の予定。
ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
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| 4/4：Rapidus、imec のコア パートナー プログラムに参加 |
Rapidusは、ナノエレクトロニクスとデジタル技術分野における世界的な研究機関であるimecと先端半導体研究の領域で長期的かつ持続可能な協力を強化するため、imecのコアパートナープログラムに参加する。
Imecのコアパートナープログラムは2005年に開始され、5nm以下の集積回路プロセス技術の分野における世界トップクラスのファウンドリー、IDM、ファブレス、材料および装置のサプライヤー等が参加し、独占的で緊密な研究開発を行っている。このプログラムは、最先端の半導体製造装置を設置したimecの最新のクリーンルームを基盤としている。これにより、imecのパートナーは、産業界のニーズを先取りした技術の研究を行うことができる。
Rapidus代表取締役社長の小池は、「imecのコアパートナープログラムに参加することは、当社にとって重要な節目。これにより、Rapidusはimecの先端技術やシステムソリューション、最先端の300mmパイロットライン、そして広範なパートナーネットワークを利用することができる。2nmの量産技術を確立するという当社の目標を達成するには、国際的な連携が不可欠であり、imecはこの目標を実現していく上で大変重要なパートナー。今回の合意は、半導体産業における日本の地位を再建する我々の努力が決定的な段階に達したことを示している」
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| 4/3：アーム、新社長就任のお知らせ |
英Armの日本法人であるアームはこのたび、代表取締役社長に横山崇幸が就任した。横山は今後、Armの日本事業の責任者として、セールスおよび顧客・パートナー支援、ビジネス開発を強力に推進する。
Arm入社以前、横山はCSR （現Qualcomm）、Infineon、AMDといったグローバル半導体企業において、日本法人の代表やセールス・マーケティングの要職を歴任。直近では、車載ソフトウェアの開発ツールを提供するETASにて、日本法人であるイータスの代表取締役社長、およびアジア・パシフィック地域のセールス統括バイスプレジデントを務め、同社の事業拡大をリードしてきた。
就任に際し、横山は、「人々の日々の暮らしを支えるモバイルやコンシューマー機器はもちろんのこと、自動車、IoT、データセンターといったあらゆる分野において、高い電力効率とコンピューティング能力を提供するArmテクノロジーに対する期待は、世界各地でますます高まっています。このようなエキサイティングな時期に、Armにとっても極めて重要な市場である日本のビジネスを担当できることを大変うれしく思います。これまで半導体や車載ソフトウェアの業界で培った経験を生かし、国内のパートナー企業との協業をさらに強化することで、お客様のイノベーションをコンピューティングの側面から支援してまいります」
アーム株式会社 代表取締役社長 横山 崇幸
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| 3/31：デンソー初、SiCパワー半導体を用いたインバーターを開発 |
～高効率なインバーターで、電気自動車の電力損失を大幅に低減～
デンソーは、当社初となるSiCパワー半導体を用いたインバーターを開発した。本製品は、BluE Nexusの電動駆動モジュール「eAxle」に組み込まれ、2023年3月30日発売開始のLEXUS初の電気自動車（BEV）専用モデル、新型「RZ」に搭載される。
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| インバーター |
パワーカード |
参考
レゾナック、パワー半導体用SiCエピウェハーがデンソー製インバーターに採用
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| 3/31：レゾナック、パワー半導体用SiCエピウェハーがデンソー製インバーターに採用 |
レゾナックのパワー半導体向けSiCエピウェハーが、デンソー製のインバーターの駆動素子に採用された。同インバーターはトヨタ自動車が発表したLEXUS初のバッテリーEV(BEV)専用モデル、新型「RZ」に搭載される。なお、インバーターの駆動素子へのSiCエピウェハーの採用はLEXUSとして初となる。
SiCパワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体に比べて電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギー、CO2削減に貢献する次世代のデバイスとして、BEVや再生可能エネルギー、xEV用の高速充電スタンド、鉄道車両など様々な用途で市場が急拡大しています。
当社の150mm SiCエピウェハーは2013年の上市以来、業界最高水準の低表面欠陥、低基底面転位といった高い品質が評価され、様々な用途に採用されてきた。
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| 3/27：SIA、2022年にチップの売上が増加、特に自動車、産業、消費者市場向け |
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| 3/27：関西学院と豊田通商、産学連携でSiCパワー半導体ウエハーの研究開発会社を設立 |
左から国弘氏、瀬川氏、金子教授、村田学長
１．設立の背景と目的
関西学院大学と豊田通商は、これまで関西学院大学が25年に渡り培ったSiC関連技術と豊田通商の持つ企業ネットワークを活用し、ユーザー企業およびメーカーが広く参画できる開発プラットフォームを構築し、技術開発および実証を行ってきた。
この開発プラットフォームを活用し、Dynamic AGE-ing®技術を実用化するとともにSiCパワー半導体の工業化を加速することを目的として、両者でQureDA
Researchを設立。
２．事業方針
QureDA Researchは、両社が構築した開発プラットフォームを発展させ、国内外の企業と来たる大口径化(８インチ)を見据えたパワー半導体SiCウエハーの新たな製造法を2025年に実用化することを目指し、SiCウエハーの高品質化、生産性向上といった様々な市場課題に対する最適なソリューションや知的財産権のライセンスを提供。関西学院大学はサイエンスに基づく研究開発、豊田通商は新たなバリューチェーンの創出においてQureDA
Researchと連携し、エネルギーの高効率化とカーボンニュートラル実現に貢献。
【新会社概要】
＜会社名＞QureDA Research株式会社
＜所在地＞兵庫県三田市学園上ケ原１番
＜設立＞2023年3月16日
＜社員数＞6名
＜出資母体＞関西学院50％、豊田通商50％
＜資本金＞４億5千万円（資本準備金：２億円）
＜代表者＞代表取締役社長 瀬川恭平、代表取締役CTO 金子忠昭
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| 3/22：ルネサス、Panthronicsを買収し、NFC技術の獲得によりコネクティビティのポートフォリオを拡充 |
～広範なコネクティビティ製品群で、フィンテック、IoT、アセットトラッキング、ワイヤレス給電の高成長市場への提供を強化～
ルネサスは、高性能ワイヤレス製品に特化したファブレス半導体企業Panthronics AGを買収しする。Panthronicsの株主との間で、ルネサスが完全子会社を通じてPanthronicsを現金によって買収する合併契約を締結した。買収により、ルネサスはコネクティビティのポートフォリオを拡げ、フィンテック、IoT、アセットトラッキング、ワイヤレス給電、さらに自動車向けで需要が拡大するNFC（Near-Field
Communication：近距離無線通信）に対応可能となる。
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| 3/10：ジャパンディスプレイ、ソニーセミコンダクタへ東浦工場建物譲渡 |
当社東浦工場を、2024年4月1日を物件引渡日としてソニーセミコンダクタマニュファクチャリング（SCK）に譲渡することを決議し、 SCKと最終契約を締結した。
また、当社は、2023年4月から本建物内に「東浦エンジニアリングセンター」を設置し、譲渡以降も同拠点にて設計や試作・解析等の事業活動を継続する予定。
1. 譲渡の理由
2022年5月10日付「東浦工場におけるパネル生産終了のお知らせ」のとおり、競争力強化と収益力向上策の一環として、同工場での液晶ディスプレイの生産を
2023年3月に終了することを決議し、生産終了後の本建物の活用について譲渡を含めた検討を進めてきたが、今般、本建物の一部における賃貸関係を有するSCK社との合意に至り、譲渡することを決定した。
2. 譲渡資産の内容
資産の名称及び所在地：東浦工場 建物及び付帯設備（愛知県知多郡）
譲渡価額：非公表
帳簿価額：54億円
現況：液晶パネル生産工場（2023年3月末までに生産終了予定）
3. 譲渡先の概要
(1) 名称 ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社
(2) 所在地 熊本県菊池郡菊陽町大字原水 4000 番地 1
(3) 代表者の役職・氏名 代表取締役社長 山口 宜洋
(4) 事業内容 半導体の設計・開発・生産・カスタマーサービス
(5) 資本金 1 億円
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| 3/3：SIA、1月の世界の半導体売上高は前月比5.2%減 |
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| 3/1：経産省、特定高度情報通信技術活用システムの開発供給及び導入の促進に関する法律 |
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| 2/8：SIA、短期的な景気後退にもかかわらず、世界の半導体市場の長期的な見通しは強い |
短期的な需要の変動を縮小し、過去 20 年間の長期的な傾向を見ると、半導体業界は一貫した成長を示しています (図 1)。年間売上高は、2001年の1,390
億ドルから2022年には5,735億ドルに増加し、313％増加した。同期間に、半導体の販売台数は、経済全体での半導体需要の増加を反映して290％増加した。実際、SIAとボストン
コンサルティングによる2020年の調査によると、半導体製造能力に対する世界の需要は2030年までに56％増加すると予測。より多くの研究、設計、製造に投資する必要がある。問題はより多くのチップ製造施設、またはファブが建設されるが、むしろそれらが建設される場所です。
その新しい製造能力の大部分がアメリカで構築されることを確実にするために、ワシントンの指導者たちは昨年、CHIPS and Science Act
を制定した。
図1：販売高と出荷台数(3か月移動平均2001年1月～2022年11月)
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| 2/1：Wolfspeed、ドイツのザールランドに世界最大かつ最先端のシリコン カーバイド デバイス製造施設を建設する計画 |
Wolfspeedの独SiCパワーデバイス量産工場の完成予想図(出所:Wolfspeed/ZF)
・200mm半導体ファブは世界最大となり、革新的な製造プロセスを利用して次世代のSiCデバイスを製造
投資30億ドル
・欧州のSiCデバイス製造拠点の拡大は、顧客需要を支え、2027年度の40億ドルの長期収益見通し
・同社が以前に発表した65億ドルのグローバル生産能力拡大計画の部分。これには、ノースカロライナ州で現在建設中の世界最大のSiC結晶成長施設であるジョン パルモア シリコン カーバイド製造センターと、同社のモホーク バレー ファブの最終的な建設も含まれる
・ZF Friedrichshafenは、プロジェクトの建設をサポートするために Wolfspeed に多額の投資を行う予定
・マイクロエレクトロニクスおよび通信技術に関する欧州共通利益の重要プロジェクト (IPCEI) の一部として計画され、欧州委員会からの国家援助の承認に依存
2023/2/1：Wolfspeed＆ZF、将来のSiC半導体デバイスに関するパートナーシップを発表
2022/9/9：Wolfspeed、世界最大のシリコンカーバイド材料施設にノースカロライナ州を選択
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